1月5日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在此前的報(bào)道中，英文媒體援引產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息報(bào)道稱，臺(tái)積電和三星的3nm工藝研發(fā)均遭遇關(guān)鍵瓶頸，研發(fā)進(jìn)度也不得不推遲。
臺(tái)積電和三星的3nm工藝研發(fā)遭遇挑戰(zhàn)，是否會(huì)影響到最終的量產(chǎn)時(shí)間也備受關(guān)注，但外媒在報(bào)道中表示，目前仍有足夠的時(shí)間在2022年開(kāi)始量產(chǎn)。
3nm是5nm之后芯片制程工藝上的一個(gè)完整的技術(shù)跨越，芯片的晶體管密度、速度和能耗，較5nm都將會(huì)有明顯的提升。
在3nm工藝上，臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商走的是不同的路線，臺(tái)積電仍將采用成熟的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)（FinFET），外媒稱三星將采用環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)（GAA）。
臺(tái)積電CEO魏哲家，在此前的財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上曾多地談到3nm工藝，他表示3nm工藝計(jì)劃2021年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，他們的目標(biāo)是在2022年下半年大規(guī)模量產(chǎn)。這也就意味著目前距離量產(chǎn)還有一年半的時(shí)間，他們也需要盡快攻克所遇到的關(guān)鍵瓶頸，以便在今年完成風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，進(jìn)而在明年下半年大規(guī)模投產(chǎn)。
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