臺(tái)積電年報(bào)首度提及2nm技術(shù) 去年開始研發(fā)

4月24日消息，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)積電近日上傳了2019年年報(bào)，并在年報(bào)中首度提及2nm技術(shù)。

臺(tái)積電

在2018年年報(bào)中，臺(tái)積電的表述為，公司3nm技術(shù)已進(jìn)入全面開發(fā)階段，而3nm以下的技術(shù)已開始定義并密集進(jìn)行先期開發(fā)。

在2019年年報(bào)中，臺(tái)積電表示，當(dāng)臺(tái)積電公司采用三維電晶體之第六代技術(shù)平臺(tái)的3nm技術(shù)持續(xù)全面開發(fā)時(shí)，公司已開始開發(fā)領(lǐng)先半導(dǎo)體業(yè)界的2nm技術(shù)，同時(shí)針對(duì)2nm以下的技術(shù)進(jìn)行探索性研究。

關(guān)于3nm制程技術(shù)，臺(tái)積電表示，相較于5nm制程技術(shù)，3nm制程技術(shù)大幅提升晶片密度及降低功耗并維持相同的晶片效能。2019年，臺(tái)積電的研發(fā)著重于基礎(chǔ)制程制定、良率提升、電晶體及導(dǎo)線效能改善以及可靠性評(píng)估。臺(tái)積電表示，今年將持續(xù)進(jìn)行3nm制程技術(shù)的全面開發(fā)。

臺(tái)積電未詳細(xì)介紹2nm制程技術(shù)。

關(guān)于微影技術(shù)，臺(tái)積電表示，去年，微影技術(shù)研發(fā)的重點(diǎn)在于5nm的技術(shù)轉(zhuǎn)移、3nm技術(shù)的開發(fā)及2 nm以下技術(shù)開發(fā)的先期準(zhǔn)備。5nm技術(shù)已經(jīng)順利地移轉(zhuǎn)，研發(fā)單位與晶圓廠合作排除極紫外光微影量產(chǎn)問題。

針對(duì)3nm技術(shù)的開發(fā)，極紫外光（EUV）微影技術(shù)展現(xiàn)優(yōu)異的光學(xué)能力，與符合預(yù)期的晶片良率。研發(fā)單位正致力于極紫外光技術(shù)，以減少曝光機(jī)光罩缺陷及制程堆疊誤差，并降低整體成本。

今年，臺(tái)積電將在2nm及更先進(jìn)制程上將著重于改善極紫外光技術(shù)的品質(zhì)與成本。

臺(tái)積電成立于1987年，是全球最大的晶圓代工半導(dǎo)體制造廠，客戶包括蘋果、高通等。其總部位于臺(tái)灣新竹的新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)。臺(tái)積電公司股票在臺(tái)灣證券交易所上市，股票代碼為2330，另有美國存托憑證在美國紐約證券交易所掛牌交易，股票代號(hào)為TSM。

生成海報(bào)

免責(zé)聲明：本網(wǎng)站內(nèi)容主要來自原創(chuàng)、合作伙伴供稿和第三方自媒體作者投稿，凡在本網(wǎng)站出現(xiàn)的信息，均僅供參考。本網(wǎng)站將盡力確保所提供信息的準(zhǔn)確性及可靠性，但不保證有關(guān)資料的準(zhǔn)確性及可靠性，讀者在使用前請(qǐng)進(jìn)一步核實(shí)，并對(duì)任何自主決定的行為負(fù)責(zé)。本網(wǎng)站對(duì)有關(guān)資料所引致的錯(cuò)誤、不確或遺漏，概不負(fù)任何法律責(zé)任。任何單位或個(gè)人認(rèn)為本網(wǎng)站中的網(wǎng)頁或鏈接內(nèi)容可能涉嫌侵犯其知識(shí)產(chǎn)權(quán)或存在不實(shí)內(nèi)容時(shí)，應(yīng)及時(shí)向本網(wǎng)站提出書面權(quán)利通知或不實(shí)情況說明，并提供身份證明、權(quán)屬證明及詳細(xì)侵權(quán)或不實(shí)情況證明。本網(wǎng)站在收到上述法律文件后，將會(huì)依法盡快聯(lián)系相關(guān)文章源頭核實(shí)，溝通刪除相關(guān)內(nèi)容或斷開相關(guān)鏈接。