11月13日消息，近日，中國(guó)最大閃存芯片制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)向美國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭美光及其子公司提起專利侵權(quán)訴訟，要求法院禁止美光繼續(xù)使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的多項(xiàng) 3D NAND 技術(shù)專利，并賠償損失和訴訟費(fèi)用。
快科技報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)稱，美光的多款固態(tài)硬盤產(chǎn)品涉嫌侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的 8 項(xiàng)專利，這些專利涉及到 3D NAND 存儲(chǔ)器的形成方法、控制方法、直通陣列接觸 (TAC)、讀取方法和多層堆疊方法等方面。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)還在起訴書中表示，若法院未能就美光侵犯專利下達(dá)產(chǎn)品永久禁令，則應(yīng)制定相關(guān)方案，如美光向長(zhǎng)江存儲(chǔ)支付專利授權(quán)費(fèi)等。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立于2016年7月，總部位于湖北武漢，主攻設(shè)計(jì)、制造 3D NAND 閃存芯片。長(zhǎng)江存儲(chǔ)采用了自研的 Xtacking（晶棧）架構(gòu)，其在技術(shù)上已經(jīng)追上國(guó)外巨頭。
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