為邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片等應(yīng)用提供高性?xún)r(jià)比的刻蝕解決方案
中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中微公司”，上交所股票代碼：688012)在SEMICON China 2021期間正式發(fā)布了新一代電感耦合等離子體(ICP)刻蝕設(shè)備Primo Twin-Star®，用于IC器件前道和后道制程導(dǎo)電/電介質(zhì)膜的刻蝕應(yīng)用。
中微公司雙反應(yīng)臺(tái)電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備Primo Twin-Star®
基于中微公司業(yè)已成熟的單臺(tái)反應(yīng)器的電感耦合等離子體(ICP)刻蝕技術(shù)和雙臺(tái)反應(yīng)器的Primo平臺(tái)，Primo Twin-Star®為電介質(zhì)前道/后道制程、多晶硅刻蝕、DTI和BSI刻蝕等提供了高性?xún)r(jià)比的刻蝕解決方案。它的創(chuàng)新設(shè)計(jì)包括：Primo Twin-Star®使用了雙反應(yīng)臺(tái)腔體設(shè)計(jì)和低電容耦合3D線(xiàn)圈設(shè)計(jì)，創(chuàng)新的反應(yīng)腔設(shè)計(jì)可最大程度減弱非中心對(duì)稱(chēng)抽氣口效應(yīng)，通過(guò)采用多區(qū)溫控靜電吸盤(pán)(ESC)增強(qiáng)了對(duì)關(guān)鍵尺寸均勻性和重復(fù)性的控制。
憑借這些優(yōu)異的性能和其他特性，與其他同類(lèi)設(shè)備相比，Primo Twin-Star®以更小的占地面積、更低的生產(chǎn)成本和更高的輸出效率，進(jìn)行ICP適用的邏輯和存儲(chǔ)芯片的介質(zhì)和導(dǎo)體的各種刻蝕應(yīng)用，并用于功率器件和CMOS圖像傳感器(CIS)的刻蝕應(yīng)用。由于Primo Twin-Star®反應(yīng)器在很多方面采取了和單臺(tái)機(jī)Primo nanova®相同或相似的設(shè)計(jì)，在眾多的刻蝕應(yīng)用中，Primo Twin-Star®顯示了和單臺(tái)反應(yīng)器相同的刻蝕結(jié)果。這就給客戶(hù)提供了高質(zhì)量、高輸出和低成本的解決方案。
中微公司的Primo Twin-Star®刻蝕設(shè)備已收到來(lái)自國(guó)內(nèi)領(lǐng)先客戶(hù)的訂單。目前，首臺(tái)Primo Twin-Star®設(shè)備已交付客戶(hù)投入生產(chǎn)，良率穩(wěn)定。公司還在進(jìn)行用于不同刻蝕應(yīng)用的多項(xiàng)評(píng)估。Primo Twin-Star®設(shè)備優(yōu)化了中微公司電感耦合等離子體(ICP)刻蝕設(shè)備產(chǎn)品線(xiàn)。
“現(xiàn)在的制造商對(duì)于生產(chǎn)成本日益敏感，我們的目標(biāo)是為客戶(hù)提供技術(shù)創(chuàng)新、高生產(chǎn)率和高性?xún)r(jià)比的ICP刻蝕解決方案。”中微公司集團(tuán)副總裁兼等離子體刻蝕產(chǎn)品事業(yè)總部總經(jīng)理倪圖強(qiáng)博士說(shuō)道，“Primo Twin-Star®設(shè)備已在各類(lèi)前道/后道制程、用于功率器件和CIS應(yīng)用的深溝槽隔離刻蝕(DTI)中表現(xiàn)出卓越的性能。通過(guò)提供兼具這些優(yōu)異性能和高性?xún)r(jià)比的解決方案，我們不僅幫助客戶(hù)解決了技術(shù)難題，同時(shí)最大程度地提升了其投資效益。”
Primo Twin-Star®是中微公司的注冊(cè)商標(biāo)。
關(guān)于中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司
中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司(證券簡(jiǎn)稱(chēng)：中微公司，證券代碼：688012)致力于為全球集成電路和LED芯片制造商提供領(lǐng)先的加工設(shè)備和工藝技術(shù)解決方案。中微公司開(kāi)發(fā)的等離子體刻蝕設(shè)備和化學(xué)薄膜設(shè)備是制造各種微觀器件的關(guān)鍵設(shè)備，可加工微米級(jí)和納米級(jí)的各種器件。這些微觀器件是現(xiàn)代數(shù)碼產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，它們正在改變?nèi)祟?lèi)的生產(chǎn)方式和生活方式。中微公司的等離子體刻蝕設(shè)備已被廣泛應(yīng)用于國(guó)際一線(xiàn)客戶(hù)從65納米到5納米工藝的眾多刻蝕應(yīng)用，中微公司開(kāi)發(fā)的用于LED和功率器件外延片生產(chǎn)的MOCVD設(shè)備已在客戶(hù)生產(chǎn)線(xiàn)上投入量產(chǎn)，目前已在全球氮化鎵基LED MOCVD設(shè)備市場(chǎng)占據(jù)領(lǐng)先地位。
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