英特爾未來(lái)十年技術(shù)路線圖被披露：2023年采用5nm 2029年升至1.4nm

12月11日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，芯片巨頭英特爾在10nm和7nm工藝方面，并未跟上競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的節(jié)奏，其目前在芯片工藝方面也落后于臺(tái)積電和三星。

不過(guò)在10nm和7nm方面落后于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的英特爾，對(duì)未來(lái)還是有著清晰的計(jì)劃，其在未來(lái)10年的技術(shù)路線圖已經(jīng)被披露，將保持兩年一次升級(jí)的節(jié)奏。

英特爾未來(lái)十年的技術(shù)路線圖，是由光刻機(jī)廠商阿斯麥的首席技術(shù)官M(fèi)artin van den Brink在國(guó)際電子器件大會(huì)上披露的，由IEEE（電氣和電子工程師協(xié)會(huì)）所舉辦的這一大會(huì)在本周舉行。

阿斯麥所披露的英特爾未來(lái)十年技術(shù)路線圖顯示，英特爾今年將開(kāi)始采用10nm工藝，2020年是10++工藝，2021年則會(huì)推出10nm+++工藝。

10nm之后的7nm工藝將在2021年開(kāi)始采用，7nm+和7nm++則會(huì)在隨后的兩年分別推出。對(duì)于7nm工藝，英特爾首席工程官兼技術(shù)、系統(tǒng)架構(gòu)和客戶部門(mén)總裁默西·倫杜琴塔拉(MurthyRenduchintala)在去年12月份曾透露，這一工藝是由一個(gè)獨(dú)立的團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)，他們將汲取在10nm工藝上的教訓(xùn)，打算按內(nèi)部最初的計(jì)劃量產(chǎn)7nm工藝，他們對(duì)7nm工藝的進(jìn)展也非常滿意。

技術(shù)路線圖顯示，7nm之后更先進(jìn)的5nm、3nm、2nm和1.4nm，也已進(jìn)入了英特爾的視野，其中5nm、3nm和2nm目前都處在路線發(fā)現(xiàn)階段，分別計(jì)劃在2023年、2025年和2027年采用，2029年擬推出的是1.4nm。

同10nm和7nm工藝一樣，5nm、3nm和2nm工藝也會(huì)有升級(jí)版，將分別推出“+”和“++”工藝，均會(huì)在隨后的兩年推出。

就從ASML披露的技術(shù)路線圖來(lái)看，在10nm和7nm工藝方面落后于臺(tái)積電的英特爾，5nm和3nm工藝的采用時(shí)間，也將晚于臺(tái)積電。臺(tái)積電5nm工藝的良品率目前已經(jīng)提升到了50%，預(yù)計(jì)明年一季度量產(chǎn)，3nm則是計(jì)劃在2022年量產(chǎn)，均要早于英特爾3年。

生成海報(bào)

免責(zé)聲明：本網(wǎng)站內(nèi)容主要來(lái)自原創(chuàng)、合作伙伴供稿和第三方自媒體作者投稿，凡在本網(wǎng)站出現(xiàn)的信息，均僅供參考。本網(wǎng)站將盡力確保所提供信息的準(zhǔn)確性及可靠性，但不保證有關(guān)資料的準(zhǔn)確性及可靠性，讀者在使用前請(qǐng)進(jìn)一步核實(shí)，并對(duì)任何自主決定的行為負(fù)責(zé)。本網(wǎng)站對(duì)有關(guān)資料所引致的錯(cuò)誤、不確或遺漏，概不負(fù)任何法律責(zé)任。任何單位或個(gè)人認(rèn)為本網(wǎng)站中的網(wǎng)頁(yè)或鏈接內(nèi)容可能涉嫌侵犯其知識(shí)產(chǎn)權(quán)或存在不實(shí)內(nèi)容時(shí)，應(yīng)及時(shí)向本網(wǎng)站提出書(shū)面權(quán)利通知或不實(shí)情況說(shuō)明，并提供身份證明、權(quán)屬證明及詳細(xì)侵權(quán)或不實(shí)情況證明。本網(wǎng)站在收到上述法律文件后，將會(huì)依法盡快聯(lián)系相關(guān)文章源頭核實(shí)，溝通刪除相關(guān)內(nèi)容或斷開(kāi)相關(guān)鏈接。