6月30日消息（南山）據韓國媒體報道，三星電子今日正式投產GAA架構的3nm工藝芯片制造，為趕超臺積電奠定基礎。報道稱，GAA架構優(yōu)于當前廣泛使用的FinFET架構。
臺積電此前宣布在今年下半年量產3nm工藝。這意味著，三星首次在先進工藝層面反超臺積電。此外，英特爾預計在明年下半年量產3nm工藝芯片。
這一工廠投產也打破了業(yè)界的大量猜疑。此前臺灣業(yè)界就認為，三星可能因為3nm良率過低，而不得不延后量產。
客觀來說，這一猜疑具有歷史基礎。三星一直努力追趕臺積電的先進工藝，但步伐太大，良率時不時成為隱患。在晶圓代工市場，三星也大幅落后于臺積電的份額。
對于三星的突破性進展，臺積電表示不予評論。據稱，臺積電基于FinFET架構的3nm工藝將進入量產階段，并搭配FINLEX架構。此外，2nm工藝預計在2025年量產。
數(shù)據顯示，三星芯片制造60%產能供給集團旗下公司。預計本次3nm產能也不例外，將優(yōu)先三星集團使用。
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