總投資達(dá)130億元的時(shí)代芯存為何進(jìn)入了破產(chǎn)清算？

TechWeb 文 / 新喀鴉

根據(jù)全國(guó)企業(yè)破產(chǎn)重整案件信息網(wǎng)上的公告顯示，江蘇時(shí)代芯存半導(dǎo)體有限公司目前已正式進(jìn)入破產(chǎn)清算程序。

根據(jù)淮陰區(qū)人民政府官網(wǎng)上的消息顯示，江蘇時(shí)代芯存半導(dǎo)體有限公司總投資達(dá)130億元，其中一期投資43億元，占地276畝，年產(chǎn)10萬(wàn)片相變存儲(chǔ)器，投產(chǎn)后年銷售額45億元，利稅3億元以上。

那么總投資高達(dá)130億元的江蘇時(shí)代芯存半導(dǎo)體是如何走到如今這步境地的？

相變存儲(chǔ)器

根據(jù)時(shí)代芯存官網(wǎng)上的介紹，時(shí)代芯存目前有兩款“相變存儲(chǔ)器”產(chǎn)品，分別是：

基于相變存儲(chǔ)材料的2兆位相變存儲(chǔ)器EEPROM——“溥元611”（2019年8月發(fā)布）

基于相變存儲(chǔ)材料的64兆位相變存儲(chǔ)器NOR FLASH——“溥元622”（2019年12月發(fā)布）

EEPROM

EEPROM是一類通用型的非易失性存儲(chǔ)器芯片，在斷電情況下仍能保留所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息，可以在計(jì)算機(jī)或?qū)Ｓ迷O(shè)備上擦除已有信息重新編程，可擦寫次數(shù)至少100萬(wàn)次，數(shù)據(jù)保存時(shí)間超過100年。EEPROM雖然容量較小，但可擦寫次數(shù)高，因此適用于各類電子設(shè)備的小容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和反復(fù)擦寫的需求，廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)攝像頭、工業(yè)控制、汽車電子、液晶面板、藍(lán)牙模塊、通訊、計(jì)算機(jī)及周邊、醫(yī)療儀器、白色家電等領(lǐng)域。

為了方便大家理解“溥元611”在行業(yè)中的水平，這里我們選擇國(guó)產(chǎn)EEPROM廠商——普冉半導(dǎo)體的相關(guān)產(chǎn)品進(jìn)行粗略對(duì)比。

工藝方面：“溥元611”采用40nm CMOS工藝制程，普冉半導(dǎo)體的EEPROM產(chǎn)品主要采用130nm工藝制程，部分中大容量產(chǎn)品采用95nm及以下工藝制程下并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。也就是說(shuō)“溥元611”所采用的工藝更加先進(jìn)，性能更強(qiáng)。但普冉半導(dǎo)體由于使用更加成熟的工藝，其成本會(huì)更低。

容量方面：“溥元611”容量為2Mbit，普冉半導(dǎo)體EEPROM產(chǎn)品容量覆蓋2Kbit到4Mbit。

工作溫度方面：“溥元611”工作溫度為-40℃至+85℃。普冉半導(dǎo)體部分EEPROM產(chǎn)品工作溫度為-40℃至+125℃。

工作頻率方面：“溥元611”最大工作頻率為30MHz，而普冉半導(dǎo)體的EEPROM工作頻率一般最大只有幾MHz（小于10MHz）。這里可能是得益于使用了相變存儲(chǔ)材料，“溥元611”的最大工作頻率明顯高于市面上的一般EEPROM。

在數(shù)據(jù)保存時(shí)間方面：“溥元611”的數(shù)據(jù)保存時(shí)間可達(dá)100年，算是在EEPROM中比較“標(biāo)準(zhǔn)”的數(shù)據(jù)。而普冉半導(dǎo)體的EEPROM產(chǎn)品，數(shù)據(jù)保持時(shí)間最高可達(dá)200年。

NOR FLASH

NOR Flash具備隨機(jī)存儲(chǔ)、讀取速度快、芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP）等特點(diǎn)。作為數(shù)據(jù)讀取和存儲(chǔ)的重要器件，其主要功能是數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)和讀取，同時(shí)實(shí)現(xiàn)開機(jī)啟動(dòng)等固定運(yùn)行的程序。由于NOR Flash不必把應(yīng)用程序代碼讀到系統(tǒng)RAM中即可直接運(yùn)行，使得NOR Flash在運(yùn)行程序時(shí)優(yōu)勢(shì)更顯著，適用于開機(jī)響應(yīng)時(shí)間、可靠性等要求較高的電子設(shè)備?；贜OR Flash上述應(yīng)用特點(diǎn)及性價(jià)比優(yōu)勢(shì)，其被廣泛應(yīng)用于手機(jī)，電腦，可穿戴等消費(fèi)類電子、汽車電子、安防、服務(wù)器、基站等工控領(lǐng)域、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備及其他領(lǐng)域。

為了方便大家理解“溥元622”在行業(yè)中的水平，這里我們選擇國(guó)產(chǎn)NOR FLASH廠商——兆易創(chuàng)新的相關(guān)產(chǎn)品進(jìn)行粗略對(duì)比。

工藝方面：“溥元622”采用40nm CMOS工藝制程，兆易創(chuàng)新NOR Flash產(chǎn)品目前主要在55nm工藝制程。

容量方面：“溥元622”容量為64Mbit。兆易創(chuàng)新SPI NOR Flash可提供多達(dá)16種容量選擇，覆蓋512Kb到2Gb。

工作溫度方面：“溥元622”工作溫度為-40℃至+85℃。兆易創(chuàng)新提供的NOR Flash覆蓋7款溫度規(guī)格，其中多款產(chǎn)品可在-40℃至+125℃之間工作。

結(jié)語(yǔ)

1、存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)由DRAM、NAND Flash和NOR Flash、EEPROM等細(xì)分市場(chǎng)組成，據(jù)Yole最新數(shù)據(jù)，2022年全球DRAM全球市場(chǎng)規(guī)模約797億美元，NAND Flash全球市場(chǎng)規(guī)模約587億美元，NOR Flash和EEPROM市場(chǎng)規(guī)模約39.5億美元，其中DRAM和NAND Flash占據(jù)了存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)的主要份額。

也就是說(shuō)，時(shí)代芯存目前的“主力產(chǎn)品”NOR Flash和EEPROM在存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)上的份額大概僅占2.8%。這個(gè)市場(chǎng)規(guī)模相對(duì)來(lái)說(shuō)較小。

此外，NOR Flash和EEPROM市場(chǎng)已經(jīng)經(jīng)歷了數(shù)十年的發(fā)展，成立時(shí)間較早的華邦、旺宏、兆易創(chuàng)新等NOR Flash廠商以及意法半導(dǎo)體等EEPROM廠商已經(jīng)在收入規(guī)模、業(yè)務(wù)毛利率、專利技術(shù)等方面具備了一定的先發(fā)優(yōu)勢(shì)，并保持著較高的研發(fā)投入水平和研發(fā)人員數(shù)量，時(shí)代芯存作為市場(chǎng)新進(jìn)入者，面臨的競(jìng)爭(zhēng)壓力其實(shí)不小。

2、時(shí)代芯存的兩款產(chǎn)品工作溫度均為-40℃至+85℃，這種工作溫度雖然可以滿足一些工業(yè)級(jí)需求，但基本無(wú)緣主流車規(guī)級(jí)市場(chǎng)。

3、產(chǎn)品細(xì)分規(guī)格較少，很難滿足不同使用場(chǎng)景下的需求。比如有些使用場(chǎng)景需要大容量芯片，有些使用場(chǎng)景需要低成本芯片。通常大廠會(huì)針對(duì)一種芯片推出不同規(guī)格的產(chǎn)品，以滿足各種不同的需求。

4、時(shí)代芯存的產(chǎn)品使用了相較市場(chǎng)更加先進(jìn)的制造工藝和技術(shù)，但這也意味著成本會(huì)更高。而對(duì)于NOR Flash和EEPROM市場(chǎng)來(lái)說(shuō)，下游廠商非常重視芯片的成本。這使得下游廠商往往會(huì)更青睞于選擇性價(jià)比更高的NOR Flash和EEPROM芯片。

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