利用虛擬工藝建模贏得全球半導(dǎo)體技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)

作者:泛林集團(tuán)

半導(dǎo)體工藝的開(kāi)發(fā)絕非易事,每一代器件研發(fā)的難度和成本在不斷提升。用傳統(tǒng)的先構(gòu)建再測(cè)試的方法來(lái)開(kāi)發(fā)最先進(jìn)的工藝過(guò)于耗時(shí)且成本過(guò)高,如今已經(jīng)不再適用。

工藝開(kāi)發(fā)的高成本

大多數(shù)芯片設(shè)計(jì)師需要基于現(xiàn)有制造工藝來(lái)開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品,但這些工藝本身也需要工程師來(lái)開(kāi)發(fā)。工藝開(kāi)發(fā),相較于設(shè)計(jì)新的芯片,對(duì)于工程師以及他們的技能要求完全不同。前者的目標(biāo)在于創(chuàng)造新的半導(dǎo)體制造工藝,不僅要滿足器件性能要求而且要保證高良率。

過(guò)去的開(kāi)發(fā)人員需要準(zhǔn)備多種測(cè)試晶圓來(lái)確定特定器件的最佳工藝需求。他們需要先制造一組晶圓并對(duì)其做分析,然后基于分析結(jié)果來(lái)改進(jìn)下一輪的制造工藝步驟。隨著特征尺寸的縮小,每次更新的工藝會(huì)對(duì)變量更加敏感。在測(cè)試時(shí)還必須考慮之前的開(kāi)發(fā)中可能忽略的特征和寄生現(xiàn)象,這進(jìn)一步提高了測(cè)試的復(fù)雜性和數(shù)據(jù)量。在最終確定整個(gè)工藝流程之前要不斷循環(huán)重復(fù)這一過(guò)程,由此帶來(lái)的時(shí)間和成本會(huì)不斷攀升,因此要將這樣的方法用于最先進(jìn)的技術(shù)節(jié)點(diǎn)幾乎是不現(xiàn)實(shí)的。

使用虛擬晶圓進(jìn)行測(cè)試

如今我們可以用虛擬制造來(lái)代替這種耗時(shí)且成本高昂的傳統(tǒng)方法。虛擬制造是指用計(jì)算機(jī)模擬制造真實(shí)晶圓的工藝過(guò)程(如圖1所示)。半導(dǎo)體工藝工程師可以用虛擬模型來(lái)測(cè)試制造設(shè)備的各種不同配置,其中的變量遠(yuǎn)超真實(shí)場(chǎng)景下的測(cè)試。通過(guò)模擬整個(gè)工藝流程,設(shè)計(jì)人員可以在幾天(而非幾個(gè)月)內(nèi)完成數(shù)千個(gè)晶圓的虛擬制造。以圖形動(dòng)畫展現(xiàn)的可視化工藝流程可以幫助他們快速了解情況、調(diào)整工藝配方和器件集成方案,并評(píng)估各項(xiàng)調(diào)整對(duì)電性能的影響。

利用虛擬工藝建模贏得全球半導(dǎo)體技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)

圖1. 虛擬制造中半導(dǎo)體工藝步驟的圖形動(dòng)畫

利用虛擬晶圓制造的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)來(lái)提高良率

基于大量數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)分析能夠讓開(kāi)發(fā)人員對(duì)選定的工藝設(shè)置更有信心。虛擬制造的建模能納入真實(shí)條件下無(wú)法模擬的缺陷和隨機(jī)變化,讓開(kāi)發(fā)人員能夠測(cè)試器件架構(gòu)對(duì)工藝流程中各種不可預(yù)測(cè)因素的靈敏度。

優(yōu)化新存儲(chǔ)器或邏輯制造流程的工藝設(shè)置方式有數(shù)種,其中最簡(jiǎn)單的就是選擇一個(gè)變量并研究其影響。以關(guān)鍵尺寸 (CD) 為例,它是指能保證達(dá)到所需電性能的器件特征尺寸。開(kāi)發(fā)人員可以先設(shè)定一個(gè)從低到高的特定尺寸范圍,然后測(cè)試該范圍內(nèi)不同尺寸數(shù)值對(duì)器件性能(例如閾值電壓)的影響,他們還可以用這些建模來(lái)測(cè)試交叉工序之間的相互作用。

然而,上述方法并不足以研究各工藝步驟以及最終結(jié)構(gòu)之間錯(cuò)綜復(fù)雜的相互作用。我們要用的第二種方法是蒙特卡洛分析,即隨機(jī)改變各種工藝和器件參數(shù),并計(jì)算得出最終器件的幾何形狀和性能(如圖2所示),這些數(shù)據(jù)可以自動(dòng)定義所需的工藝和設(shè)計(jì)參數(shù)以滿足特定良率和性能的要求??梢哉f(shuō)這是虛擬技術(shù)最主要的用武之地,非常適用于測(cè)試眾多不同工藝之間的相互作用。

利用虛擬工藝建模贏得全球半導(dǎo)體技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)

圖2. 基于虛擬制造的統(tǒng)計(jì)實(shí)驗(yàn)

用于虛擬制造的SEMulator3D®

SEMulator3D是泛林集團(tuán)旗下Coventor公司開(kāi)發(fā)的虛擬制造平臺(tái),可用于定義所有工藝步驟以及器件建模、指標(biāo)數(shù)據(jù)收集、電性與器件分析、結(jié)果統(tǒng)計(jì)分析和基于圖形動(dòng)畫的工藝流程可視化。如今很多半導(dǎo)體公司都在使用該平臺(tái)來(lái)優(yōu)化和擴(kuò)展先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn),開(kāi)發(fā)像GAA(全包圍柵極)晶體管(如圖3所示)這樣先進(jìn)的新技術(shù)。

利用虛擬工藝建模贏得全球半導(dǎo)體技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)

圖3. 通過(guò)SEMulator3D展現(xiàn)的全包圍柵極晶體管

這樣的虛擬制造技術(shù)代表了半導(dǎo)體工藝開(kāi)發(fā)的未來(lái),能讓新的工藝提前數(shù)月問(wèn)世,并為領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司帶來(lái)高達(dá)數(shù)億美元的市場(chǎng)機(jī)會(huì)。

(免責(zé)聲明:本網(wǎng)站內(nèi)容主要來(lái)自原創(chuàng)、合作伙伴供稿和第三方自媒體作者投稿,凡在本網(wǎng)站出現(xiàn)的信息,均僅供參考。本網(wǎng)站將盡力確保所提供信息的準(zhǔn)確性及可靠性,但不保證有關(guān)資料的準(zhǔn)確性及可靠性,讀者在使用前請(qǐng)進(jìn)一步核實(shí),并對(duì)任何自主決定的行為負(fù)責(zé)。本網(wǎng)站對(duì)有關(guān)資料所引致的錯(cuò)誤、不確或遺漏,概不負(fù)任何法律責(zé)任。
任何單位或個(gè)人認(rèn)為本網(wǎng)站中的網(wǎng)頁(yè)或鏈接內(nèi)容可能涉嫌侵犯其知識(shí)產(chǎn)權(quán)或存在不實(shí)內(nèi)容時(shí),應(yīng)及時(shí)向本網(wǎng)站提出書面權(quán)利通知或不實(shí)情況說(shuō)明,并提供身份證明、權(quán)屬證明及詳細(xì)侵權(quán)或不實(shí)情況證明。本網(wǎng)站在收到上述法律文件后,將會(huì)依法盡快聯(lián)系相關(guān)文章源頭核實(shí),溝通刪除相關(guān)內(nèi)容或斷開(kāi)相關(guān)鏈接。 )