眾所周知,內(nèi)存的性能與其頻率息息相關(guān),無論是廠商宣傳還是用戶實(shí)際使用階段,頻率都是大家所關(guān)注的重點(diǎn)?？蓪?shí)際上,影響內(nèi)存性能的不僅只有頻率,時(shí)序也是其中之一。不同時(shí)序之下,即使頻率相同,也可能會有不一樣的表現(xiàn)。
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本期,我們以神凝PRO為例,為大家講解時(shí)序?qū)?nèi)存性能的影響。
超低時(shí)序,突破性能桎梏
神凝PRO乃神凝系列基礎(chǔ)之上,再次尋求性能突破之杰作。其不僅采用高品質(zhì)原廠內(nèi)存顆粒與十層PCB堆疊設(shè)計(jì)打造,更經(jīng)云彣(UniWhen®)全新時(shí)序優(yōu)化方案匠心調(diào)教,使之同時(shí)實(shí)現(xiàn)6400 MT/s高頻與CL28(28-38-38-102)超低時(shí)序,為每一位游戲玩家?guī)砀悠椒€(wěn)順滑的高幀體驗(yàn)。
什么是內(nèi)存時(shí)序
內(nèi)存時(shí)序(Memory Timings)指的是內(nèi)存模塊完成不同操作所需的時(shí)間間隔,通常以時(shí)鐘周期為單位。內(nèi)存時(shí)序的表示形式通常為一組四個數(shù)字,如神凝PRO的CL28-38-38-102。這四個數(shù)字分別代表內(nèi)存在執(zhí)行不同操作時(shí)所需的延遲:
CL (CAS Latency): 第一位數(shù)字,表示內(nèi)存控制器發(fā)出讀取命令后,內(nèi)存芯片響應(yīng)并開始數(shù)據(jù)傳輸?shù)难舆t。這個數(shù)字越小,內(nèi)存的響應(yīng)速度越快
tRCD (RAS to CAS Delay): 第二位數(shù)字,表示從行地址選通(RAS)到列地址選通(CAS)之間的延遲。也就是從內(nèi)存芯片選中一行數(shù)據(jù)到選中列數(shù)據(jù)的時(shí)間。
tRP (RAS Precharge Time): 第三位數(shù)字,表示關(guān)閉當(dāng)前內(nèi)存行并為下一行數(shù)據(jù)做準(zhǔn)備的延遲。
tRAS (Active to Precharge Delay): 第四位數(shù)字,表示內(nèi)存行處于激活狀態(tài)的最小時(shí)間,在這段時(shí)間內(nèi)不能對該行進(jìn)行預(yù)充電。
內(nèi)存時(shí)序的影響
內(nèi)存時(shí)序直接影響到數(shù)據(jù)訪問的速度。如果內(nèi)存的時(shí)序較高(即數(shù)值較大),則每次數(shù)據(jù)讀取或?qū)懭氲臅r(shí)間會更長,系統(tǒng)的響應(yīng)時(shí)間和數(shù)據(jù)傳輸速度會受到影響。而低時(shí)序內(nèi)存(數(shù)值較小)則能更快地響應(yīng)命令,從而提升系統(tǒng)的整體性能。對于需要頻繁訪問內(nèi)存的游戲及其它應(yīng)用而言,低時(shí)序尤為重要。
在AIDA64內(nèi)存基準(zhǔn)測試中,神凝PRO對比同頻CL38(38-48-48-100)時(shí)序內(nèi)存性能提升明顯,讀取、寫入、拷貝等子項(xiàng)成績均有增幅。而延遲成績則更為亮眼,降幅達(dá)到8.78%。
左:神凝PRO 6400 CL28,右:6400 CL38
對內(nèi)存較為敏感的《絕地求生》游戲測試中,神凝PRO依舊延續(xù)強(qiáng)勢表現(xiàn),在其助力下平均幀率提高12 FPS,1% LOW幀也有9 FPS提升。
神凝PRO 6400 CL28
6400 CL38
匠心凝聚品質(zhì),創(chuàng)新展望未來
綜上所述,在內(nèi)存選購時(shí),不能一味追求頻率方面的提升,時(shí)序的重要性也不容忽視。而神凝PRO新品,不僅是內(nèi)存性能的又一突破,更是云彣(UniWhen)堅(jiān)持以用戶需求為導(dǎo)向,不斷精益求精的態(tài)度表達(dá)。未來,云彣(UniWhen)仍將繼續(xù)秉承這一核心理念,持續(xù)深耕存儲市場,為用戶帶來更為卓越的產(chǎn)品體驗(yàn),敬請期待。
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