8月26日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，臺(tái)積電2020年度全球技術(shù)論壇和開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)生態(tài)系統(tǒng)論壇24日開(kāi)始在線舉行，臺(tái)積電在論壇上披露了多項(xiàng)芯片制程工藝方面的信息，5nm、4nm和3nm工藝均有提及。
臺(tái)積電在官網(wǎng)披露的全球技術(shù)論壇重點(diǎn)信息顯示，業(yè)界領(lǐng)先的5nm工藝在今年已大規(guī)模投產(chǎn)，隨著產(chǎn)能持續(xù)提升，芯片缺陷密度的降低速度也要快于上一代工藝。
官網(wǎng)的信息顯示，臺(tái)積電的5nm工藝，可使芯片的性能提升15%，能耗降低30%，晶體管的密度提升80%。臺(tái)積電也在加速推進(jìn)第二代5nm工藝在2021年量產(chǎn)，同第一代的5nm工藝相比，第二代5nm工藝可使芯片的速度提升5%，能效提升10%。
臺(tái)積電在官網(wǎng)披露，他們還將推出4nm工藝，芯片的性能、能效和晶體管密度會(huì)有進(jìn)一步的提升，滿足更多產(chǎn)品的需求。4nm工藝將在2021年四季度開(kāi)始風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2022年大規(guī)模量產(chǎn)。
5nm之后下一個(gè)完整的工藝節(jié)點(diǎn)是3nm，臺(tái)積電也在研發(fā)。同第一代的5nm工藝相比，3nm工藝將使芯片的性能提升15%，能耗降低30%，晶體管的密度提升70%。
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