固態(tài)硬盤價格的快速回落對于廣大消費者來說無疑是最為利好的消息,盡管目前市面上采用QLC閃存的固態(tài)硬盤已經(jīng)占據(jù)大容量產(chǎn)品的半壁江山,但是相比起真香的價格,即便是稍顯不濟,也依然阻擋不了不少用戶的選購熱情,畢竟更大的容量,更低的價格,是SSD在消費市場上摧毀HDD防線的絕佳時機,而這種大勢所趨的局面無疑正在加速到來。
當然這些都是外因,而真正決定我們選擇什么樣的固態(tài)硬盤更多的則是取決于產(chǎn)品的性能。目前,支持PCIe 4.0接口規(guī)范的的產(chǎn)品開始逐漸在高性能市場上趨于主流化,其中美光旗下的英睿達P5 Plus便是一款采用該接口的NVMe高性能產(chǎn)品,其主要面向高性能需求的游戲玩家和工程應用以及流媒體、3D影像等設計場景,不僅同時向下兼容Gen 3.0規(guī)范,標稱順序讀取更是高達6600MB/秒,順序?qū)懭脒_5000MB/s,無疑是目前NVMe固態(tài)存儲市場上非常具有競爭力的選擇。
那么對于這款產(chǎn)品到底有何特殊性,實際表現(xiàn)又是如何?我們不妨一起來體驗一把。
在包裝設計上,英睿達P5 Plus與此前推出的英睿達P5近乎完全一致,除了包裝上的字樣多了Plus之外并無太多不同。而相比許多二線SSD品牌喜歡通過特殊化設計和犀利的造型來襯托性能特點,包括三星、美光、鎧俠、閃迪等在內(nèi)的一線品牌卻包裝設計上一直顯得非常沉穩(wěn)老練,英睿達簡單干凈的墨藍底色配上簡約的線條,美式范兒十足,完全不需要什么張牙舞爪的標榜便能將其品質(zhì)和性能彰顯透徹。
通過外包裝的標識也能看到,我們手上的產(chǎn)品產(chǎn)自馬來西亞,官方提供長達5年的有限質(zhì)保,而所謂有限質(zhì)保就是同步規(guī)定了寫入量,其與英睿達P5相同,250GB為150TBW,500GB為300TBW,1TB為600TBW,2TB為1200TBW。從量級上看,如果不是像去年宛若鬧劇的硬盤礦,絕大部分消費者很難達到這樣的擦寫量級,加上電子消費品平均使用周期考量,可以說基本上已經(jīng)覆蓋了常規(guī)生命期內(nèi)的質(zhì)保,更何況,英睿達官方公布P5系列的平均無故障壽命長達200萬小時,進一步彰顯了原廠品質(zhì)和可靠性。
可回收的硬紙外包裝內(nèi)部還有一個塑卡包裝用于提供更高強度的保護,同時還附帶了一份多國語言的簡易安裝說明書,以及一顆用于固定的螺絲。
同樣的,英睿達P5 Plus畢竟是一款PC零部件,所以在產(chǎn)品本身的外觀上,無論怎么設計,其并不會脫離部件形態(tài)的局限性,所以在產(chǎn)品外觀上英睿達沿用了此前P5的外觀和色調(diào),不過相比P2系列和P3而言,黑色的PCB和標貼無疑也透露著其性能的強悍感。
僅從標貼覆蓋下狀態(tài)我們不能直觀的看出其與英睿達P5之間的區(qū)別,不過揭開表面標貼后,還是在器件上存在一些差異。
首先英睿達P5 Plus依然采用了美光自有主控,主控型號為DM02A1,先前P5主控為DM01B2,兩者芯片核心表面均采用了金屬罩覆蓋,以提供均熱散導和保護作用,美光方面并沒有對外透露芯片的datasheet,所以具體規(guī)格無從知曉,不過可以肯定的是,這款主控最顯著的升級點就是支持了最新的PCIe 4.0,并支持包括動態(tài)寫入加速、多步驟數(shù)據(jù)完整性算法、自適應熱保護、集成式斷電保護、活躍垃圾收集等目前NVMe SSD的所有先進管理技術。
同時,主控周邊附帶了一顆負責電源管理的PMIC芯片,從而對主控內(nèi)部多核負載狀態(tài)提供相應的供電調(diào)節(jié)管理作用。
緩存部分同樣是來自美光的8Gb DDR4高速緩存,而閃存則為176層堆疊的3D TLC顆粒,所以依然對QLC抱有成見的用戶大可放心了,其單顆粒便可實現(xiàn)1TB的存儲空間,相比此前P5的96層堆疊進一步提升了存儲密度,有效降低了M2. 2280尺寸規(guī)格下的貼裝工序。
測試平臺我們選用了AMD去年年中期間推出的Zen3架構產(chǎn)品銳龍7 5700X,其支持PCI-E 4.0協(xié)議,擁有20條PCI-E可用通道數(shù),主板則是華碩B550-PLUS重炮手,整個平臺并非頂級,但是在當前的平臺中屬于周邊支持較新,同時性價比較高的配置。
性能實測方面,英睿達P5 Plus 2T在CrystalDiskMark中表現(xiàn)不凡,顯然與官方宣稱的讀寫速度都基本符合,尤其是超過6000MB/S的順序讀取速度大幅度領先先前PCI-E 3.0接口的產(chǎn)品。
同樣在AS SSD BenchMark中,這款產(chǎn)品同樣非常給力,盡管這款軟件的數(shù)據(jù)表現(xiàn)較為飄忽不定,但是分數(shù)相對于而言較有比對參考意義,超過8000分的成績對于目前的高要求的游戲玩家和設計生產(chǎn)領域已經(jīng)可以完全滿足要求。
值得一提是,除了英睿達P5 Plus這個主角外,英睿達為了迎合中端主流市場也繼而推出了P3系列新品,同樣是包含了P3和P3 Plus兩個門類,兩者之間差異與P5和P5 Plus如出一轍,都是前者為PCIe Gen3后者為Gen4。而英睿達P5和P3之間的差距卻同樣較為明顯,其中P5系列為美光自有主控外加高容量高速緩存,同沿用TLC閃存,而P3系列則是來自通用主控提供商群聯(lián)的方案,無板載緩存的DRAM-Less方案,并采用高密度的QLC閃存。
顯然P3系列更為適合追求性價比的用戶,尤其是尚沒有升級到PCIe 4.0平臺的普通消費者,只需要考慮美光原廠的品質(zhì)和可靠性,以及適合自己的升級容量即可選購。
正好作為對比,我們一同也來品評一下英睿達P3這款產(chǎn)品。
同樣的2TB容量,同樣的NVMe 2280,但是我們手上的這款英睿達P3則是產(chǎn)自墨西哥。其有限質(zhì)保依然達到了5年,這顯然是二線及小品牌所難以企及的高度。不過由于QLC的原因,其TBW相比P5系列調(diào)低,分別為500GB/110TB,1TB/220TB,2TB/440TB,4TB/800TB,但即便如此,普通用戶依然難以做到5年TBW超額。
包裝和外觀的設計差距同樣與P5并不大,但是揭掉正面標貼后,其定位就非常明顯了。群聯(lián)PS5012-E21-48主控,該主控的規(guī)格相對透明,其采用了ARM Cortex-R5單核架構,臺積電12nm制程工藝,擁有四通道,并支持NVMe 1.4接口規(guī)范,但有趣的是,這款主控本身支持PCIe 4.0,但是在英睿達為了差異化市場,將接口鎖定在PCIe 3.0,這種操作像極了CPU和顯卡上游企業(yè)的刀法。
相比P5而言,英睿達P3的電路設計顯然更加簡單化,顆粒部分為美光原廠176層堆疊的3D QLC,而為了彌補板載緩存的缺失,該產(chǎn)品也加入了HMB技術,可以通過系統(tǒng)內(nèi)存空間來實現(xiàn)FTL映射,進而保障SSD的讀寫性能。
當然,英睿達P3系列依然可以免費享有Crucial Storage Executive管理軟件和Acronis True Image備份工具,以實現(xiàn)全面的空間管理、性能管理和固件升級等等。
在性能實測環(huán)節(jié),我們同樣采用了與英睿達P5 Plus相同平臺、工具和流程。而在軟件測試中,英睿達P3相比旗艦級的P5 Plus而言明顯順序速度接近于減半,但是4K隊列的讀寫卻并沒有被甩開,并且在AS SSD BenchMark的測試中,這款定位普及化的產(chǎn)品卻依然拿到了超過7000分的成績,總體來說性價比無疑非常高。
小結:
很明顯,從市場定位來說,英睿達上述兩款產(chǎn)品顯然表現(xiàn)的非常清楚,如果你是追求極限性能的游戲玩家或者需要更高存儲表現(xiàn)的設計者,那么英睿達P5 Plus無疑能夠給你帶來優(yōu)質(zhì)的體驗和原廠的高保障能力。而如果你是普通用戶,為了能夠更為直接的升級固態(tài)存儲空間,或者是添加第二塊固態(tài)硬盤,那么英睿達P3出色的性價比無疑更為適合,尤其是在PCIe 3.0接口下依然不俗的性能表現(xiàn),將使得性能和可靠性都能獲得理想的效果。
當然,無論英睿達P5系列還是P3系列,除了出色的性能,原廠的品質(zhì)和非常不錯的可靠性之外,還有一個非常重要的點源自于美光為英睿達產(chǎn)品所提供的配套軟件工具,也就是我們前面提到的Crucial StorageExecutive。這套軟件可以清晰的查看存儲狀態(tài),并對相應的功能進行調(diào)整和管理,同時也支持常規(guī)的SMART等安全參數(shù)的查看,整盤數(shù)據(jù)加密,甚至是普通二線品牌產(chǎn)品很少具備的在線固件升級。所以就增值項表現(xiàn)來看,往往原廠品質(zhì)只是一方面,在目前SSD價格已經(jīng)極為平易近人的背景下,越來越小的價差反而讓一線品牌憑借更多優(yōu)勢成為我們在質(zhì)價比角度上的優(yōu)選。( 文章來源: 驅(qū)動中國 )
（免責聲明：本網(wǎng)站內(nèi)容主要來自原創(chuàng)、合作伙伴供稿和第三方自媒體作者投稿，凡在本網(wǎng)站出現(xiàn)的信息，均僅供參考。本網(wǎng)站將盡力確保所提供信息的準確性及可靠性，但不保證有關資料的準確性及可靠性，讀者在使用前請進一步核實，并對任何自主決定的行為負責。本網(wǎng)站對有關資料所引致的錯誤、不確或遺漏，概不負任何法律責任。
任何單位或個人認為本網(wǎng)站中的網(wǎng)頁或鏈接內(nèi)容可能涉嫌侵犯其知識產(chǎn)權或存在不實內(nèi)容時，應及時向本網(wǎng)站提出書面權利通知或不實情況說明，并提供身份證明、權屬證明及詳細侵權或不實情況證明。本網(wǎng)站在收到上述法律文件后，將會依法盡快聯(lián)系相關文章源頭核實，溝通刪除相關內(nèi)容或斷開相關鏈接。 ）
