6月12日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，相關(guān)行業(yè)機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)，存儲(chǔ)芯片廠商明年在設(shè)備方面的支出將達(dá)到300億美元。
預(yù)計(jì)存儲(chǔ)芯片廠商明年在設(shè)備方面的支出將達(dá)到300億美元的，是國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）。
國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)預(yù)計(jì)存儲(chǔ)芯片廠商明年在設(shè)備方面支出300億美元，也就意味著在他們預(yù)計(jì)的全球半導(dǎo)體廠商明年在晶圓設(shè)備677億美元的支出中，超過(guò)4成是來(lái)自存儲(chǔ)芯片廠商。
從國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)預(yù)計(jì)的支出來(lái)看，存儲(chǔ)芯片廠商明年在設(shè)備方面的花費(fèi)，在芯片領(lǐng)域的廠商中是最多的。
國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)預(yù)計(jì)邏輯和芯片代工商明年在設(shè)備方面支出290億美元，僅次于存儲(chǔ)芯片廠商。
在存儲(chǔ)芯片方面，國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)還預(yù)計(jì)3D NAND閃存和DRAM存儲(chǔ)在設(shè)備方面的支出，今明兩年會(huì)有不同的變化。3D NAND閃存今年的支出預(yù)計(jì)增長(zhǎng)30%，明年增長(zhǎng)17%。DRAM存儲(chǔ)廠商今年在設(shè)備方面的支出預(yù)計(jì)下滑11，2021年則會(huì)增長(zhǎng)50%。
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