近日，IBM和三星公布了一種新的半導體芯片設計，自稱這種設計可以延續(xù)摩爾定律。這一突破性的架構(gòu)將允許垂直電流流動的晶體管嵌入到芯片上，從而產(chǎn)生更緊湊的設備，并為智能手機長周期運行等鋪平了道路。
據(jù)悉，新的垂直傳輸場效應晶體管（VTFET）設計旨在取代當前用于當今一些最先進芯片的FinFET技術(shù)，從本質(zhì)上講，新設計將垂直堆疊晶體管，允許電流在晶體管堆疊中上下流動，而不是目前大多數(shù)芯片上使用的左右水平布局。
根據(jù)IBM的說法，這種新的垂直結(jié)構(gòu)允許在空間中裝入更多的晶體管，同時還可以影響它們之間的接觸點，以提高電流并節(jié)約能源。該公司表示，該設計可能會使性能翻倍，或者減少85%的能源消耗。
IBM已經(jīng)生產(chǎn)了帶有這種新的VTFET架構(gòu)的測試芯片，并設想它在許多領(lǐng)域扮演著改變游戲規(guī)則的角色。隨著物聯(lián)網(wǎng)的持續(xù)發(fā)展，這些芯片可以讓海洋浮標和自動駕駛汽車等設備以更少的能源運行，并可能對加密貨幣挖礦等能源密集型計算過程產(chǎn)生類似的影響，降低其碳足跡。
此外，根據(jù)IBM的說法，它還可以讓宇宙飛船更高效，甚至讓智能手機電池在不充電的情況下使用一周而不是幾天。
IBM研究院混合云和系統(tǒng)副總裁Mukesh Khare博士說，“今天的技術(shù)聲明是關(guān)于挑戰(zhàn)傳統(tǒng)，重新思考我們?nèi)绾卫^續(xù)推進社會，并提供新的創(chuàng)新，以改善生活、業(yè)務和減少我們的環(huán)境影響。”
“考慮到該行業(yè)目前在多個方面面臨的限制，IBM和三星正在展示我們在半導體設計方面的聯(lián)合創(chuàng)新的承諾，并共同追求我們所說的‘硬技術(shù)’。”他補充說。
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