3月26日消息，作為半導(dǎo)體制造與先進晶圓級封裝領(lǐng)域中領(lǐng)先的設(shè)備供貨商，盛美半導(dǎo)體設(shè)備近日新發(fā)布了高速銅電鍍技術(shù)，該技術(shù)可適用于盛美的電鍍設(shè)備ECP ap，支持銅，鎳(Ni)和錫銀(SnAg)電鍍的互連銅凸點、重布線層和錫銀電鍍，還有高密度扇出(HDFO)先進封裝產(chǎn)品的翹曲晶圓、銅、鎳、錫銀和金電鍍。該新型高速鍍銅技術(shù)使鍍銅腔在電鍍過程中可以做到更強的質(zhì)量傳遞。
Mordor Intelligence的報告顯示，扇出型封裝市場在2021年到2026年的預(yù)期復(fù)合年增長率(CAGR)可達到18%。報告還指出，扇出技術(shù)的普及主要歸因于成本，可靠性和客戶采納。扇出型封裝比傳統(tǒng)的倒裝芯片封裝薄約20％以上，滿足了智能手機纖薄外形對芯片的要求。1
盛美半導(dǎo)體設(shè)備董事長王暉表示：“3D電鍍應(yīng)用最主要的挑戰(zhàn)之一就是，在深度超過200微米的深通孔或溝槽中做電鍍金屬膜時，需要保持高速和更好的均一性。有史以來，以高電鍍率對凸點進行銅電鍍會遇到傳質(zhì)限制，導(dǎo)致沉積速率降低，并產(chǎn)生不均勻的凸點頂部輪廓。我們新研發(fā)出的高速電鍍技術(shù)可以解決傳質(zhì)的難題，獲得更好的凸點頂部輪廓，還能在保持高產(chǎn)能的同時提升高度均一性，使盛美的電鍍銅技術(shù)進入全球第一梯隊。"
盛美半導(dǎo)體設(shè)備的高速電鍍技術(shù)可以在沉積銅覆膜時增強銅組陽離子的質(zhì)量傳遞，并以相同的電鍍率在整個晶圓上覆蓋所有的凸點，這就可以在高速電鍍的時候，使晶圓內(nèi)部和芯片內(nèi)部實現(xiàn)更好的均一性。使用該項技術(shù)處理的晶圓在相同電鍍速率下，比使用其他方法的效果有明顯的提高，可實現(xiàn)3％以下的晶圓級均一性，同時還能保證更好的共面性能和更高的產(chǎn)能。
盛美半導(dǎo)體設(shè)備已于2020年12月為其ECP ap系統(tǒng)升級了高速電鍍技術(shù)，并收到了第一筆配置高速電鍍技術(shù)的設(shè)備訂單，該設(shè)備本月下旬將被送到一家重要的中國先進封裝測試工廠進行裝機并驗證。
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