趕超芯片巨頭，國(guó)產(chǎn)14nm工藝明年量產(chǎn)！

原標(biāo)題：趕超芯片巨頭，國(guó)產(chǎn)14nm工藝明年量產(chǎn)！

9月17日，華虹集團(tuán)宣布旗下華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司的12英寸晶圓廠正式投產(chǎn)，主要生產(chǎn)55nm工藝特種芯片。而在先進(jìn)工藝方面，華虹早前宣布今年將量產(chǎn)28nm HKC+工藝，首發(fā)合作伙伴是聯(lián)發(fā)科，將為后者代工28nm低功耗無線通訊芯片。

2018年4月3日，華虹集團(tuán)宣布位于無錫的華虹半導(dǎo)體七廠開工。據(jù)了解，華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地項(xiàng)目占地約700畝，總投資100億美元，一期項(xiàng)目總投資約25億美元，新建一條工藝等級(jí)90-65/55nm、月產(chǎn)能約4萬片的12英寸特色工藝集成電路生產(chǎn)線，支持5G和物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的應(yīng)用。

這次投產(chǎn)的55nm晶圓廠聽上去很落伍，但實(shí)際并非如此，這個(gè)55nm工藝是用于特種芯片的，并非常見的邏輯芯片或者存儲(chǔ)芯片，主要生產(chǎn)功率芯片、電源芯片、指紋識(shí)別芯片等產(chǎn)品，在這個(gè)領(lǐng)域90nm、110nm甚至130nm工藝都沒被淘汰。

目前投產(chǎn)的是華虹半導(dǎo)體(無錫)有限公司一期工程，已于2019年上半年完成土建施工，下半年完成凈化廠房建設(shè)和動(dòng)力機(jī)電設(shè)備安裝、通線并逐步實(shí)現(xiàn)達(dá)產(chǎn)，預(yù)計(jì)年產(chǎn)值將達(dá)50億元。在一期工程完成后，華虹還會(huì)適時(shí)啟動(dòng)第二期工程。

在邏輯芯片工藝上，華虹集團(tuán)有華虹六廠，也就是位于上海的華力微電子，目前已經(jīng)量產(chǎn)了28nm工藝，在28nm工藝之后，華虹將在2020年量產(chǎn)14nm FinFET工藝，這個(gè)時(shí)間點(diǎn)比中芯國(guó)際量產(chǎn)14nm工藝略微落后，后者在日前的財(cái)報(bào)會(huì)議上提到了他們的工藝進(jìn)展，今年就能量產(chǎn)14nm改進(jìn)型的12nm工藝了——“FinFET 研發(fā)進(jìn)展順利，12nm 工藝開發(fā)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，下一代 FinFET 研發(fā)在過去積累的基礎(chǔ)上進(jìn)度喜人。”

到了2020年，不考慮臺(tái)積電已經(jīng)在南京量產(chǎn)的16nm工藝，國(guó)內(nèi)廠商中至少有兩家會(huì)量產(chǎn)14nm FinFET工藝，屆時(shí)這會(huì)是中芯國(guó)際之外國(guó)內(nèi)第二條國(guó)產(chǎn)14nm工藝生產(chǎn)線。雖然比臺(tái)積電、三星、Intel等公司的7nm、5nm工藝還要落后兩三代，但在技術(shù)水平上國(guó)內(nèi)晶圓廠可以說也追到一流水平了，14nm是高性能工藝節(jié)點(diǎn)，未來會(huì)長(zhǎng)期存在，市場(chǎng)前景廣闊。

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