用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側柵極驅動器

新型驅動器可提供量身定制的導通和關斷時序，將開關損耗降至最低，并增強dV/dt抗擾性能

美國伊利諾伊州芝加哥，2024年5月27日訊--Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工業(yè)技術制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器。 這款創(chuàng)新的驅動器專門設計用于驅動工業(yè)應用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。

IX4352NE的主要優(yōu)勢在于其獨立的9A拉/灌電流輸出，支持量身定制的導通和關斷時序，同時將開關損耗降至最低。 內部負電荷調節(jié)器還能提供用戶可選的負柵極驅動偏置，以實現更高的dV/dt抗擾度和更快的關斷速度。 該驅動器的工作電壓范圍（VDD - VSS）高達35V，具有出色的靈活性和性能。

IX4352NE的突出功能之一是配備內部負電荷泵調節(jié)器，無需外部輔助電源設備或DC/DC轉換器。 該功能對于關斷SiC MOSFET尤其實用，可以節(jié)省外部邏輯電平轉換器電路通常所需的寶貴空間。 邏輯輸入與標準TTL或CMOS邏輯電平兼容，進一步增強了節(jié)省空間的能力。

IX4352NE非常適合在各類工業(yè)應用中驅動SiC MOSFET，例如：

車載和非車載充電器，

功率因數校正（PFC），

DC/DC轉換器，

電機控制器，和

工業(yè)電源逆變器。

卓越的性能使其成為電動汽車、工業(yè)、替代能源、智能家居和樓宇自動化市場中要求苛刻的電力電子應用的理想選擇。

憑借其全面的功能，IX4352NE簡化了電路設計并提供了更高的集成度。 內置保護功能，如帶軟關斷灌電流驅動器的去飽和檢測（DESAT）、欠壓鎖定（UVLO）和熱關斷（TSD）等，可確保功率器件和柵極驅動器得到保護。 集成的開漏FAULT輸出向微控制器發(fā)出故障信號，增強了安全性和可靠性。 此外，IX4352NE還能節(jié)省寶貴的PCB空間并提高電路密度，有助于提高整體系統(tǒng)效率。

對現有IX4351NE的顯著改進包括：

由DESAT啟動的安全軟關斷。

高閾值精度熱關斷。

電荷泵在熱關斷期間的工作能力。

新款IX4352NE與引腳兼容，可無縫替換指定使用現有Littelfuse IX4351NE的設計，該設計于2020年發(fā)布。

“IX4352NE通過一種新型9A拉/灌電流驅動器擴展了我們廣泛的低側柵極驅動器系列，簡化了SiC MOSFET所需的柵極驅動電路。”Littelfuse集成電路部（SBU）產品經理June Zhang表示， “其各種內置保護功能和集成電荷泵提供了可調的負柵極驅動電壓，能提高dV/dt抗擾度和關斷速度。 因此，該產品可以用來驅動任何SiC MOSFET或功率IGBT，無論是Littelfuse器件還是市場上任何其他類似器件?！?/p>

供貨情況

IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器以每管50只的管裝形式供貨，也可以卷帶封裝形式供貨，起訂量2,000只。 可通過Littelfuse全球各地的授權經銷商索取樣品。 如需了解Littelfuse授權經銷商名單，請訪問Littelfuse.com。

更多信息

有關新發(fā)布系列的更多信息，請訪問IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器產品頁面。如有技術問題，請聯(lián)系Littelfuse集成電路部（SBU）的以下人員：

產品營銷經理Hugo Guzman，HGuzman@Littelfuse.com高級技術營銷分析師Klaus Wiedorn，KWiedorn@Littelfuse.com

生成海報

免責聲明：本網站內容主要來自原創(chuàng)、合作伙伴供稿和第三方自媒體作者投稿，凡在本網站出現的信息，均僅供參考。本網站將盡力確保所提供信息的準確性及可靠性，但不保證有關資料的準確性及可靠性，讀者在使用前請進一步核實，并對任何自主決定的行為負責。本網站對有關資料所引致的錯誤、不確或遺漏，概不負任何法律責任。任何單位或個人認為本網站中的網頁或鏈接內容可能涉嫌侵犯其知識產權或存在不實內容時，應及時向本網站提出書面權利通知或不實情況說明，并提供身份證明、權屬證明及詳細侵權或不實情況證明。本網站在收到上述法律文件后，將會依法盡快聯(lián)系相關文章源頭核實，溝通刪除相關內容或斷開相關鏈接。