在日前舉行的2023年IEEE國際電子元件會議上，臺積電發(fā)布進軍至1nm制程的產(chǎn)品規(guī)劃藍圖。該公司預計，2030年將在3D封裝內(nèi)提供超過1兆個晶體管，且正在開發(fā)在單體式（monolithic）架構中包含2000億個晶體管的芯片。
為了實現(xiàn)目標，臺積電方面稱，正在發(fā)展2nm級N2和N2P生產(chǎn)節(jié)點、1.4nm級A14和1nm級A10制造工藝，預計將于2030年完成。
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