三星宣布成功完成8納米射頻解決方案開發(fā)

北京時間6月9日消息（艾斯）三星官網(wǎng)今日發(fā)布消息稱，該公司已推出了基于8納米工藝的最新射頻技術。

三星表示，這一先進的工藝技術有望提供專門用于支持多通道和多天線芯片設計的5G通信“單芯片解決方案”。三星的8納米射頻平臺將把該公司在5G半導體市場的領導地位從Sub-6GHz頻段擴展至毫米波應用。

三星的8納米射頻工藝技術是對目前已經(jīng)廣泛使用的包括28納米和14納米在內(nèi)的射頻相關解決方案的最新補充。自2017年以來，三星為高端智能手機出貨了超過5億顆移動終端射頻芯片。

“通過卓越的創(chuàng)新和工藝制造，我們加強了我們的下一代無線通信產(chǎn)品。”三星電子代工技術開發(fā)團隊主管Hyung Jin Lee表示。“隨著5G毫米波的擴展，對于那些在緊湊型移動終端上尋求實現(xiàn)更長電池壽命和出色信號質(zhì)量的客戶來說，三星8納米射頻將成為一個很好的解決方案。”

隨著向先進節(jié)點的不斷擴展，數(shù)字電路在性能、功耗和面積(PPA)方面得到了顯著改善，而模擬/射頻模塊由于退化寄生效應（例如窄線寬引起的電阻增加）而沒有得到這種改善。因此，大多數(shù)通信芯片趨向于出現(xiàn)射頻特性退化，例如接收頻率放大性能劣化和功耗增加。

為了克服模擬/射頻擴展方面的挑戰(zhàn)，三星開發(fā)了一種獨特的8納米射頻專用架構，名為RFextremeFET (RFeFET)，可以顯著改善射頻特性，同時降低功耗。與14納米射頻相比，三星的RFeFET補充了數(shù)字PPA擴展，同時恢復了模擬/射頻擴展，從而實現(xiàn)了高性能5G平臺。

三星在新聞稿中寫道，三星的工藝優(yōu)化最大限度地提高了通道移動性，同時最大限度地減少了寄生效應。由于RFeFET的性能大幅提升，射頻芯片的晶體管總數(shù)和模擬/射頻塊的面積可以實現(xiàn)減小。與14納米射頻相比，由于采用RFeFET架構創(chuàng)新，三星的8納米射頻工藝技術將功率效率提高了35%，而射頻芯片面積減少了35%。

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