長飛公開一項多芯光纖專利

12月15日消息（南山）據國家知識產權局，近期，長飛光纖光纜股份有限公司公開了一項強耦合多芯光纖專利，公開號：CN117111203A。

專利簡介如下：

單模光纖的優(yōu)勢在于傳輸速率快，攜帶信息容量大，傳輸距離遠等，被廣泛應用于光纖通信網絡。隨著通信及大數據業(yè)務對容量的需求與日俱增，網絡帶寬需求加劇，光傳輸網絡的容量正逐步接近單根光纖的香農極限：100Tb/s。自2012年始，基于多芯光纖和少模光纖的空分復用技術開始成為大容量光纖通信的熱點之一，多芯光纖利用多個纖芯傳輸，理論上可以同時承載更多的數據容量。

根據多芯光纖芯間距的不同，多芯光纖可被分為強耦合多芯光纖和弱耦合多芯光纖。弱耦合多芯光纖設計纖芯時需要在纖芯之間增加下陷層來抑制纖芯間的能量交疊，減小芯間串擾，強耦合光纖通常用于激光器或者放大器中。

目前部分研究設計的強耦合光纖的空間模式色散、衰耗等性能參數沒有得到足夠的優(yōu)化，所制備的光纖主要用于短距離應用場景，不適合長距離應用。此外，還有部分現有研究設計的強耦合光纖最終實現的是同一個纖芯內部模式間超模傳輸，無法實現纖芯之間的能量耦合。

本發(fā)明提供一種強耦合多芯光纖，至少具有如下技術效果或優(yōu)點：

(1)本發(fā)明通過對光纖剖面結構的合理設計，使光纖的空間模式色散得到優(yōu)化；第二內包層呈下凹形，具有最低折射率，可減少彎曲狀態(tài)下應力對芯層的影響，從而有效增加光纖的抗彎曲性能，本發(fā)明提供的強耦合多芯光纖的空間模式色散、宏彎損耗性能參數在應用波段良好，利于光纖在通信領域傳輸；共同外包層采用全摻氟的二氧化硅玻璃層的設計，能夠降低光纖的衰減系數。

(2)本發(fā)明中芯層采用鍺、氟和堿金屬共摻的二氧化硅玻璃層的設計，合理設計了光纖內部的粘度匹配，能夠減少光纖制備過程中的缺陷，能夠進一步降低光纖的衰減系數。

(3)本發(fā)明合理設計纖芯與其最相鄰的纖芯之間的芯間距，較小的芯間距能夠實現纖芯之間強耦合超模，超模的電場分布可以看作獨立模式的重疊和強重構，可實現更高的模式密度，進而有效的減小非線性效應，實現更好的光纖傳輸。

(4)本發(fā)明合理設計標記芯的位置，有助于減小熔接損耗，減小整體鏈路損耗。

綜上，本發(fā)明提供的一種強耦合多芯光纖不僅衰減低，而且光纖的宏彎、空間模式色散及熔接損耗等綜合性能好。

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