研發(fā)費(fèi)用率偏低等是否與技術(shù)先進(jìn)性匹配？東微半導(dǎo)二答科創(chuàng)板問詢

10月18日，資本邦了解到，蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司(下稱“東微半導(dǎo)”)回復(fù)科創(chuàng)板二輪問詢。

圖片來源：上交所官網(wǎng)

在科創(chuàng)板二輪問詢中，上交所主要就東微半導(dǎo)主要產(chǎn)品市場空間、經(jīng)銷收入、研發(fā)費(fèi)用、高新技術(shù)企業(yè)資質(zhì)和員工等八方面的問題。

關(guān)于主要產(chǎn)品市場空間，上交所要求發(fā)行人說明：(1)結(jié)合高壓超級結(jié)MOSFET和中低壓MOSFET產(chǎn)品市場規(guī)模的差距和增幅情況，以及目前發(fā)行人的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，說明市場規(guī)模差距較大的原因，發(fā)行人選擇高壓超級結(jié)作為主要產(chǎn)品的合理性及其發(fā)展空間;(2)結(jié)合報告期內(nèi)綜合毛利率低于同行業(yè)可比公司毛利率、上游晶圓價格變動影響的傳導(dǎo)及時性低等情況，說明發(fā)行人主要產(chǎn)品的市場競爭力如何體現(xiàn)，并對經(jīng)營規(guī)模小、議價能力低、價格傳導(dǎo)及時性低、單一產(chǎn)品收入占比高等事項(xiàng)進(jìn)行重大事項(xiàng)提示;(3)發(fā)行人MOSFET產(chǎn)品的下游應(yīng)用領(lǐng)域情況，在主要應(yīng)用領(lǐng)域的市場競爭格局，以及與同行業(yè)主要廠商相比公司競爭優(yōu)劣勢的具體體現(xiàn)，并在招股說明書中作出針對性補(bǔ)充披露。

東微半導(dǎo)回復(fù)稱，MOSFET器件根據(jù)電壓平臺分類的規(guī)格較多，具體可分為12V/20V/25V/30V/40V/60V/80V/100V/120V/150V/200V/250V/300V/400V/500V/550V/600V/650V/700V/800V//900V等。其中，一般將高壓與中低壓的分界線定義為400V電壓平臺，即耐壓達(dá)到400V及以上的為高壓MOSFET，以下則為中低壓MOSFET。

因此，從電壓平臺的規(guī)格數(shù)量來看，耐壓平臺400V以下的中低壓MOSFET涵蓋的電壓平臺數(shù)量較高壓MOSFET更多，對應(yīng)的市場規(guī)模相對較大。根據(jù)Omdia，2020年，全球高壓MOSFET的市場規(guī)模為18.0億美元，中低壓MOSFET的市場規(guī)模為52.4億美元;中國高壓MOSFET的市場規(guī)模為8.0億美元，中低壓MOSFET的市場規(guī)模為24.1億美元。

高壓超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品的制造工藝更為復(fù)雜，主要包括多次外延和深溝槽外延兩種。在多次外延制造方法中，即使采用最為精簡的方法，也需要五次以上的外延、光刻、注入的循環(huán)工藝流程。當(dāng)采用當(dāng)前市面上最新一代的更低比導(dǎo)通電阻Rsp的超級結(jié)MOSFET多次外延制造技術(shù)時，比如英飛凌的P7系列超級結(jié)MOSFET，則需要10次以上的外延、光刻、注入工序，而且外延的濃度偏差和光刻的對偏都會對超級結(jié)MOSFET的制造良率造成不良影響，進(jìn)一步提高了制造工藝的復(fù)雜度。當(dāng)采用深溝槽外延工藝生產(chǎn)超級結(jié)MOSFET時，比如600V及650V高壓超級結(jié)MOSFET，外延厚度需要達(dá)到40微米以上，溝槽深度達(dá)到36微米以上。

相較而言，中低壓MOSFET中制造難度較大的屏蔽柵MOSFET的外延厚度通常在15微米以內(nèi)，溝槽深度通常不超過10微米。綜上，高壓超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品的制造工藝更為復(fù)雜，使得其產(chǎn)出相對不足，從而導(dǎo)致其市場規(guī)模較中低壓MOSFET小。

根據(jù)器件結(jié)構(gòu)進(jìn)一步分類，高壓MOSFET一般可分為高壓超級結(jié)MOSFET以及高壓平面MOSFET，其中超級結(jié)結(jié)構(gòu)的性能更優(yōu)，是更高性能的功率器件品類。根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，2020年全球高壓超級結(jié)MOSFET的市場規(guī)模約為9.4億美元，占全球高壓MOSFET的比例為52.35%;經(jīng)估算2020年中國高壓超級結(jié)MOSFET的市場規(guī)模約為4.2億美元。盡管目前高壓超級結(jié)MOSFET的市場規(guī)模與中低壓MOSFET相比較小，但是高壓超級結(jié)MOSFET在包括新能源汽車、新能源汽車充電樁以及光伏等新興下游應(yīng)用領(lǐng)域中逐漸普及，隨著該等應(yīng)用領(lǐng)域的不斷發(fā)展與涌現(xiàn)，預(yù)計市場需求未來會持續(xù)穩(wěn)定增長。

綜上所述，由于覆蓋電壓平臺數(shù)量以及制造工藝復(fù)雜程度的差異，高壓超級結(jié)MOSFET的市場規(guī)模相比中低壓MOSFET較小。此外，高壓超級結(jié)MOSFET為高壓MOSFET中的高性能細(xì)分領(lǐng)域，與中低壓MOSFET不屬于完全可比的類別，因此市場規(guī)模相對較小。隨著全球高壓超級結(jié)MOSFET的制造工藝逐漸成熟，以及高壓超級結(jié)MOSFET在新興應(yīng)用領(lǐng)域中的逐漸普及，其市場規(guī)模將逐步增長。

與中低壓MOSFET相比，盡管高壓超級結(jié)MOSFET的市場規(guī)模相對較小，但是此市場具有產(chǎn)品性能與技術(shù)要求高、進(jìn)入門檻高、下游客戶穩(wěn)定、國內(nèi)廠商布局相對較少以及更具市場發(fā)展?jié)摿Φ忍攸c(diǎn)。因此，發(fā)行人綜合考慮了市場發(fā)展機(jī)遇、自身的技術(shù)以及產(chǎn)品優(yōu)勢以及行業(yè)發(fā)展趨勢等因素，選擇了以高壓超級結(jié)MOSFET領(lǐng)域作為市場切入點(diǎn)。

從市場競爭來看，無論是在全球還是中國市場，高壓超級結(jié)MOSFET的市場份額仍主要由國際廠商占據(jù)，國內(nèi)功率器件廠商在此領(lǐng)域的布局相較國際廠商較為落后，國產(chǎn)化程度較低。在國產(chǎn)化替代的行業(yè)背景下，高壓超級結(jié)MOSFET市場是更具發(fā)展機(jī)遇的細(xì)分領(lǐng)域，發(fā)行人選擇該細(xì)分市場能夠發(fā)揮技術(shù)優(yōu)勢，抓住國產(chǎn)化替代機(jī)遇，以更快地建立優(yōu)質(zhì)的客戶基礎(chǔ)，取得市場份額，實(shí)現(xiàn)高速發(fā)展。

根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，2020年全球高壓超級結(jié)MOSFET的市場規(guī)模預(yù)計為9.4億美元，并將于2024年達(dá)到10.0億美元;2020年度，公司在全球高壓超級結(jié)MOSFET市場的市場份額為3.8%。由于公司占全球高壓超級結(jié)MOSFET市場份額較小，鑒于公司高壓超級結(jié)產(chǎn)品的技術(shù)優(yōu)勢以及市場競爭力，公司的高壓超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品仍有很大的發(fā)展空間。

此外，國內(nèi)的高壓超級結(jié)MOSFET市場也主要由國外廠商占據(jù)，整體上國內(nèi)廠商在高壓超級結(jié)MOSFET市場的份額相對較小，例如新潔能在2019年中國高壓超級結(jié)MOSFET的市場占有率約為3.8%，龍騰半導(dǎo)體在2020年中國高壓超級結(jié)MOSFET的市場占有率約為1.6%。因此，公司可以充分受益于國際貿(mào)易摩擦大背景下的半導(dǎo)體國產(chǎn)化替代機(jī)遇，在未來獲取更大的市場份額。

除了市場占有率以外，國內(nèi)在高端分立器件的研發(fā)實(shí)力和生產(chǎn)工藝等方面較國外廠家仍存在較大的差距，該部分產(chǎn)品主要由美國、歐洲和日本的企業(yè)所主導(dǎo)。

由于國外公司在核心技術(shù)、關(guān)鍵元器件、關(guān)鍵設(shè)備、品牌和銷售渠道等方面保持領(lǐng)先，國內(nèi)銷售的高端半導(dǎo)體器件仍然主要依賴海外進(jìn)口。因此，公司在高性能功率器件核心技術(shù)方面的技術(shù)優(yōu)勢將是實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化替代的關(guān)鍵驅(qū)動力之一。

在高性能MOSFET產(chǎn)品的市場份額主要由國外廠商占據(jù)，以及國內(nèi)廠商在關(guān)鍵技術(shù)等方面相對滯后的背景下，公司基于自身的技術(shù)優(yōu)勢可以充分受益于國際貿(mào)易摩擦帶來的國產(chǎn)化替代機(jī)遇，未來有望不斷提高市場占有率，在與國外廠商的競爭中逐步形成自身的競爭優(yōu)勢。

高壓超級結(jié)MOSFET功率器件可廣泛運(yùn)用于各類終端領(lǐng)域，包括新能源汽車相關(guān)領(lǐng)域、5G基站電源及通信電源、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源和工業(yè)照明電源，以及PC電源、適配器、TV電源板、手機(jī)快速充電器等消費(fèi)電子應(yīng)用領(lǐng)域。其中，新能源汽車、通信電源、大功率照明以及光伏逆變器等下游新興市場正處于高速發(fā)展期。

以新能源汽車領(lǐng)域?yàn)槔S著汽車電動化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化的變動趨勢，新能源汽車對高性能功率半導(dǎo)體器件的需求量不斷提高，汽車電子將迎來結(jié)構(gòu)性變革，推動車規(guī)級功率器件快速發(fā)展。2020年11月國務(wù)院印發(fā)《新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃(2021-2035年)》，提出2025年新能源汽車新車銷售量達(dá)到汽車新車銷售總量的20%左右，年總銷量將達(dá)到500-600萬輛。

以2025年年總銷量600萬輛測算，未來5年新能源汽車新車銷售復(fù)合年均增長率為34%左右。同時，根據(jù)StrategyAnalytics分析，傳統(tǒng)燃料汽車中功率半導(dǎo)體芯片占汽車芯片的價值比例僅為21.0%，而純電動汽車中功率半導(dǎo)體芯片占汽車芯片的價值比例高達(dá)55%。

與傳統(tǒng)燃料汽車不同，每臺電動車都配備了需要多顆大電流規(guī)格高壓超級結(jié)MOSFET的車載充電機(jī)來對電池進(jìn)行充電和放電，為高性能超級結(jié)MOSFET功率器件帶來了歷史性發(fā)展機(jī)遇。

在新能源汽車充電樁方面，2015年至2019年，全國公共充電樁的數(shù)量由5.8萬個增長至51.6萬個，復(fù)合年增長率達(dá)到了72.9%。預(yù)計隨著新能源汽車的滲透率不斷提高，未來新能源汽車充電樁的功率器件市場也將持續(xù)保持高速增長。

而在公共直流充電樁所需的工作功率和電流要求下，其采用的功率器件以高壓MOSFET為主。高壓超級結(jié)MOSFET因其更低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗、高可靠性、高功率密度成為主流的充電樁功率器件應(yīng)用產(chǎn)品，具體應(yīng)用于充電樁的功率因數(shù)校正(PowerFactorCorrection，“PFC”)、直流-直流變換器以及輔助電源模塊等。高壓超級結(jié)MOSFET的應(yīng)用將充分受益于充電樁的快速建設(shè)。

在光伏應(yīng)用方面，隨著光伏市場的政策引導(dǎo)與驅(qū)動，我國光伏發(fā)電裝機(jī)容量的增長與集中式電站、分布式光伏電站的規(guī)模擴(kuò)張可直接推動光伏逆變器需求，其行業(yè)規(guī)模有望于2025年達(dá)到206億元，2020至2025年復(fù)合增長率達(dá)到24.8%。

高壓超級結(jié)MOSFET在高性能光伏微逆變器中被廣泛應(yīng)用，預(yù)計也將充分受益于光伏市場的快速增長。

上述新興市場領(lǐng)域均對高性能MOSFET產(chǎn)品具有很強(qiáng)的需求，而作為高性能功率器件的代表性產(chǎn)品，高壓超級結(jié)MOSFET具有能耗低、速度快、功率密度高等特性及優(yōu)勢，能夠滿足上述終端對性能的要求。因此，高壓超級結(jié)MOSFET在上述新興終端領(lǐng)域中有著結(jié)構(gòu)性機(jī)遇，能充分受益于上述應(yīng)用領(lǐng)域的快速增長，擁有較大的發(fā)展空間。

除高壓超級結(jié)MOSFET的發(fā)展機(jī)遇，基于在高壓超級結(jié)領(lǐng)域積累的技術(shù)優(yōu)勢，公司可進(jìn)一步拓展延伸至包括中低壓MOSFET產(chǎn)品在內(nèi)的其他細(xì)分領(lǐng)域。

根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，2020年全球MOSFET分立器件的市場規(guī)模為73.9億美元，2020年中國MOSFET分立器件的市場規(guī)模為29.5億美元。從產(chǎn)品設(shè)計以及技術(shù)能力來看，公司未來能夠?qū)a(chǎn)品拓展至MOSFET下屬的各個細(xì)分領(lǐng)域，進(jìn)而受益于MOSFET整體市場的發(fā)展機(jī)遇。

關(guān)于研發(fā)費(fèi)用，上交所要求發(fā)行人說明：(1)按照研發(fā)項(xiàng)目的人員配備、材料投入等說明研發(fā)費(fèi)用的具體內(nèi)容，研發(fā)費(fèi)用率偏低的原因，研發(fā)費(fèi)用投入是否與發(fā)行人的技術(shù)先進(jìn)性匹配;(2)2021年上半年研發(fā)費(fèi)用上漲較快、較去年全年持平的原因;(3)在研發(fā)費(fèi)用率逐年下降、研發(fā)費(fèi)用金額不高、與可比公司人員數(shù)量相比較少的情況下，人均收入高于同行業(yè)可比公司的合理性。

東微半導(dǎo)回復(fù)稱，發(fā)行人各研發(fā)項(xiàng)目中材料投入的具體內(nèi)容均主要為晶圓、掩膜和MOSFET成品。報告期各期，發(fā)行人材料投入中晶圓、掩膜和MOSFET成品的占比均超過90%。

報告期內(nèi)，隨著發(fā)行人經(jīng)營規(guī)模的擴(kuò)大、研發(fā)工作需求的增加，發(fā)行人研發(fā)投料不斷增加，與研發(fā)工作和技術(shù)發(fā)展需求具有匹配性。

由于研發(fā)過程的各個階段均產(chǎn)生研發(fā)投入，且不同階段并非均勻投入，如從物料投入來看，產(chǎn)品版圖設(shè)計、樣品晶圓試產(chǎn)、小批量晶圓制造以及小規(guī)模試產(chǎn)的物料投入相對較高，因此，晶圓在研數(shù)量與研發(fā)投入發(fā)生規(guī)模也并非簡單的線性對應(yīng)關(guān)系。

從研發(fā)人員看，發(fā)行人的研發(fā)部由產(chǎn)品研發(fā)工程部、應(yīng)用技術(shù)部組成，其中產(chǎn)品研發(fā)工程部由產(chǎn)品開發(fā)團(tuán)隊(duì)和工程測試團(tuán)隊(duì)組成。

產(chǎn)品研發(fā)工程部的工作貫穿于研發(fā)流程的整個環(huán)節(jié)，是研發(fā)工作的牽頭部門，其中產(chǎn)品開發(fā)團(tuán)隊(duì)的工作主要集中在前中期的晶圓設(shè)計開發(fā)、樣品晶圓試產(chǎn)、接收工程測試團(tuán)隊(duì)反饋的晶圓性能測試分析、小批量晶圓制造各項(xiàng)測試指標(biāo)的反饋、依照測試結(jié)果調(diào)整晶圓設(shè)計或工藝參數(shù)等;工程測試團(tuán)隊(duì)的工作主要集中在中后期的各項(xiàng)晶圓參數(shù)測試與可靠性驗(yàn)證，并將異常指標(biāo)反饋至產(chǎn)品開發(fā)團(tuán)隊(duì)。

應(yīng)用技術(shù)部的工作集中在后期的產(chǎn)品送樣及驗(yàn)證上，包括產(chǎn)品送樣需求信息確認(rèn)、產(chǎn)品送樣后的測試進(jìn)展跟蹤、對客戶應(yīng)用測試進(jìn)行技術(shù)支持、針對不同電路應(yīng)用場景研究功率器件的參數(shù)匹配等。應(yīng)用技術(shù)部在與客戶進(jìn)行交流的過程中，也會收集并整理相關(guān)的產(chǎn)品研發(fā)及調(diào)整的需求信息并反饋至產(chǎn)品研發(fā)工程部。

由于不同研發(fā)部門涉及的工作和精力投入有所側(cè)重，各類型研發(fā)人員的投入情況與研發(fā)工作的匹配分析具體如下：

從研發(fā)環(huán)節(jié)上看，產(chǎn)品開發(fā)團(tuán)隊(duì)的工作主要集中在項(xiàng)目設(shè)計開發(fā)、樣品晶圓試產(chǎn)、晶圓性能測試分析、小批量晶圓制造等研發(fā)環(huán)節(jié)，所有在研晶圓的設(shè)計開發(fā)、測試反饋、參數(shù)調(diào)試等均需其參與。因此用在研晶圓數(shù)量與產(chǎn)品開發(fā)團(tuán)隊(duì)人數(shù)進(jìn)行匹配較具合理性。報告期內(nèi)，發(fā)行人產(chǎn)品開發(fā)團(tuán)隊(duì)分別為6人、7人、9人和10人，在研晶圓數(shù)量分別為121種、191種、248種和250種，產(chǎn)品開發(fā)團(tuán)隊(duì)的人數(shù)隨在研晶圓數(shù)量的增加而增加。從工作能力和經(jīng)驗(yàn)上看，當(dāng)新工藝平臺的研發(fā)任務(wù)數(shù)量和難度逐漸增加時，需要匹配更多有能力和經(jīng)驗(yàn)的產(chǎn)品開發(fā)人員。

報告期內(nèi)，隨著研發(fā)項(xiàng)目啟動和進(jìn)行數(shù)量的增加，發(fā)行人產(chǎn)品開發(fā)團(tuán)隊(duì)人員持續(xù)增加，具有合理性。

由于工程測試團(tuán)隊(duì)和應(yīng)用技術(shù)部的工作主要集中在測試與驗(yàn)證、小規(guī)模試產(chǎn)、客戶送樣等研發(fā)環(huán)節(jié)，其工作主要專注通過小批量晶圓制造環(huán)節(jié)前后的一系列工作，因此用通過小批量晶圓制造環(huán)節(jié)的晶圓數(shù)量與工程測試團(tuán)隊(duì)和應(yīng)用技術(shù)部人數(shù)進(jìn)行匹配較具合理性。報告期內(nèi)，發(fā)行人不斷有晶圓通過小批量晶圓制造環(huán)節(jié)，報告期各期通過小批量晶圓制造環(huán)節(jié)的晶圓數(shù)量分別為34種、21種、51種和22種。通過該環(huán)節(jié)后的晶圓需要相應(yīng)的工程測試團(tuán)隊(duì)和應(yīng)用技術(shù)部支持推進(jìn)后續(xù)工作，報告期內(nèi)，發(fā)行人工程測試團(tuán)隊(duì)和應(yīng)用技術(shù)部合計分別為4人(另有3名勞務(wù)派遣人員支持應(yīng)用技術(shù)部工作)、11人、15人和20人?？傮w上看，工程測試團(tuán)隊(duì)和應(yīng)用技術(shù)部的人數(shù)隨通過該環(huán)節(jié)的在研晶圓數(shù)量的增加而增加。

發(fā)行人的研發(fā)費(fèi)用主要為員工薪酬及物料消耗，根據(jù)上述分析，發(fā)行人的研發(fā)費(fèi)用整體上與在研晶圓數(shù)量的增長趨勢保持同步。與同為Fabless模式的同行業(yè)公司新潔能相比，發(fā)行人研發(fā)費(fèi)用的構(gòu)成(剔除股份支付后)整體較為可比。

報告期內(nèi)，發(fā)行人及新潔能的研發(fā)費(fèi)用均主要由職工薪酬、物料消耗及檢測加工費(fèi)構(gòu)成，發(fā)行人上述科目的合計占比(剔除股份支付后)分別為85.18%、86.09%、92.60%和88.25%，新潔能上述科目的合計占比分別為87.03%、92.56%、89.66%和69.94%。2021年1-6月，新潔能上述科目合計占比較低，主要系新潔能當(dāng)期發(fā)生委托研發(fā)費(fèi)用，剔除委托研發(fā)費(fèi)用后，2021年1-6月新潔能上述科目合計占比為93.78%，與發(fā)行人較為可比。

從技術(shù)角度而言，相較于集成電路邏輯芯片，功率器件并非特別依賴和追求先進(jìn)制程，產(chǎn)品競爭力主要由器件結(jié)構(gòu)設(shè)計方面的技術(shù)創(chuàng)新能力決定。當(dāng)一個創(chuàng)新的器件結(jié)構(gòu)被成功開發(fā)后，可以被應(yīng)用至相關(guān)的功率芯片平臺中，并通過改變芯片中并聯(lián)器件的數(shù)量來得到不同規(guī)格的芯片。因此，相較于邏輯芯片，功率器件產(chǎn)品在研發(fā)階段投片試產(chǎn)的成本相對較低，對應(yīng)的研發(fā)費(fèi)用較低。

此外，發(fā)行人研發(fā)人員規(guī)模較小，報告期各期發(fā)行人的研發(fā)人員數(shù)量分別為10人、18人、24人以及31人。因此，發(fā)行人計入研發(fā)費(fèi)用的員工薪酬與發(fā)行人的研發(fā)人員規(guī)模也相匹配。發(fā)行人的核心技術(shù)集中于功率器件領(lǐng)域，尤其是高壓超級結(jié)MOSFET、中低壓屏蔽柵MOSFET以及IGBT等產(chǎn)品。在發(fā)展過程中，發(fā)行人集中優(yōu)勢研發(fā)資源，研發(fā)出了多種具有技術(shù)先進(jìn)性以及市場競爭力的功率器件結(jié)構(gòu)，并以工業(yè)級應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)橹饕袌鐾卣狗较颉ｋS著發(fā)行人業(yè)務(wù)規(guī)模的迅速擴(kuò)大，發(fā)行人擬拓展其在功率器件領(lǐng)域的研發(fā)廣度，包括新一代IGBT分立器件、高密度IGBT模塊以及第三代半導(dǎo)體材料功率器件等產(chǎn)品。預(yù)計未來發(fā)行人的研發(fā)費(fèi)用將隨著發(fā)行人業(yè)務(wù)規(guī)模的擴(kuò)大、產(chǎn)品線的豐富以及研發(fā)項(xiàng)目的多樣化而不斷提升。

綜上所述，發(fā)行人的研發(fā)費(fèi)用投入與發(fā)行人的技術(shù)先進(jìn)性相匹配。

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