近日，臺積電聯(lián)合臺大與美國麻省理工學(xué)院（MIT）官方宣布，在1nm以下芯片制程方面取得重大突破。
研究發(fā)現(xiàn)，二維材料結(jié)合“半金屬鉍（Bi）”能大幅降低電阻并提高傳輸電流，實現(xiàn)接近量子極限的能效，解決了長期以來二維材料高電阻及低電流等問題，有助實現(xiàn)半導(dǎo)體1nm以下制程挑戰(zhàn)。
該項研究成果，由臺大電機系暨光電所教授吳志毅與臺灣積體電路以及MIT研究團隊共同完成，自2019年開始已經(jīng)持續(xù)了長達1年多的三方跨國合作，如今終于取得了突破性的研究成果。
吳志毅教授表示，在使用鉍（Bi）作為接觸電極的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)后，二維材料晶體管的效能不但與硅基半導(dǎo)體相當，還有潛力與目前主流的硅基制程技術(shù)相容，有助于未來突破摩爾定律極限。
隨著晶圓單位面積能容納的晶體管數(shù)目逐漸逼近主流硅基材料的物理極限，晶體管效能再也無法逐年顯著提升。近年來，科學(xué)界也在積極地尋找能取代硅的二維材料，而此次的發(fā)現(xiàn)，無疑給芯片制程技術(shù)發(fā)展打了一劑強心針。
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