3nm技術(shù)亮相！三星分享最新3GAE工藝細(xì)節(jié)

三星在最近的IEEE國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議上，分享了自家在3nm GAE MBCEFET芯片制造方面的一些細(xì)節(jié)。

根據(jù)DigiTimes發(fā)布的最新把報(bào)告，臺(tái)積電的3nm工藝將在今年下半年開(kāi)始試產(chǎn)。近年來(lái)，三星和臺(tái)積電在先進(jìn)工藝制程方面的競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)激烈。雖然三星一直處于落后于臺(tái)積電的位置，但也在不停追趕。

據(jù)悉，在3nm工藝方面，臺(tái)積電仍是堅(jiān)持使用FinFET技術(shù)，但三星卻選擇了向納米片晶體管過(guò)渡。

根據(jù)三星電子副總裁Taejoong Song在會(huì)上的說(shuō)法，納米片結(jié)構(gòu)的晶體管將是一個(gè)成功的設(shè)計(jì)，因?yàn)檫@一技術(shù)可以提供“高速度、低功耗和小面積”。

其實(shí)，早在2019年，三星就搶先公布了3nm工藝，并明確表示放棄FinFET。三星將旗下的3nm工藝分為3GAE和3GAP，在會(huì)上三星表示，3GAE工藝節(jié)點(diǎn)將會(huì)實(shí)現(xiàn)高達(dá)30%的性能提升，同時(shí)功耗可以降低50%，晶體管密度也可以提高80%。

由于在7nm、5nm工藝節(jié)點(diǎn)上都落后于臺(tái)積電，所以三星對(duì)于3nm工藝寄予厚望，希望借納米片晶體管實(shí)現(xiàn)對(duì)臺(tái)積電的超車(chē)。

據(jù)悉，三星的3GAE工藝預(yù)計(jì)將在2022年正式推出，而此次在會(huì)上展示的諸多細(xì)節(jié)也表明，三星在3nm工藝方面又往前邁了一步。

從三星3GAE工藝推出的時(shí)間節(jié)點(diǎn)來(lái)看，三星和臺(tái)積電無(wú)疑將在2022年，針對(duì)3nm先進(jìn)工藝，展開(kāi)更為激烈的比拼。

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