盛美半導(dǎo)體設(shè)備發(fā)布高速銅電鍍技術(shù) 提高先進(jìn)封裝應(yīng)用中的鍍銅速率和均一性

3月26日消息，作為半導(dǎo)體制造與先進(jìn)晶圓級(jí)封裝領(lǐng)域中領(lǐng)先的設(shè)備供貨商，盛美半導(dǎo)體設(shè)備近日新發(fā)布了高速銅電鍍技術(shù)，該技術(shù)可適用于盛美的電鍍?cè)O(shè)備ECP ap，支持銅，鎳(Ni)和錫銀(SnAg)電鍍的互連銅凸點(diǎn)、重布線層和錫銀電鍍，還有高密度扇出(HDFO)先進(jìn)封裝產(chǎn)品的翹曲晶圓、銅、鎳、錫銀和金電鍍。該新型高速鍍銅技術(shù)使鍍銅腔在電鍍過程中可以做到更強(qiáng)的質(zhì)量傳遞。

Mordor Intelligence的報(bào)告顯示，扇出型封裝市場在2021年到2026年的預(yù)期復(fù)合年增長率(CAGR)可達(dá)到18%。報(bào)告還指出，扇出技術(shù)的普及主要?dú)w因于成本，可靠性和客戶采納。扇出型封裝比傳統(tǒng)的倒裝芯片封裝薄約20％以上，滿足了智能手機(jī)纖薄外形對(duì)芯片的要求。1

盛美半導(dǎo)體設(shè)備董事長王暉表示：“3D電鍍應(yīng)用最主要的挑戰(zhàn)之一就是，在深度超過200微米的深通孔或溝槽中做電鍍金屬膜時(shí)，需要保持高速和更好的均一性。有史以來，以高電鍍率對(duì)凸點(diǎn)進(jìn)行銅電鍍會(huì)遇到傳質(zhì)限制，導(dǎo)致沉積速率降低，并產(chǎn)生不均勻的凸點(diǎn)頂部輪廓。我們新研發(fā)出的高速電鍍技術(shù)可以解決傳質(zhì)的難題，獲得更好的凸點(diǎn)頂部輪廓，還能在保持高產(chǎn)能的同時(shí)提升高度均一性，使盛美的電鍍銅技術(shù)進(jìn)入全球第一梯隊(duì)。"

盛美半導(dǎo)體設(shè)備的高速電鍍技術(shù)可以在沉積銅覆膜時(shí)增強(qiáng)銅組陽離子的質(zhì)量傳遞，并以相同的電鍍率在整個(gè)晶圓上覆蓋所有的凸點(diǎn)，這就可以在高速電鍍的時(shí)候，使晶圓內(nèi)部和芯片內(nèi)部實(shí)現(xiàn)更好的均一性。使用該項(xiàng)技術(shù)處理的晶圓在相同電鍍速率下，比使用其他方法的效果有明顯的提高，可實(shí)現(xiàn)3％以下的晶圓級(jí)均一性，同時(shí)還能保證更好的共面性能和更高的產(chǎn)能。

盛美半導(dǎo)體設(shè)備已于2020年12月為其ECP ap系統(tǒng)升級(jí)了高速電鍍技術(shù)，并收到了第一筆配置高速電鍍技術(shù)的設(shè)備訂單，該設(shè)備本月下旬將被送到一家重要的中國先進(jìn)封裝測試工廠進(jìn)行裝機(jī)并驗(yàn)證。

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