英特爾制造硅自旋量子比特芯片取得顯著突破

10月9日消息（南山）英特爾實(shí)驗(yàn)室展示了迄今為止業(yè)界最高的硅自旋量子比特芯片的報(bào)告產(chǎn)量和均勻性，這些芯片是在英特爾的晶體管研發(fā)設(shè)施開(kāi)發(fā)的。這一成就代表了在英特爾晶體管制造工藝上擴(kuò)大規(guī)模和努力制造量子芯片的一個(gè)重要里程碑。

這項(xiàng)研究是使用英特爾的第二代硅自旋測(cè)試芯片進(jìn)行的。通過(guò)使用英特爾低溫探針(在低溫(1.7 K或-271.45攝氏度)下運(yùn)行的量子點(diǎn)測(cè)試設(shè)備，該團(tuán)隊(duì)分離出12個(gè)量子點(diǎn)和4個(gè)傳感器。這是業(yè)界最大的硅電子自旋器件，在整個(gè)300 mm硅晶圓的每個(gè)位置都有一個(gè)電子。

英特爾的研究表明，使用極紫外（EUV）光刻技術(shù)制造的芯片顯示出顯著的均勻性，整個(gè)晶圓的良率達(dá)到95%。低溫探針的使用以及強(qiáng)大的軟件自動(dòng)化能力，使最后一個(gè)電子的900多個(gè)單量子點(diǎn)和400多個(gè)雙量子點(diǎn)，可以在不到24小時(shí)內(nèi)、絕對(duì)零度以上被表征出來(lái)。

與以前的英特爾測(cè)試芯片相比，這種在低溫下表征的芯片產(chǎn)量和均勻性的提高，這意味著硅自旋量子比特芯片已經(jīng)非常接近量產(chǎn)，向商業(yè)量子計(jì)算機(jī)所需的數(shù)千或潛在的數(shù)百萬(wàn)量子比特?cái)U(kuò)展的關(guān)鍵一步。

英特爾量子硬件總監(jiān)James Clarke表示：英特爾繼續(xù)在利用自己的晶體管制造技術(shù)制造硅自旋量子比特方面取得進(jìn)展。實(shí)現(xiàn)的高良率和一致性表明，在英特爾已建立的晶體管工藝節(jié)點(diǎn)上制造量子芯片是一項(xiàng)明智的戰(zhàn)略，是隨著技術(shù)商業(yè)化的成熟而取得成功的有力標(biāo)志。

2022年10月5日，這項(xiàng)研究成果在加拿大魁北克舉行的2022年硅量子電子研討會(huì)上公布。

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