12月8日消息(吳麗)SK海力士今日宣布成功開發(fā)出DDR5多路合并陣列雙列直插內(nèi)存模組(MCR DIMM, Multiplexer Combined Ranks Dual-Inline Memory Module)樣品。據(jù)介紹,這是目前業(yè)界最快的服務(wù)器DRAM產(chǎn)品,該產(chǎn)品的最低數(shù)據(jù)傳輸速率也高達(dá)8Gbps,較之目前DDR5產(chǎn)品4.8Gbps提高了80%以上。
DDR(Double Data Rate)是一種DRAM標(biāo)準(zhǔn),主要應(yīng)用于服務(wù)器和客戶端,目前已經(jīng)發(fā)展至第五代。MCR DIMM是一種模塊產(chǎn)品,將多個DRAM組合在一塊主板上,能夠同時運(yùn)行兩個內(nèi)存列。
內(nèi)存列(RANK) :從DRAM模塊向CPU傳輸數(shù)據(jù)的基本單位。一個內(nèi)存列通常可向CPU傳送64字節(jié)(Byte)的數(shù)據(jù)。
該MCR DIMM產(chǎn)品采用了全新的方法來以提高DDR5的傳輸速度。雖然普遍認(rèn)為DDR5的運(yùn)行速度取決于單個DRAM芯片的速度,但SK海力士工程師在開發(fā)該產(chǎn)品時另辟蹊徑,提高了模塊的速度而非單個DRAM芯片的速度。
SK海力士技術(shù)團(tuán)隊在設(shè)計產(chǎn)品時,以英特爾MCR技術(shù)為基礎(chǔ),利用安裝在MCR DIMM上的數(shù)據(jù)緩沖器(data buffer)同時運(yùn)行兩個內(nèi)存列。
緩沖器(Buffer) :安裝在內(nèi)存模塊上的組件,用于優(yōu)化DRAM與CPU之間的信號傳輸性能。主要安裝在對性能和可靠性要求較高的服務(wù)器模塊中
傳統(tǒng)DRAM模塊每次只能向CPU傳輸64個字節(jié)的數(shù)據(jù),而在MCR DIMM模塊中,兩個內(nèi)存列同時運(yùn)行可向CPU傳輸128個字節(jié)的數(shù)據(jù)。每次傳輸?shù)紺PU的數(shù)據(jù)量的增加使得數(shù)據(jù)傳輸速度提高到8Gbps以上,是單個DRAM的兩倍。
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