中國(guó)內(nèi)存制造商長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)崛起，生成式AI推動(dòng)行業(yè)增長(zhǎng)潛力

隨著生成式人工智能技術(shù)的飛速發(fā)展，中國(guó)在內(nèi)存市場(chǎng)的地位日益增強(qiáng)，展現(xiàn)出巨大的增長(zhǎng)潛力。

市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Counterpoint Research的最新報(bào)告顯示，盡管中國(guó)內(nèi)存制造商長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)（CXMT）在技術(shù)進(jìn)步和國(guó)際法規(guī)挑戰(zhàn)方面仍面臨困難，但該公司正通過技術(shù)創(chuàng)新和市場(chǎng)擴(kuò)張逐步縮小與全球行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)的差距。

Counterpoint Research預(yù)測(cè)，到2024年，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)將占據(jù)全球DRAM總產(chǎn)能的13%，出貨量占比約為6%，營(yíng)收占比約為3.7%。該機(jī)構(gòu)還預(yù)計(jì)，到2025年，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的產(chǎn)能將接近美國(guó)內(nèi)存巨頭美光。

目前，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的產(chǎn)量和營(yíng)收相對(duì)較低，這主要是由于技術(shù)滯后、良率不高以及定價(jià)策略等問題。然而，這些差距預(yù)計(jì)將會(huì)逐漸縮小。2024年，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)每片晶圓的產(chǎn)量預(yù)計(jì)將比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手少42%，而到2025年，這一差距將縮小至32%。

盡管如此，Counterpoint Research也強(qiáng)調(diào)，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)需要成功研發(fā)并應(yīng)用高介電金屬閘極（HKMG）晶體管技術(shù)，以進(jìn)一步改善產(chǎn)品的功耗和速度。

Counterpoint Research研究總監(jiān)MS Hwang表示，中國(guó)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的興起可能會(huì)重塑全球市場(chǎng)格局。盡管目前技術(shù)進(jìn)步和良率提升方面仍面臨挑戰(zhàn)，但生成式AI和電動(dòng)汽車等新興應(yīng)用的需求增長(zhǎng)，將有助于中國(guó)在中低階內(nèi)存市場(chǎng)建立穩(wěn)固的地位。

此外，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)還在積極推進(jìn)高帶寬內(nèi)存（HBM）的研發(fā)和生產(chǎn)。該公司一方面在提升一代HBM的產(chǎn)能，另一方面已取得二代HBM2的重大突破，并向客戶送樣。預(yù)計(jì)到今年年中，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)將能夠小規(guī)模量產(chǎn)HBM2。（Suky）

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