三星公開代工業(yè)務(wù)藍(lán)圖：明年上馬3nm，2025年起量產(chǎn)2nm

北京時(shí)間10月8日下午消息（蔣均牧）三星披露了提高代工業(yè)務(wù)產(chǎn)能，并從2025年起量產(chǎn)2nm芯片的詳細(xì)計(jì)劃。

在年度三星代工論壇上，三星代工業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Choi Si-young表示，該公司將“引領(lǐng)最先進(jìn)的技術(shù)，同時(shí)進(jìn)一步擴(kuò)大硅（晶圓）的規(guī)模”。

在他的演講中，Choi表示全球芯片市場(chǎng)正在進(jìn)入“一個(gè)不確定的時(shí)代”，目前尚不清楚這個(gè)時(shí)代會(huì)持續(xù)多久：“然而，我們確實(shí)預(yù)計(jì)，很少有公司具備在生產(chǎn)規(guī)模這一新邊界競(jìng)爭(zhēng)的能力。”

該芯片制造商計(jì)劃從2022年上半年開始生產(chǎn)客戶的首批3nm芯片設(shè)計(jì)。三星在一份聲明中稱，與5nm工藝相比，3nm全環(huán)柵（GAA）節(jié)點(diǎn)的性能提高了30%，功耗降低了50%，占用空間減少了35%。

Choi指出，3nm產(chǎn)品將在其正在擴(kuò)建的韓國(guó)平澤工廠和一家計(jì)劃中的美國(guó)工廠（但沒有透露位置細(xì)節(jié)）中生產(chǎn)。

第二代3nm芯片將于2023年量產(chǎn)。

該公司表示，計(jì)劃中的2nm工藝使用GAA、多橋通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MBCFET）技術(shù)，目前處于早期開發(fā)階段。

三星電子表示，其8nm射頻平臺(tái)將通過支持毫米波應(yīng)用，擴(kuò)大在5G半導(dǎo)體市場(chǎng)的占有率。

此外，該公司還在推進(jìn)14nm制程，以支持3.3V或閃存型的嵌入式MRAM，以提高寫入速度和密度，目標(biāo)應(yīng)用是微控制器單元、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和可穿戴設(shè)備等。

TrendForce的數(shù)據(jù)顯示，三星是僅次于臺(tái)積電的全球第二大芯片代工企業(yè)，至6月底其市場(chǎng)份額為17.3%。

生成海報(bào)

免責(zé)聲明：本網(wǎng)站內(nèi)容主要來自原創(chuàng)、合作伙伴供稿和第三方自媒體作者投稿，凡在本網(wǎng)站出現(xiàn)的信息，均僅供參考。本網(wǎng)站將盡力確保所提供信息的準(zhǔn)確性及可靠性，但不保證有關(guān)資料的準(zhǔn)確性及可靠性，讀者在使用前請(qǐng)進(jìn)一步核實(shí)，并對(duì)任何自主決定的行為負(fù)責(zé)。本網(wǎng)站對(duì)有關(guān)資料所引致的錯(cuò)誤、不確或遺漏，概不負(fù)任何法律責(zé)任。任何單位或個(gè)人認(rèn)為本網(wǎng)站中的網(wǎng)頁或鏈接內(nèi)容可能涉嫌侵犯其知識(shí)產(chǎn)權(quán)或存在不實(shí)內(nèi)容時(shí)，應(yīng)及時(shí)向本網(wǎng)站提出書面權(quán)利通知或不實(shí)情況說明，并提供身份證明、權(quán)屬證明及詳細(xì)侵權(quán)或不實(shí)情況證明。本網(wǎng)站在收到上述法律文件后，將會(huì)依法盡快聯(lián)系相關(guān)文章源頭核實(shí)，溝通刪除相關(guān)內(nèi)容或斷開相關(guān)鏈接。