兆易創(chuàng)新靠長鑫DRAM拓展市場 代價呢？

2021年4月25日，近日兆易創(chuàng)新發(fā)布了2020年年度報告。報告中可以看出兆易創(chuàng)新的主營業(yè)務(wù)毛利率在降低、在境外地區(qū)的主營業(yè)務(wù)毛利率也在降低。

而兆易創(chuàng)新則表示毛利率下降主要是受DRAM產(chǎn)品業(yè)務(wù)毛利率低的影響。

兆易創(chuàng)新宣稱自有品牌DRAM產(chǎn)品預(yù)計2021年上半年推出，主要面向消費類、工業(yè)控制類及車規(guī)等利基市場。那么兆易創(chuàng)新能否靠此次推出的 DRAM 產(chǎn)品改變毛利率下降的局面呢？

筆者認(rèn)為不行：

在存儲芯片領(lǐng)域，兆易創(chuàng)新如果依靠NOR Flash提升毛利率效果有限，而目前NAND Flash難以與大廠抗衡，只能把希望放在DRAM產(chǎn)品上。

在DRAM產(chǎn)品方面， 兆易創(chuàng)新 目前是一個“代理商”的角色，出售的是合肥長鑫的DRAM。在芯片行業(yè)當(dāng)“代理商”毛利率低。

根據(jù)公告可以推測，今年兆易創(chuàng)新沒打算制造自己設(shè)計的DRAM芯片。

如果今年不能推出自己設(shè)計的DRAM芯片， “貼牌”或者“買芯片做模組”毛利率也不是很高，整體毛利率很難提升。

世界第三的NOR Flash廠商 兆易創(chuàng)新

2020年第一季度，旺宏、華邦、兆易創(chuàng)新在NOR Flash全球市場占有率排名前三，市場份額分別為26.2%、24.5%、18.8%。

兆易創(chuàng)新的現(xiàn)有業(yè)務(wù)布局分為存儲（Flash、DRAM）、MCU和傳感器，其中存儲芯片營收占比最高。而NOR Flash就屬于一種存儲芯片。

數(shù)據(jù)來自網(wǎng)絡(luò)

NOR Flash的優(yōu)勢：應(yīng)用范圍非常廣，比如汽車電子、IoT、人工智能、路由器、機頂盒、手機、PC、VR、5G等。

NOR Flash的劣勢：單價低，一個一般也就幾塊錢。而且一般情況下，一個設(shè)備也就用一塊NOR Flash。在使用數(shù)量少和單價低的共同影響下，NOR Flash的市場價值比起NAND之類的存儲芯片明顯小很多，屬于存儲芯片行業(yè)的小眾市場。

一款兆易創(chuàng)新 8Mb NOR Flash單價3.07元

以業(yè)界主流使用的8MB NOR Flash為例，售價僅為3元左右。對于很多數(shù)碼設(shè)備來說這樣的價格占總成本中的比重并不高。也因此NOR Flash看似參與到了很多行業(yè)中，但在存儲器市場中的占比遠(yuǎn)低于DRAM和NAND Flash。

因此如果想靠NOR Flash拉升毛利率，作用十分有限。

難以抗衡大廠的NAND Flash業(yè)務(wù)

兆易創(chuàng)新的 NAND Flash產(chǎn)品主要為SLC NAND，在NAND Flash產(chǎn)品方面，目前SLC NAND主流工藝節(jié)點在19nm-38nm，兆易創(chuàng)新的成熟工藝節(jié)點為38nm，同時24nm工藝節(jié)點的產(chǎn)品也已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)。目前正在量產(chǎn)的產(chǎn)品容量從1Gb至8Gb覆蓋主流容量范圍。

美光SLC NAND

但是，單顆NAND如果容量只在8Gb的話，對于大容量存儲還是不太夠的。以美光（Micron）的SLC NAND為例，美光提供的SLC NAND容量從1Gb至256Gb，這顯然是大于兆易創(chuàng)新的1Gb至8Gb。

除了大容量存儲，其實還是有一些小容量存儲使用NAND的場景，在這些場景下兆易創(chuàng)新的NAND還是可以發(fā)揮優(yōu)勢的。但總體來說NAND市場還是屬于像美光、海力士、三星這樣大廠的天下。

自研DRAM 2021年未必會出現(xiàn)

兆易創(chuàng)新目前在DRAM業(yè)務(wù)方面是一個“代理商”。兆易創(chuàng)新目前銷售的DRAM是合肥長鑫的，兆易創(chuàng)新從2020年開始銷售合肥長鑫DRAM產(chǎn)品。

早在2020年3月兆易創(chuàng)新就與長鑫存儲及其各自子公司簽署《框架采購協(xié)議》、《代工服務(wù)協(xié)議》及《產(chǎn)品聯(lián)合開發(fā)平臺合作協(xié)議》日常交易框架協(xié)議。

《框架采購協(xié)議》就是指兆易創(chuàng)新向合肥長鑫DRAM采購DRAM產(chǎn)品。而《代工服務(wù)協(xié)議》則是指合肥長鑫向兆易創(chuàng)新提供代工服務(wù)。

兆易創(chuàng)新是一個無廠模式（Fabless）運營的芯片公司，無廠模式簡單來說就是只管芯片設(shè)計，不管芯片制造的公司。因此兆易創(chuàng)新想要生產(chǎn)任何芯片都需要找晶圓廠代工。

而此次簽署的《代工服務(wù)協(xié)議》就是為了以后自研DRAM設(shè)計完成之后找合肥長鑫進行代工生產(chǎn)。而在之后的補充協(xié)議中又將這三大協(xié)議的有效期延展到了2030年，可以據(jù)此推測至少近幾年內(nèi)兆易創(chuàng)新如果想制造DRAM都會找長鑫代工了。

那么為什么說兆易創(chuàng)新自研的DRAM 2021年未必會出現(xiàn)呢？

出自兆易創(chuàng)新2020年3月的公告

公告中顯示，在2020年預(yù)計接受代工服務(wù)涉及的金額為0，也就是說2020年兆易創(chuàng)新并不打算讓合肥長鑫代工生產(chǎn)芯片。在后續(xù)的投資者關(guān)系活動中的回答的內(nèi)容也證明了這點。

在2020年3月的投資者關(guān)系活動記錄表中我們可以找到原因。在其中一條回答中稱“因為公司的DRAM產(chǎn)品還沒有研發(fā)出來，所以代工業(yè)務(wù)2020年暫時無金額。”

在2021年2月，兆易創(chuàng)新發(fā)布了《關(guān)于擬簽署框架采購協(xié)議及預(yù)計2021年度日常關(guān)聯(lián)交易額度的公告》。

出自兆易創(chuàng)新2021年2月的公告

這個公告主要就是為了公示與長鑫日常關(guān)聯(lián)交易的預(yù)計金額，可能有些人也注意到了，此次公示中原來的“三大協(xié)議”少了一個，而且少的就是之前金額為0的《代工服務(wù)協(xié)議》。

為什么會少一個《代工服務(wù)協(xié)議》的預(yù)算呢？如果說2021年這個協(xié)議的預(yù)算也為0，那么沒有這方面的預(yù)算確實可以理解。如果有這方面的預(yù)算，但是不公示，這種可能性就比較小了。

那么如果《代工服務(wù)協(xié)議》今年的預(yù)算真為0，那么意味著什么呢？

兆易創(chuàng)新今年沒打算讓長鑫“代工”生產(chǎn)DRAM芯片。

這不免讓疑惑，難道今年兆易創(chuàng)新自研的DRAM不生產(chǎn)了嗎？而且上年實際從長鑫采購的DRAM產(chǎn)品金額為0.54億美元，今年就直接預(yù)計3億美元。兆易創(chuàng)新給出的理由為“市場需求旺盛，市場開拓空間進一步提升，公司備貨水平相應(yīng)提高”。不過今年如果能如期推出自己的DRAM產(chǎn)品，為什么還要去找長鑫加大備貨量呢？賣自己的產(chǎn)品，毛利率還能高一點，不香嗎？因此兆易創(chuàng)新自研DRAM 2021年未必會出現(xiàn)。

不過有些細(xì)心的人可能會發(fā)現(xiàn)，兆易創(chuàng)新基本沒怎么提過“自研”的事。兆易創(chuàng)新無論是在年報上還是在投資者關(guān)系活動上，所用的表述都是“自有品牌”。“預(yù)計將于2021年上半年推出第一顆自有品牌的DRAM產(chǎn)品”。

“自有品牌”范圍可就大了，除了“自研”以外，還可以買長鑫的芯片自己做模組，或者買長鑫的產(chǎn)品“貼牌”出售。

如果是買長鑫的芯片自己做模組，買芯片的交易額走的是“采購Dram產(chǎn)品”（就預(yù)算大幅上漲的那個），而且做出來的模組確實可以算“自有品牌的DRAM產(chǎn)品”。

能破局嗎？

一般來說在芯片行業(yè)，代售其它廠家的芯片毛利率始終是不會高的。就像現(xiàn)在兆易創(chuàng)新代售長鑫的DRAM。而提高毛利率的最簡單途徑，就是自研。如果說2021年上半年推出的DRAM產(chǎn)品是自研的，比如兆易創(chuàng)新設(shè)計，長鑫制造。那么毛利率肯定會提升。但如果只是貼牌或者做模組的話，那毛利率可能就會表現(xiàn)得比較一般了。

補充資料：存儲芯片

作為補充說明，我們來聊聊存儲芯片是如何存儲數(shù)據(jù)的。在遠(yuǎn)古時期，人們可以通過結(jié)繩記事的方式記錄信息。而在現(xiàn)代，晶體管出現(xiàn)了，人們可以把大量數(shù)據(jù)存在芯片里了。

我們來假設(shè)一下，在結(jié)繩記事的時代，如果繩子的一個地方打一個結(jié)，就代表早上吃過飯了。如果這個地方?jīng)]有結(jié)，那么就說明早上沒吃飯。那么“早上吃沒吃過飯”這個信息就通過簡單的一個結(jié)記錄了下來。

而到了現(xiàn)代，數(shù)據(jù)的基礎(chǔ)很多是用“0”和“1”來構(gòu)成的。那么如何記錄下0和1呢？這時候我們肯定不能在芯片里像結(jié)繩記事那樣打結(jié)，但有類似的方式記錄，比如電壓。電壓高時可以記做1，電壓低時可以記做0。

而對應(yīng)芯片的存儲單元也會被設(shè)計成能夠存儲高電壓或者低電壓信息的結(jié)構(gòu)，就像結(jié)繩記事里的結(jié)。

一種存儲單元

在如圖所示的結(jié)構(gòu)中，如果我們把電荷放在存儲單元的存儲電容器中，這就可以使晶體管導(dǎo)電，電荷傳至位線，使電壓上升。這時就是高電壓狀態(tài)，表示數(shù)據(jù)為“1”。

注：除了電壓以外還可以通過：磁、電阻等介質(zhì)來存儲信息。

而根據(jù)存儲的具體方式不同，存儲芯片又能分成很多種類。NOR Flash、NAND Flash和DRAM是三種不同的存儲芯片，其中NOR Flash、NAND Flash屬于非易失性存儲芯片，DRAM屬于易失性存儲芯片。

簡單來說兩者的區(qū)別在于斷電之后能否保存數(shù)據(jù)。易失性存儲斷電之后不能保存數(shù)據(jù)，里面的數(shù)據(jù)只能臨時存放。以電腦上的內(nèi)存條為例，內(nèi)存條上的存儲顆粒就屬于DRAM。

DDR4內(nèi)存條 截取自金士頓官網(wǎng)

而非易失性存儲的特點就是斷電之后依舊能保存數(shù)據(jù)，里面的數(shù)據(jù)可以長期存儲。以電腦上的固態(tài)硬盤為例，固態(tài)硬盤上的存儲顆粒大多為NAND Flash。

UV500 SATA 固態(tài)硬盤（mSATA）截取自金士頓官網(wǎng)

NAND Flash可以再細(xì)分成SLC（Single-Level Cell）、MLC（Multi-Level Cell）、TLC（Trinary-Level Cell）、QLC（Quad-Level Cell）等。就像我們平時說買一塊TLC的固態(tài)，TLC指的就是固態(tài)硬盤所用的NAND Flash類型為TLC。

另一種非易失性存儲是 NOR Flash ，NOR Flash一次讀寫一個字或字節(jié)的數(shù)據(jù)，因此能夠?qū)Ω鞯刂穲?zhí)行隨機存取。而NAND Flash芯片的尺寸比NOR Flash小，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的存儲密度，使存儲容量更大，且制造成本更低。因此NAND Flash已成為大容量存儲設(shè)備的主流選擇，除了前文提到的固態(tài)硬盤，還有U盤、SD卡等。而NOR Flash則一般用于存儲一些小數(shù)據(jù)，比如配置信息。電腦主板中的BIOS信息就會存儲在NOR Flash中。

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