中芯14納米能贏臺(tái)積電12納米?外媒爆華為3階段計(jì)劃

原標(biāo)題:中芯14納米能贏臺(tái)積電12納米?外媒爆華為3階段計(jì)劃

臺(tái)積電今年Q1營(yíng)收達(dá)3,105.97億元、年增42%,營(yíng)業(yè)利益率年增12個(gè)百分點(diǎn),創(chuàng)下季度獲利歷史新高。不過(guò)外傳其第二大客戶華為旗下海思半導(dǎo)體轉(zhuǎn)單至中芯國(guó)際14納米,傳這款處理器就是麒麟(Kirin)系列處理器Kirin 710,將從臺(tái)積電12納米改由中芯14納米。

疫情沖擊導(dǎo)致華為手機(jī)庫(kù)存飆高,華為啟動(dòng)幾波縮減計(jì)劃,規(guī)模還從4G手機(jī)擴(kuò)大至5G手機(jī)訂單,臺(tái)積電訂單恐怕受到影響。

據(jù)香港電腦雜志《e-zone》報(bào)導(dǎo),Kirin 710 處理器原本使用臺(tái)積電12納米製程, 將改由中芯14奈米FinFET製程生產(chǎn)晶片,製程技術(shù)雖降級(jí),但預(yù)期功耗與時(shí)脈幅影響幅度極低。華為在減少對(duì)臺(tái)積電的依賴上分別為:批次降至14納米製程,逐步減少對(duì)臺(tái)積電的依賴性,最后達(dá)成穩(wěn)定下單給中芯的訂單。

中芯在2018年宣布突破14納米FinFET製程研發(fā)瓶頸,并在2019年打造中國(guó)大陸首顆FinFET製程晶片,中芯也在2019年在晶圓代工出貨量逐漸有起色,甚至追上臺(tái)積電在南京 12 吋晶圓廠16 奈米製程。

至于中芯14納米為何會(huì)短短1年多就受到華為的青睞,這與中芯國(guó)際CEO梁孟松有關(guān)。梁孟松原為臺(tái)積電前研發(fā)處長(zhǎng),一度跳槽到三星電子幫助其完成發(fā)展14納米製程,讓時(shí)任臺(tái)積電董事長(zhǎng)的張忠謀相當(dāng)惋惜。梁孟松后來(lái)出任中芯,僅10個(gè)月時(shí)間,中芯陷入3年發(fā)展困境的14納米就獲得進(jìn)展,并以14納米FinFET製程、12納米加強(qiáng)FinFET製程,以及第二代FinFET製程、N+1 技術(shù),持續(xù)搶攻市場(chǎng)份額。(完)

極客網(wǎng)企業(yè)會(huì)員

免責(zé)聲明:本網(wǎng)站內(nèi)容主要來(lái)自原創(chuàng)、合作伙伴供稿和第三方自媒體作者投稿,凡在本網(wǎng)站出現(xiàn)的信息,均僅供參考。本網(wǎng)站將盡力確保所提供信息的準(zhǔn)確性及可靠性,但不保證有關(guān)資料的準(zhǔn)確性及可靠性,讀者在使用前請(qǐng)進(jìn)一步核實(shí),并對(duì)任何自主決定的行為負(fù)責(zé)。本網(wǎng)站對(duì)有關(guān)資料所引致的錯(cuò)誤、不確或遺漏,概不負(fù)任何法律責(zé)任。任何單位或個(gè)人認(rèn)為本網(wǎng)站中的網(wǎng)頁(yè)或鏈接內(nèi)容可能涉嫌侵犯其知識(shí)產(chǎn)權(quán)或存在不實(shí)內(nèi)容時(shí),應(yīng)及時(shí)向本網(wǎng)站提出書面權(quán)利通知或不實(shí)情況說(shuō)明,并提供身份證明、權(quán)屬證明及詳細(xì)侵權(quán)或不實(shí)情況證明。本網(wǎng)站在收到上述法律文件后,將會(huì)依法盡快聯(lián)系相關(guān)文章源頭核實(shí),溝通刪除相關(guān)內(nèi)容或斷開(kāi)相關(guān)鏈接。

2020-05-06
中芯14納米能贏臺(tái)積電12納米?外媒爆華為3階段計(jì)劃
據(jù)香港電腦雜志《e-zone》報(bào)導(dǎo),Kirin 710 處理器原本使用臺(tái)積電12納米製程, 將改由中芯14奈米FinFET製程生產(chǎn)晶片,製程技術(shù)雖降級(jí),但預(yù)期功耗與時(shí)脈幅影響幅度極低。

長(zhǎng)按掃碼 閱讀全文