突破核心技術(shù)直面全球競(jìng)爭(zhēng) 第七屆中國(guó)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽國(guó)際第三代半導(dǎo)體專業(yè)賽收官

在競(jìng)爭(zhēng)激烈的第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,中國(guó)企業(yè)如何通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新,直接參與全球競(jìng)爭(zhēng)?

2018年12月21日-22日,由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(以下簡(jiǎn)稱“聯(lián)盟”)牽頭主辦的第七屆中國(guó)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽國(guó)際第三代半導(dǎo)體專業(yè)賽(以下簡(jiǎn)稱“大賽”)在北京市順義區(qū)完美收官。33個(gè)全球總決賽入圍項(xiàng)目經(jīng)過(guò)激烈角逐,最終6個(gè)項(xiàng)目分獲企業(yè)組、團(tuán)隊(duì)組一、二、三等獎(jiǎng)。

全球總決賽頒獎(jiǎng)典禮重要嘉賓

本屆大賽自2018年6月8日啟動(dòng)以來(lái),歷時(shí)6個(gè)多月,設(shè)置京津冀、南部、東南、東部、國(guó)際5大分賽區(qū),吸引來(lái)自德國(guó)、荷蘭、瑞士、英國(guó)、日本等10余國(guó)家,以及北京、上海、廣州、深圳等國(guó)內(nèi)50余城市560余個(gè)行業(yè)創(chuàng)新項(xiàng)目。

來(lái)自蘇州得“鍇威特半導(dǎo)體有限公司”在本屆大賽全球總決賽中獲得企業(yè)組第一名。這是一家對(duì)標(biāo)英飛凌IR工業(yè)級(jí)產(chǎn)品、以SiC功率MODFET器件為核心的研發(fā)與設(shè)計(jì)應(yīng)用的自主創(chuàng)新企業(yè),是國(guó)內(nèi)率先推出量產(chǎn)級(jí)1200V SiC MOSFET的單位。數(shù)據(jù)顯示,該公司已申請(qǐng)專利43件,授權(quán)發(fā)明專利3件,實(shí)用新型專利14件,布圖保護(hù)10件;擁有品牌客戶100多家,其中上市企業(yè)10多家。

據(jù)了解,緊隨‘中國(guó)制造2025’的發(fā)展趨勢(shì),新能源汽車和智能電網(wǎng)為高壓SiC功率器件的市場(chǎng)化帶來(lái)無(wú)限潛力。SiC功率器件2023年預(yù)計(jì)市場(chǎng)總量可達(dá)140億美金,新能源汽車、充電樁及太陽(yáng)能應(yīng)用會(huì)迎來(lái)爆發(fā)期。

公司研發(fā)副總裁譚在超表示,鍇威特以‘西電鍇威特研究生實(shí)訓(xùn)與研發(fā)中心’為依托,以臺(tái)灣漢磊為生產(chǎn)代工平臺(tái),與西安電子科技大學(xué)共同致力于SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)品尤其是SiC MOSFET的技術(shù)研發(fā)攻關(guān),以實(shí)現(xiàn)SiC MOSFET的國(guó)產(chǎn)化品牌以及產(chǎn)業(yè)化為目標(biāo)而努力。

譚在超同時(shí)也強(qiáng)調(diào):“無(wú)論是原材料、芯片還是應(yīng)用端,SiC技術(shù)的市場(chǎng)化進(jìn)程仍然面臨著巨大挑戰(zhàn),SiC領(lǐng)域需要所有從業(yè)者的不懈努力、持續(xù)改進(jìn),讓SiC科技的進(jìn)步改變?nèi)祟惿睢?rdquo;

蘇州鍇威特半導(dǎo)體有限公司研發(fā)副總裁譚在超

而獲得全球總決賽團(tuán)隊(duì)組第一名的“檸檬光子”,其核心團(tuán)隊(duì)在創(chuàng)業(yè)公司中堪稱“豪華”——六位核心團(tuán)隊(duì)成員均擁有國(guó)際一線半導(dǎo)體激光公司十多年以上工作經(jīng)驗(yàn),其中四位擁有美國(guó)名校博士學(xué)位。

“我們不滿足于只做進(jìn)口替代的中國(guó)制造,我們有絕對(duì)的技術(shù)實(shí)力做‘中國(guó)創(chuàng)造’,直接參與國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)!”團(tuán)隊(duì)創(chuàng)始人肖巖表示,目前我國(guó)半導(dǎo)體激光芯片產(chǎn)業(yè)薄弱,以往團(tuán)隊(duì)主要在科研院所,產(chǎn)業(yè)化程度相對(duì)較低,近年來(lái)涌現(xiàn)出為數(shù)不多的海歸團(tuán)隊(duì),研發(fā)高端半導(dǎo)體激光芯片,我們就是其中之一。

目前,團(tuán)隊(duì)已經(jīng)掌握了各種半導(dǎo)體激光芯片及組件的前沿技術(shù),包括端面發(fā)射芯片(EEL) 的設(shè)計(jì)和流片工藝,垂直腔面發(fā)射芯片(VCSEL) 的設(shè)計(jì)和流片工藝,水平腔面發(fā)射芯片(HCSEL) 的設(shè)計(jì)和流片工藝(公司專有技術(shù)),高級(jí)半導(dǎo)體激光芯片封裝技術(shù),直接半導(dǎo)體激光器光束整形、光纖耦合及整機(jī)技術(shù)。

肖巖自信的表示:“我們要以當(dāng)代產(chǎn)品的進(jìn)口替代打破國(guó)際壟斷,以下一代領(lǐng)先的芯片技術(shù)樹立民族品牌。”

檸檬光子團(tuán)隊(duì)創(chuàng)始人肖巖

“‘突破核心技術(shù),掌握國(guó)之重器’,不僅僅第三代半導(dǎo)體專業(yè)賽的參賽口號(hào),更是所有參賽項(xiàng)目的理念初衷。”大賽組委會(huì)相關(guān)負(fù)責(zé)人表示,目前全球各國(guó)均在加大馬力布局第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,據(jù)不完全統(tǒng)計(jì),2017年,美國(guó)、德國(guó)、英國(guó)、歐盟等國(guó)家和組織啟動(dòng)了至少12個(gè)研發(fā)計(jì)劃和項(xiàng)目。

本屆大賽,涌現(xiàn)和發(fā)掘了出一大批諸如鍇威特、檸檬光子這樣的企業(yè)和團(tuán)隊(duì),包括企業(yè)組獲獎(jiǎng)項(xiàng)目:子詢人工智能、光子芯片、常州鐳斯?fàn)?、芯冠科技、雪湖科技、意發(fā)功率、國(guó)揚(yáng)電子、苗米科技、光晶致潔、萊澤光電、致晶科技、鰭源科技、星閃世圖、聯(lián)士光電、菲達(dá)旭、中科華盈、唯思科技;團(tuán)隊(duì)組獲獎(jiǎng)項(xiàng)目:中科院半導(dǎo)體所濾波器團(tuán)隊(duì)、瑞士的AlpsenTek團(tuán)隊(duì)、中科視語(yǔ)、深圳柔電技術(shù)、南京眾科匯、廣州半導(dǎo)體研究院GaN芯片、荷蘭的TU-power團(tuán)隊(duì)、祝曉釗團(tuán)隊(duì)、探維科技、德國(guó)的像工場(chǎng)科技、中國(guó)光芯、鐘催林毫米波雷達(dá)、蘇州海致(微納增材)、光創(chuàng)科技等。

“這意味著中國(guó)在該領(lǐng)域已擁有良好的基礎(chǔ)。”該負(fù)責(zé)人表示,值得一提的是,這些團(tuán)隊(duì)不僅擁有核心技術(shù)、專業(yè)能力,更有著對(duì)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的清醒認(rèn)知,幾乎所有國(guó)內(nèi)參賽企業(yè)和團(tuán)隊(duì),都把打破國(guó)外壟斷、參與國(guó)際競(jìng)爭(zhēng),當(dāng)作自身的目標(biāo)和遠(yuǎn)景。

生成海報(bào)

免責(zé)聲明：本網(wǎng)站內(nèi)容主要來(lái)自原創(chuàng)、合作伙伴供稿和第三方自媒體作者投稿，凡在本網(wǎng)站出現(xiàn)的信息，均僅供參考。本網(wǎng)站將盡力確保所提供信息的準(zhǔn)確性及可靠性，但不保證有關(guān)資料的準(zhǔn)確性及可靠性，讀者在使用前請(qǐng)進(jìn)一步核實(shí)，并對(duì)任何自主決定的行為負(fù)責(zé)。本網(wǎng)站對(duì)有關(guān)資料所引致的錯(cuò)誤、不確或遺漏，概不負(fù)任何法律責(zé)任。任何單位或個(gè)人認(rèn)為本網(wǎng)站中的網(wǎng)頁(yè)或鏈接內(nèi)容可能涉嫌侵犯其知識(shí)產(chǎn)權(quán)或存在不實(shí)內(nèi)容時(shí)，應(yīng)及時(shí)向本網(wǎng)站提出書面權(quán)利通知或不實(shí)情況說(shuō)明，并提供身份證明、權(quán)屬證明及詳細(xì)侵權(quán)或不實(shí)情況證明。本網(wǎng)站在收到上述法律文件后，將會(huì)依法盡快聯(lián)系相關(guān)文章源頭核實(shí)，溝通刪除相關(guān)內(nèi)容或斷開相關(guān)鏈接。