11月13日消息，近日，中國最大閃存芯片制造商長江存儲向美國存儲芯片巨頭美光及其子公司提起專利侵權(quán)訴訟，要求法院禁止美光繼續(xù)使用長江存儲的多項 3D NAND 技術(shù)專利，并賠償損失和訴訟費用。
快科技報道，長江存儲稱，美光的多款固態(tài)硬盤產(chǎn)品涉嫌侵犯了長江存儲的 8 項專利，這些專利涉及到 3D NAND 存儲器的形成方法、控制方法、直通陣列接觸 (TAC)、讀取方法和多層堆疊方法等方面。
長江存儲還在起訴書中表示，若法院未能就美光侵犯專利下達產(chǎn)品永久禁令，則應(yīng)制定相關(guān)方案，如美光向長江存儲支付專利授權(quán)費等。
長江存儲成立于2016年7月，總部位于湖北武漢，主攻設(shè)計、制造 3D NAND 閃存芯片。長江存儲采用了自研的 Xtacking（晶棧）架構(gòu)，其在技術(shù)上已經(jīng)追上國外巨頭。
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