固態(tài)硬盤(pán)為什么會(huì)“掉速”?

固態(tài)硬盤(pán)掉速是電腦玩家們經(jīng)常討論的話(huà)題,似乎沒(méi)有一種完全不掉速的型號(hào),這是怎么回事呢?

由SLC緩存直接引發(fā)的掉速

雖然閃存已經(jīng)發(fā)展到3D制程,但本質(zhì)上它依然是TLC類(lèi)型,需要依靠SLC緩存來(lái)提升寫(xiě)入速度。

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一旦SLC緩存短時(shí)間內(nèi)大量寫(xiě)入用完,來(lái)不及恢復(fù),寫(xiě)入速度就會(huì)有所下降。這是當(dāng)代固態(tài)硬盤(pán)都繞不開(kāi)的彎。好消息是家用電腦的系統(tǒng)盤(pán)除了首次安裝系統(tǒng)和軟件,其他時(shí)候大量、不間斷寫(xiě)入的機(jī)會(huì)比較少。所以盡管這種情況一定存在,通常固態(tài)硬盤(pán)在作為系統(tǒng)盤(pán)使用中卻很少會(huì)遇到。

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由SLC緩存間接引發(fā)的掉速

既然SLC緩存用完之后寫(xiě)入速度鐵定下滑,那么增大SLC緩存會(huì)怎樣?這樣當(dāng)然造不出“永動(dòng)機(jī)”,全盤(pán)SLC算法僅在空盤(pán)時(shí)能發(fā)揮較好性能,隨著盤(pán)內(nèi)使用空間的增加,最終釋放緩存引發(fā)的掉速不可避免的會(huì)增多,并逐漸落后于東芝TR200這類(lèi)固定SLC算法的固態(tài)硬盤(pán)。

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固定SLC算法在外表看來(lái)緩存容量不大,但優(yōu)點(diǎn)是性能保持穩(wěn)定,即便使用到接近滿(mǎn)盤(pán),也不會(huì)有明顯性能衰減。

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不光AS SSD Benchmark與CrystalDiskMark不掉速,90%滿(mǎn)盤(pán)狀態(tài)下的東芝TR200 960G在PCMark 8存儲(chǔ)性能測(cè)試中同樣做到了完全不掉速:

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DRAM緩存引發(fā)的掉速

網(wǎng)上有一種說(shuō)法是無(wú)DRAM緩存的固態(tài)硬盤(pán)易掉速,而現(xiàn)在無(wú)DRAM緩存的固態(tài)硬盤(pán)越來(lái)越多,大有一統(tǒng)天下的局面。這種情況真的會(huì)掉速嗎?

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無(wú)DRAM緩存的固態(tài)硬盤(pán)因?yàn)闆](méi)有空間存放完整的FTL表,F(xiàn)TL交換在閃存和主控內(nèi)的小容量SRAM緩存之間實(shí)時(shí)進(jìn)行。數(shù)據(jù)存放的位置跨度越大,隨機(jī)讀取請(qǐng)求越有可能因?yàn)殚W存轉(zhuǎn)換層需要進(jìn)入NAND查表而延遲。

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不過(guò)實(shí)際上主控SRAM內(nèi)存儲(chǔ)的FTL閃存映射表并不是針對(duì)固定某一段位置,而是隨著電腦數(shù)據(jù)讀寫(xiě)熱度而動(dòng)態(tài)調(diào)整,常用數(shù)據(jù)可直接從SRAM緩存中命中結(jié)果,相比外置DRAM緩存還要更高效。

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通過(guò)在TxBENCH中設(shè)定不同的測(cè)試范圍,可以發(fā)現(xiàn)東芝TR200主控中的SRAM緩存可以支持到8GB地址范圍的完整尋址。即便將測(cè)試區(qū)間擴(kuò)展到32GB也能提供35MB/s的4K QD1隨機(jī)讀取速度,充分保障了日常使用性能。

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對(duì)于家用電腦來(lái)說(shuō),東芝TR200已經(jīng)能夠滿(mǎn)足大多數(shù)用戶(hù)的上網(wǎng)娛樂(lè)和辦公需求。如果你的電腦還需要更強(qiáng)的讀寫(xiě)性能來(lái)進(jìn)行圖形圖像設(shè)計(jì)類(lèi)工作,更高端的Q200或者RC100將能更好地滿(mǎn)足你的需求。

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2019-06-19
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