臺(tái)積電三星3nm研發(fā)遭遇挑戰(zhàn) 但外媒稱(chēng)仍有足夠時(shí)間在2022年開(kāi)始量產(chǎn)

1月5日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,在此前的報(bào)道中,英文媒體援引產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息報(bào)道稱(chēng),臺(tái)積電和三星的3nm工藝研發(fā)均遭遇關(guān)鍵瓶頸,研發(fā)進(jìn)度也不得不推遲。

臺(tái)積電和三星的3nm工藝研發(fā)遭遇挑戰(zhàn),是否會(huì)影響到最終的量產(chǎn)時(shí)間也備受關(guān)注,但外媒在報(bào)道中表示,目前仍有足夠的時(shí)間在2022年開(kāi)始量產(chǎn)。

3nm是5nm之后芯片制程工藝上的一個(gè)完整的技術(shù)跨越,芯片的晶體管密度、速度和能耗,較5nm都將會(huì)有明顯的提升。

在3nm工藝上,臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商走的是不同的路線,臺(tái)積電仍將采用成熟的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)(FinFET),外媒稱(chēng)三星將采用環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)(GAA)。

臺(tái)積電CEO魏哲家,在此前的財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上曾多地談到3nm工藝,他表示3nm工藝計(jì)劃2021年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),他們的目標(biāo)是在2022年下半年大規(guī)模量產(chǎn)。這也就意味著目前距離量產(chǎn)還有一年半的時(shí)間,他們也需要盡快攻克所遇到的關(guān)鍵瓶頸,以便在今年完成風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),進(jìn)而在明年下半年大規(guī)模投產(chǎn)。

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2021-01-05
臺(tái)積電三星3nm研發(fā)遭遇挑戰(zhàn) 但外媒稱(chēng)仍有足夠時(shí)間在2022年開(kāi)始量產(chǎn)
在此前的報(bào)道中,英文媒體援引產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息報(bào)道稱(chēng),臺(tái)積電和三星的3nm工藝研發(fā)均遭遇關(guān)鍵瓶頸,但外媒認(rèn)為仍有足夠的時(shí)間在2022年開(kāi)始量產(chǎn)。

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