雖然忙于 Elpida 的競(jìng)爭(zhēng)行列中，但對(duì)于下一代存儲(chǔ)器的開發(fā)并未停止。
透過(guò)新聞稿正式宣布該公司首個(gè)DDR4 DRAM 模塊已經(jīng)開發(fā)完成，同時(shí)已經(jīng)開始提供樣品讓主要客戶進(jìn)行測(cè)試，預(yù)計(jì)2013年將能夠開始量產(chǎn)。
根據(jù) JEDEC 的規(guī)劃，企業(yè)端以及服務(wù)器市場(chǎng)將會(huì)率先使用 DDR4 存儲(chǔ)器模塊，它將比目前的 DDR3 存儲(chǔ)器擁有更高的工作時(shí)脈卻使用較低的電壓。此次 Micron 所宣布的 DDR4 存儲(chǔ)器模塊是與 Nanya 基于 30nm 制程偕同開發(fā)。在單挑存儲(chǔ)器模塊內(nèi)，擁有 8 顆 4Gbit DDR4 顆粒，同時(shí)將會(huì)涵蓋了 RDIMMs、LRDIMMs、3DS、SODIMMs 以及 UDIMMs （一般和ECC） 等存儲(chǔ)器模塊。
傳輸速率部份可達(dá) 2400 – 3200 MT/s.
在 JEDEC 正式對(duì) DDR4 標(biāo)準(zhǔn)制定完成之后，Micron 預(yù)期在 2012 年底進(jìn)入大量生產(chǎn)階段。
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