美日聯(lián)手研發(fā)2nm工藝 降低臺積電依賴癥

5月5日消息(南山)據(jù)日經(jīng)新聞報道,美國與日本官方正攜手合作,研發(fā)2nm及以下的高端制造工藝,以降低對中國臺灣晶圓大廠臺積電依賴癥。當前在晶圓代工晶圓,臺積電占據(jù)高端市場近乎壟斷性份額。

據(jù)悉,這項合作已經(jīng)接近達成協(xié)議。合作參與的機構(gòu)包括日本的東京電子、佳能,在日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總合研究所研發(fā),美國IBM公司參與。

從進展來看,臺積電3nm工藝在今年量產(chǎn),預(yù)計2024年投產(chǎn)2nm工藝。韓國三星緊隨其后。英特爾的高端制造工藝“18A”,據(jù)悉相當于1.8nm,預(yù)計在2024年下半年投產(chǎn)。

臺灣業(yè)界對此感到憂心,甚至有臺灣媒體報道稱,如果美日聯(lián)手研發(fā)2nm工藝,最后必然會引發(fā)價格上的爭議,最遭的情況下是“強迫同業(yè)漲價”,以齊頭式平等的方式面對市場,最終受傷的是廣大終端消費者。

去年以來,臺積電一直消極抵抗美國的產(chǎn)業(yè)掌控。一方面,臺積電不得不前往美國建設(shè)晶圓廠,另一方面,又通過各種渠道,反復宣稱在美國建廠的高額成本和競爭力低下。同時,臺積電最大的客戶是美國企業(yè)群體。

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2022-05-05
美日聯(lián)手研發(fā)2nm工藝 降低臺積電依賴癥
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