三星擬率先量產3nm芯片制造工藝 性能較5nm預計提升30%

1月3日消息，據國外媒體報道，在芯片制造工藝方面，為蘋果、華為等制造芯片的臺積電近幾年走在行業(yè)的前列，率先量產了7nm工藝，更先進的5nm工藝預計在今年一季度投產。

但在下一代的3nm芯片制造工藝方面，臺積電可能會有來自三星的挑戰(zhàn)，后者擬率先使用這一先進的工藝制造芯片。

外媒是在三星電子實際領導人李在镕參觀韓國京畿道華城的半導體研發(fā)中心的報道中，透露三星擬率先量產3nm工藝的，在當地時間周四的這一次參觀中，李在镕他們討論了成為全球首個利用3nm工藝制造芯片的戰(zhàn)略。

從外媒的報道來看，三星電子的3nm制程工藝，將采用GAA架構，這一架構也是目前FinFET技術的繼任者，能使芯片制造商發(fā)展到微芯片的工藝范圍。

在3nm的工藝量產之前，三星還需要量產5nm工藝，三星在去年4月份完成了基于EUV技術的5nm FinFET制程技術的研發(fā)，預計在今年上半年能夠大規(guī)模量產。

三星方面表示，同5nm制程工藝相比，3nm GAA技術能使芯片的理論面積縮小35%，能耗則能降低50%，性能則會提高30%。

周四參觀華城的半導體研發(fā)中心，是三星電子披露的李在镕在2020年的首個官方行程，三星的發(fā)言人表示，李在镕再次參觀華城的報道體研發(fā)中心，凸顯了三星電子成為頂級非存儲芯片制造商的決心。

亞馬遜、Facebook等沒有芯片制造能力的科技巨頭們都已開始自研AI芯片和數據中心芯片，以更好的適應自身業(yè)務的發(fā)展，這也將導致對芯片制造需求的增加，三星已看好這一領域的發(fā)展，準備增加在芯片制造方面的投資，去年年底，三星電子已宣布計劃未來10年投資133萬億韓元，折合約1147億美元，用于發(fā)展芯片制造業(yè)務。

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