據(jù)外媒報道，在今年的TechCon大會上，在某些領(lǐng)域已經(jīng)形成比較膠著競爭關(guān)系的Intel和AMD宣布將建立廣泛的合作關(guān)系。
其中一個表現(xiàn)形式就是，基于ARM IP的很多芯片將采用Intel的22nm FFL和10nm HPM/GP工藝代工。
比如，ARM今年年中發(fā)布的Cortex-A55，已經(jīng)基于Intel的22nm FFL，實驗在了智能手機上實現(xiàn)主頻2.35GHz（0.45V電壓）。
更令人激動的是，基于Intel 10nm HPM/GP工藝的ARM架構(gòu)SoC將不遲于今年底流片。它基于的是下一代Cortex-A（A75或者更高？），實現(xiàn)了3.5GHz主頻、0.5V電壓，而單核最高功耗只有不到0.9瓦（驍龍820單個Kyro大核約2瓦）。
目前，Intel的14nm已經(jīng)用在展訊的x86移動芯片上，但x86制約了展訊在廣泛的消費級市場大展拳腳。同時，為了進一步增加營收，Intel才在北京的“精尖制造日”上強調(diào)，代工一定會放開。
資料顯示，同樣是10nm，Intel表示每平方毫米可以放1億個晶園體，臺積電呢只有4800萬，而三星也不過才5160萬，按照Intel的說法，同概念制程領(lǐng)先對手3年。
至于Intel 10nm工藝的ARM芯片會是誰，目前唯一有消息流出的就是LG。
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