頻率競速10000MHz,朗科將研發(fā)超高頻DDR5電競內(nèi)存

Intel在CES 2021展會(huì)對第12代酷睿Alder Lake做了官方預(yù)熱,除了引入全新內(nèi)核微架構(gòu)和大小核設(shè)計(jì)外,最為重要的是支持下一代DDR5內(nèi)存。目前各大主板廠也已開始設(shè)計(jì)下一代Intel 600系列主板,經(jīng)歷過DDR4產(chǎn)品的200~400系列主板,廠商已深知對內(nèi)存投入研發(fā)可以間接提升主板品牌高度,因此全新的DDR5內(nèi)存也將成為主板廠商研發(fā)競速的因素。

頻率競速10000MHz,朗科將研發(fā)超高頻DDR5電競內(nèi)存

人類對速度的追求是永無止境的,在電競電腦領(lǐng)域里,影響電腦游戲性能指標(biāo)的配件有CPU/內(nèi)存/顯卡,而直接影響游戲性能的除了架構(gòu)設(shè)計(jì)之外最為重要的參數(shù)便是產(chǎn)品的工作頻率。CPU配件里Intel與AMD品牌產(chǎn)品,在近10年CPU的主頻發(fā)展緩慢,始終停留在4500~5300MHz左右;顯卡配件里NVIDIA和AMD的產(chǎn)品GPU頻率發(fā)展則更為緩慢,目前最高GPU核心頻率為2581MHz(RX 6700 XT);內(nèi)存則發(fā)展較為迅速,它經(jīng)歷了DDR3到DDR4轉(zhuǎn)變,工作頻率一路逼近并超越CPU主頻,目前DDR4內(nèi)存最高的工作頻率為5600MHz。

頻率競速10000MHz,朗科將研發(fā)超高頻DDR5電競內(nèi)存

雖然JEDEC制定了不同種類內(nèi)存的規(guī)范,但在電競市場中各內(nèi)存品牌廠商都會(huì)進(jìn)行研發(fā)推出更高性能的內(nèi)存產(chǎn)品,如DDR3內(nèi)存JEDEC規(guī)范中內(nèi)存頻率最高為1600MHz,但在DDR3后期有2800~3200MHz頻率的內(nèi)存產(chǎn)品;DDR4內(nèi)存JEDEC規(guī)范主流從2133~3200MHz,但當(dāng)下DDR4高性能內(nèi)存已發(fā)展到4800~5600MHz;DDR5作為下一代高性能內(nèi)存規(guī)格,JEDEC規(guī)范了DDR5內(nèi)存工作頻率范圍為3200~8400MHz,相比DDR4提高了1.6倍以上的工作頻率,朗科內(nèi)存產(chǎn)品總監(jiān)表示,在結(jié)合內(nèi)存性能的過往發(fā)展/研發(fā)路程以及對玩家速度的追求,將投入研發(fā)可達(dá)10000MHz以上的DDR5內(nèi)存產(chǎn)品。

頻率競速10000MHz,朗科將研發(fā)超高頻DDR5電競內(nèi)存

作為本土存儲品牌朗科早在2018年便進(jìn)入內(nèi)存行業(yè),并在近期推出新款電競/國產(chǎn)化內(nèi)存產(chǎn)品,目前朗科DDR5內(nèi)存也已進(jìn)入研發(fā)階段,首批DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒已抵達(dá)研發(fā)總部。

首批到的是Micron DDR5 ES顆粒,IC編號為Z9ZSB,根據(jù)Micron官網(wǎng)查詢?yōu)镋S樣品,顆粒容量為2Gx8,工作時(shí)序?yàn)?0-40-40。

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基于1znm工藝制造,尺寸為11x9mm,以下為顆粒高清圖賞。

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