手機不充電也能用一周?三星聯(lián)合IBM推出新型芯片晶體管

近日,IBM和三星公布了一種新的半導體芯片設計,自稱這種設計可以延續(xù)摩爾定律。這一突破性的架構將允許垂直電流流動的晶體管嵌入到芯片上,從而產生更緊湊的設備,并為智能手機長周期運行等鋪平了道路。

據悉,新的垂直傳輸場效應晶體管(VTFET)設計旨在取代當前用于當今一些最先進芯片的FinFET技術,從本質上講,新設計將垂直堆疊晶體管,允許電流在晶體管堆疊中上下流動,而不是目前大多數(shù)芯片上使用的左右水平布局。

根據IBM的說法,這種新的垂直結構允許在空間中裝入更多的晶體管,同時還可以影響它們之間的接觸點,以提高電流并節(jié)約能源。該公司表示,該設計可能會使性能翻倍,或者減少85%的能源消耗。

IBM已經生產了帶有這種新的VTFET架構的測試芯片,并設想它在許多領域扮演著改變游戲規(guī)則的角色。隨著物聯(lián)網的持續(xù)發(fā)展,這些芯片可以讓海洋浮標和自動駕駛汽車等設備以更少的能源運行,并可能對加密貨幣挖礦等能源密集型計算過程產生類似的影響,降低其碳足跡。

此外,根據IBM的說法,它還可以讓宇宙飛船更高效,甚至讓智能手機電池在不充電的情況下使用一周而不是幾天。

IBM研究院混合云和系統(tǒng)副總裁Mukesh Khare博士說,“今天的技術聲明是關于挑戰(zhàn)傳統(tǒng),重新思考我們如何繼續(xù)推進社會,并提供新的創(chuàng)新,以改善生活、業(yè)務和減少我們的環(huán)境影響。”

“考慮到該行業(yè)目前在多個方面面臨的限制,IBM和三星正在展示我們在半導體設計方面的聯(lián)合創(chuàng)新的承諾,并共同追求我們所說的‘硬技術’。”他補充說。

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2021-12-17
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