4月20日消息，據(jù)國外媒體報道，在芯片工藝方面走在行業(yè)前列的代工商臺積電，已順利大規(guī)模量產(chǎn)5nm工藝，良品率也比較可觀。
在5nm工藝量產(chǎn)之后，臺積電工藝研發(fā)的重點就將是3nm和更先進的工藝。對于3nm工藝，外媒的報道顯示，臺積電是計劃每平方毫米集成2.5億個晶體管。
臺積電在3nm工藝方面已研發(fā)多年，多年前就在開始籌備量產(chǎn)事宜。臺積電創(chuàng)始人張忠謀在2017年的10月份，也就是在他退休前8個月的一次采訪中，曾談到3nm工廠，當時他透露采用3nm工藝的芯片制造工廠計劃在2022年建成，保守估計建成時可能會花費150億美元，最終可能會達到200億美元。
而在去年10月份的報道中，外媒表示臺積電生產(chǎn)3nm芯片的工廠已經(jīng)開始建設(shè)，工廠占地50到80公頃，預(yù)計花費195億美元。
在4月16日的一季度財報分析師電話會議上，臺積電副董事長兼CEO魏哲家也曾談到3nm工藝，他表示3nm工藝的研發(fā)正在按計劃推進，計劃2021年風險試產(chǎn)，他們的目標是在2022年下半年大規(guī)模量產(chǎn)。
魏哲家在會上還透露，3nm是他們在5nm之后在芯片工藝上的一個完整的技術(shù)跨越，同第一代的5nm工藝（N5）相比，第一代的3nm工藝（N3）的晶體管密度將提升約70%，速度提升10%到15%，芯片的性能提升25%到30%，3nm工藝將進一步夯實他們未來在芯片工藝方面的領(lǐng)導地位。
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