英特爾已實現(xiàn)3D先進封裝技術(shù)的大規(guī)模量產(chǎn)

1月26日消息，英特爾宣布已實現(xiàn)基于業(yè)界領(lǐng)先的半導體封裝解決方案的大規(guī)模生產(chǎn)，其中包括英特爾突破性的3D封裝技術(shù)Foveros，該技術(shù)為多種芯片的組合提供了靈活的選擇，帶來更佳的功耗、性能和成本優(yōu)化。這一技術(shù)是在英特爾最新完成升級的美國新墨西哥州Fab 9投產(chǎn)的。

這一里程碑式的進展還將推動英特爾下一階段的先進封裝技術(shù)創(chuàng)新。隨著整個半導體行業(yè)進入在單個封裝中集成多個“芯粒”（chiplets）的異構(gòu)時代，英特爾的Foveros和EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）等先進封裝技術(shù)提供了速度更快、成本更低的路徑，以實現(xiàn)在單個封裝中集成一萬億個晶體管，并在2030年后繼續(xù)推進摩爾定律。

英特爾的3D先進封裝技術(shù)Foveros是業(yè)界領(lǐng)先的解決方案，在處理器的制造過程中，能夠以垂直而非水平方式堆疊計算模塊。此外，F(xiàn)overos讓英特爾及其代工客戶能夠集成不同的計算芯片，優(yōu)化成本和能效。

英特爾將繼續(xù)致力于推進技術(shù)創(chuàng)新，擴大業(yè)務(wù)規(guī)模，滿足不斷增長的半導體需求。

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