第二代EUV光刻機曝光，手機芯片工藝升級至1納米？

原標題：第二代EUV光刻機曝光，手機芯片工藝升級至1納米？

近日，有韓媒報道稱，全球最著名的光刻機公司ASML公司正積極投資研發(fā)下一代EUV光刻機，這標志著，半導體制造工藝又或要升級一個新臺階，CPU芯片、手機芯片等不久后又要升級換代了？

據悉，與現有的光刻機相比，第二代EUV光刻機最大的變化就是High NA（高數值孔徑）透鏡，而通過提升透鏡規(guī)格使得新一代光刻機的微縮分辨率、套準精度兩大光刻機核心指標提升70%，達到業(yè)界對幾何式芯片微縮的要求。

而據之前ASML公司公布消息顯示，ASML新一代EUV光刻機的量產時間是2024年，盡管最新的報道稱下一代EUV光刻機2025年量產，但相比現在的EUV光刻機僅能量產7nm產品的情況下，已經是劃時代的進步了。消息顯示，在第二代EUV光刻機真正出現時，臺積電、三星已經量產3nm工藝，甚至開始進軍2nm、1nm產品階段了。

目前，全球最先進的光刻機就是荷蘭ASML公司生產的EUV光刻機，每臺售價超過1億美元，而且供不應求。據悉，2016年，ASML公司斥資20億美元收購德國蔡司公司25%的股份，并投資數億美元合作研發(fā)新一代透鏡，而ASM公司L這么大手筆投資光學鏡頭公司就是為了研發(fā)新一代EUV光刻機。

2018年10月，ASML公司又與IMEC比利時微電子中心合作研發(fā)新一代EUV光刻機，目標是將NA從0.33提升到0.5以上，而從光刻機的分辨率公式——光刻機分辨率=k1*λ/NA中可以看出，NA數字越大，光刻機分辨率越高，所以提高NA數值孔徑是下一代EUV光刻機的關鍵。

我們知道，在半導體制造過程中，最復雜也是最難的步驟就是光刻，成本能占到整個生產過程的1/3，因此，光刻機成為最重要的半導體制造裝備。2019年，臺積電、三星開始量產7nm EUV工藝產品。而到2020年，5nm開始量產，EUV光刻機或許又面臨一次升級。

除此之外，中國內地最大的芯片代工企業(yè)中芯國際在2018年就成功預定了一臺ASML的7nm EUV（極紫外）光刻機。當時，ASML負責人在公司財報會上透露稱，2019年要出貨30臺EUV設備，這對于正在積極發(fā)展芯片產業(yè)的中國市場來說是個很好的消息。但截至目前，并沒有那么多數量的EUV光刻機賣給中國公司。

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