臺(tái)積電2nm工廠2024年量產(chǎn) 與三星、Intel決戰(zhàn)GAA晶體管技術(shù)

前幾天Intel發(fā)布了最新的CPU工藝路線圖,瞄準(zhǔn)2024年的20A工藝也首次亮相,會(huì)使用GAA晶體管工藝,Intel推出了RibbonFET及PowerVia兩項(xiàng)革命性技術(shù)。

接下來(lái)是Intel 18A,預(yù)計(jì)2025年初投產(chǎn),繼續(xù)強(qiáng)化RibbonFET,還有下一代高NA EUV光刻,與ASML合作。

Intel決心在半導(dǎo)體工藝上重回領(lǐng)導(dǎo)地位,臺(tái)積電也面臨壓力,好消息是他們的2nm工藝Fab20日前獲批。

據(jù)介紹,F(xiàn)ab20工廠將分為4期廠房逐步動(dòng)工,前2期廠房預(yù)估會(huì)在2023年下半年完工并展開(kāi)裝機(jī)作業(yè),2024年下半年可望進(jìn)入量產(chǎn)階段,2nm工藝4期廠房全部完工量產(chǎn)要到2025~2026年,總月產(chǎn)能將逾10萬(wàn)片規(guī)模。

臺(tái)積電的2nm工藝雖然沒(méi)有詳細(xì)規(guī)格流出,但也會(huì)上GAA晶體管,臺(tái)積電為此開(kāi)發(fā)了新的nanosheet納米片技術(shù),可以更好地控制閾值電壓(Vt),波動(dòng)降低至少15%,將大大改善芯片設(shè)計(jì)、性能。

除了Intel、臺(tái)積電之外,三星的3nm工藝工藝也會(huì)在2024年左右量產(chǎn),盡管3nm跟2nm工藝還差了一代,但三星是首個(gè)進(jìn)入GAA晶體管工藝的廠商,依然不容小覷,這三大半導(dǎo)體巨頭將在2024年有一場(chǎng)惡戰(zhàn),GAA技術(shù)表現(xiàn)如何,三家廠商的表現(xiàn)讓人關(guān)心。

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2021-08-02
臺(tái)積電2nm工廠2024年量產(chǎn) 與三星、Intel決戰(zhàn)GAA晶體管技術(shù)
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