今（2）日，臺(tái)積電線(xiàn)上技術(shù)論壇登場(chǎng)，會(huì)中揭示先進(jìn)邏輯技術(shù)、特殊技術(shù)、以及3DFabric先進(jìn)封裝與芯片堆棧技術(shù)的最新創(chuàng)新成果。
據(jù)中央社報(bào)道，會(huì)上，臺(tái)積電總裁魏哲家提到，自從在2020年技術(shù)論壇公布之后，臺(tái)積電4納米制程技術(shù)的開(kāi)發(fā)進(jìn)度相當(dāng)順利，預(yù)計(jì)于2021年第3季開(kāi)始試產(chǎn)，較原先規(guī)劃于2021年第4季試產(chǎn)提早了一季時(shí)間。
至于3納米制程技術(shù)，臺(tái)積電表示，將依原訂計(jì)劃于2022年下半年量產(chǎn)，屆時(shí)將成為全球最先進(jìn)的邏輯技術(shù)。相較于5納米制程技術(shù)，3納米制程速度增快15%，功耗降低達(dá)30%，邏輯密度增加達(dá)70%。
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