隨著生成式人工智能技術(shù)的飛速發(fā)展，中國在內(nèi)存市場的地位日益增強，展現(xiàn)出巨大的增長潛力。
市場調(diào)研機構(gòu)Counterpoint Research的最新報告顯示，盡管中國內(nèi)存制造商長鑫存儲（CXMT）在技術(shù)進步和國際法規(guī)挑戰(zhàn)方面仍面臨困難，但該公司正通過技術(shù)創(chuàng)新和市場擴張逐步縮小與全球行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)的差距。
Counterpoint Research預(yù)測，到2024年，長鑫存儲將占據(jù)全球DRAM總產(chǎn)能的13%，出貨量占比約為6%，營收占比約為3.7%。該機構(gòu)還預(yù)計，到2025年，長鑫存儲的產(chǎn)能將接近美國內(nèi)存巨頭美光。
目前，長鑫存儲的產(chǎn)量和營收相對較低，這主要是由于技術(shù)滯后、良率不高以及定價策略等問題。然而，這些差距預(yù)計將會逐漸縮小。2024年，長鑫存儲每片晶圓的產(chǎn)量預(yù)計將比競爭對手少42%，而到2025年，這一差距將縮小至32%。
盡管如此，Counterpoint Research也強調(diào)，長鑫存儲需要成功研發(fā)并應(yīng)用高介電金屬閘極（HKMG）晶體管技術(shù)，以進一步改善產(chǎn)品的功耗和速度。
Counterpoint Research研究總監(jiān)MS Hwang表示，中國內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的興起可能會重塑全球市場格局。盡管目前技術(shù)進步和良率提升方面仍面臨挑戰(zhàn)，但生成式AI和電動汽車等新興應(yīng)用的需求增長，將有助于中國在中低階內(nèi)存市場建立穩(wěn)固的地位。
此外，長鑫存儲還在積極推進高帶寬內(nèi)存（HBM）的研發(fā)和生產(chǎn)。該公司一方面在提升一代HBM的產(chǎn)能，另一方面已取得二代HBM2的重大突破，并向客戶送樣。預(yù)計到今年年中，長鑫存儲將能夠小規(guī)模量產(chǎn)HBM2。（Suky）
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