深圳市制定促進半導體與集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干措施 給予最高3000萬元補助

10月11日消息（顏翊）日前，深圳市發(fā)改委發(fā)布《深圳市關于促進半導體與集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干措施（征求意見稿）》（以下簡稱《征求意見稿》）。

《征求意見稿》提出，要重點支持高端通用芯片、專用芯片和核心芯片、化合物半導體芯片等芯片設計；硅基集成電路制造；氮化鎵、碳化硅等化合物半導體制造；高端電子元器件制造；晶圓級封裝、三維封裝、Chiplet（芯粒）等先進封裝測試技術；EDA工具、關鍵IP核技術開發(fā)與應用；光刻、刻蝕、離子注入、沉積、檢測設備等先進裝備及關鍵零部件生產(chǎn)；以及核心半導體材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。

《征求意見稿》提出了全面提升產(chǎn)業(yè)鏈核心環(huán)節(jié)、加速突破基礎支撐環(huán)節(jié)、聚力增強產(chǎn)業(yè)發(fā)展動能、聚力增強產(chǎn)業(yè)發(fā)展動能、打造高水平特色產(chǎn)業(yè)園區(qū)等幾大具體措施。

具體來看，對企業(yè)購買IP開展高端芯片研發(fā)，給予IP購買實際支付費用最高20%的資助，單個企業(yè)每年總額不超過1000萬元。加快基于RISC-V等精簡指令集架構(gòu)的芯片研發(fā)，對研發(fā)投入1000萬元（含1000萬元）以上的RISC-V芯片設計企業(yè)，按照不超過研發(fā)投入的20%給予補助，每年最高1000萬元。對深圳企業(yè)銷售自研芯片，且單款銷售金額累計超過2000萬元的，按照不超過當年銷售金額的15%給予獎勵，最高1000萬元。

對于使用多項目晶圓進行研發(fā)的深圳企業(yè)，最高給予該款產(chǎn)品首輪掩膜版制作費用的50%和直接流片費用70%、年度總額不超過500萬元的補助；對于首次完成全掩膜工程產(chǎn)品流片的深圳企業(yè)，最高給予該款產(chǎn)品首輪掩膜制作費用50%和流片費用50%，年度總額不超過700萬元的補助。

依托骨干企業(yè)加快半導體材料的研發(fā)生產(chǎn)，按照不超過研發(fā)費用（含材料驗證測試費用）的40%給予補助，最高1000萬元。支持首批次新材料進入重點集成電路制造企業(yè)供應鏈，按一定期限內(nèi)產(chǎn)品實際銷售總額給予研制單位不超過30%，最高2000萬元獎勵。

鼓勵企業(yè)進行集成電路關鍵設備及零部件研發(fā)，推進檢測設備、薄膜沉積設備、刻蝕設備、清洗設備、高真空泵等高端設備部件和系統(tǒng)集成開展持續(xù)研發(fā)和技術攻關，支持首臺套關鍵設備及零部件進入重點集成電路制造企業(yè)供應鏈，按一定期限內(nèi)產(chǎn)品實際銷售總額給予研制單位不超過30%，最高2000萬元獎勵。大力引進國內(nèi)外設備及零部件領域龍頭企業(yè)落戶深圳，給予不超過3000萬元一次性落戶獎勵。

以下為《征求意見稿》全文：

深圳市關于促進半導體與集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干措施

（征求意見稿）

為貫徹落實黨中央、國務院關于集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略部署，推進我市半導體與集成電路產(chǎn)業(yè)重點突破和整體提升，培育完善的產(chǎn)業(yè)生態(tài)，增強產(chǎn)業(yè)核心競爭力，充分銜接《關于加快集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干措施》（深府辦規(guī)〔2019〕4號），結(jié)合《深圳市培育發(fā)展半導體與集成電路產(chǎn)業(yè)集群行動計劃（2022-2025年）》，按照精準、可操作的原則，結(jié)合我市實際情況，制定以下措施。

一、適用機構(gòu)和重點支持領域

本措施適用于注冊地、統(tǒng)計地及納稅地均在深圳市的集成電路設計、制造、封裝測試、設備、材料企業(yè)，或提供相關集成電路產(chǎn)業(yè)服務的企業(yè)、機構(gòu)或組織。本措施具體條款另有規(guī)定的除外。

本措施重點支持高端通用芯片、專用芯片和核心芯片、化合物半導體芯片等芯片設計；硅基集成電路制造；氮化鎵、碳化硅等化合物半導體制造；高端電子元器件制造；晶圓級封裝、三維封裝、Chiplet（芯粒）等先進封裝測試技術；EDA工具、關鍵IP核技術開發(fā)與應用；光刻、刻蝕、離子注入、沉積、檢測設備等先進裝備及關鍵零部件生產(chǎn)；以及核心半導體材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。

二、全面提升產(chǎn)業(yè)鏈核心環(huán)節(jié)

（一）實現(xiàn)核心芯片產(chǎn)品突破。重點突破CPU、GPU、DSP、FPGA等高端通用芯片的設計，布局人工智能芯片、邊緣計算芯片等專用芯片的開發(fā)。以5G通信產(chǎn)業(yè)為牽引，全面突破射頻前端芯片、基帶芯片、光電子芯片等核心芯片。聚焦智能“終端”等泛物聯(lián)網(wǎng)應用，推動超低功耗專用芯片、NB-IoT芯片的快速產(chǎn)業(yè)化。對企業(yè)購買IP開展高端芯片研發(fā)，給予IP購買實際支付費用最高20%的資助，單個企業(yè)每年總額不超過1000萬元。加快基于RISC-V等精簡指令集架構(gòu)的芯片研發(fā)，對研發(fā)投入1000萬元（含1000萬元）以上的RISC-V芯片設計企業(yè)，按照不超過研發(fā)投入的20%給予補助，每年最高1000萬元。對深圳企業(yè)銷售自研芯片，且單款銷售金額累計超過2000萬元的，按照不超過當年銷售金額的15%給予獎勵，最高1000萬元。

（二）加強對設計企業(yè)流片支持。積極協(xié)調(diào)深圳支持建設的集成電路生產(chǎn)線和中試線開放一定產(chǎn)能，服務深圳中小設計企業(yè)的流片需求。支持集成電路設計企業(yè)加大新產(chǎn)品研發(fā)力度，重點支持集成電路設計企業(yè)流片和掩模版制作。對于使用多項目晶圓進行研發(fā)的深圳企業(yè)，最高給予該款產(chǎn)品首輪掩膜版制作費用的50%和直接流片費用70%、年度總額不超過500萬元的補助；對于首次完成全掩膜工程產(chǎn)品流片的深圳企業(yè)，最高給予該款產(chǎn)品首輪掩膜制作費用50%和流片費用50%，年度總額不超過700萬元的補助。

（三）提升半導體制造能力。加強與集成電路制造企業(yè)合作，規(guī)劃建設邏輯工藝和特色工藝集成電路生產(chǎn)線，支持建設高端片式電容器、電感器、電阻器等電子元器件生產(chǎn)線。支持代表新發(fā)展方向的半導體與集成電路制造重大項目落戶，鼓勵既有集成電路生產(chǎn)線改造升級。

（四）趕超高端封裝測試水平。加快MOSFET模塊等功率器件、高密度存儲器封裝技術的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，重點突破晶圓級、系統(tǒng)級、凸塊、倒裝、硅通孔、面板級扇出型、三維、真空、Chiplet（芯粒）等先進封裝核心技術，以及脈沖序列測試、IC集成探針卡等先進晶圓級測試技術，按照項目實際投資額的10%給予補助，單個項目不超過1000萬元。

（五）加速化合物半導體成熟。鼓勵通信設備、新能源汽車、電源系統(tǒng)、軌道交通、智能終端等領域企業(yè)推廣試用化合物半導體產(chǎn)品，提升系統(tǒng)和整機產(chǎn)品的競爭力。對年度采購深圳設計或制造的化合物半導體產(chǎn)品金額達2000萬元（含）以上的企業(yè)，按不超過采購金額的20%給予補助，每年最高500萬元。引導企業(yè)參與關鍵環(huán)節(jié)技術標準制定，搶占產(chǎn)業(yè)制高點，提升產(chǎn)品市場主導權和話語權。

三、加速突破基礎支撐環(huán)節(jié)

（六）加快EDA核心技術攻關。推動模擬、數(shù)字、射頻集成電路等EDA工具軟件實現(xiàn)全流程國產(chǎn)化。支持開展先進工藝制程、新一代智能、超低功耗等EDA技術的研發(fā)。加大國產(chǎn)EDA工具推廣應用力度，鼓勵企業(yè)和科研機構(gòu)購買或租用國產(chǎn)EDA工具軟件，推動國產(chǎn)EDA工具進入高校課程教學。對購買國產(chǎn)EDA工具軟件的企業(yè)或科研機構(gòu)，按照不超過實際支出費用的70%給予補助，每年最高1000萬元。對租用國產(chǎn)EDA工具軟件的企業(yè)或科研機構(gòu)，按照不超過實際支出費用的50%給予補助，每年最高500萬元。

（七）推動關鍵材料自主可控。依托骨干企業(yè)加快光掩模、光刻膠、聚酰亞胺、濺射靶材、高純度化學試劑、電子氣體、蝕刻液、清洗劑、拋光液、電鍍液功能添加劑、氟化冷卻液、陶瓷粉體等半導體材料的研發(fā)生產(chǎn)，按照不超過研發(fā)費用（含材料驗證測試費用）的40%給予補助，最高1000萬元。支持首批次新材料進入重點集成電路制造企業(yè)供應鏈，按一定期限內(nèi)產(chǎn)品實際銷售總額給予研制單位不超過30%，最高2000萬元獎勵。

（八）突破核心設備及零部件配套。鼓勵我市企業(yè)進行集成電路關鍵設備及零部件研發(fā)，推進檢測設備、薄膜沉積設備、刻蝕設備、清洗設備、高真空泵等高端設備部件和系統(tǒng)集成開展持續(xù)研發(fā)和技術攻關，支持首臺套關鍵設備及零部件進入重點集成電路制造企業(yè)供應鏈，按一定期限內(nèi)產(chǎn)品實際銷售總額給予研制單位不超過30%，最高2000萬元獎勵。大力引進國內(nèi)外設備及零部件領域龍頭企業(yè)落戶深圳，給予不超過3000萬元一次性落戶獎勵。

（九）加大關鍵核心技術攻關支持力度。進一步增強深圳集成電路產(chǎn)業(yè)核心競爭力，提升產(chǎn)業(yè)整體自主創(chuàng)新能力，打破重大關鍵核心技術受制于人的局面，對我市集成電路產(chǎn)業(yè)重點領域、優(yōu)先主題、重點專項的關鍵技術攻關予以資助。引導企業(yè)加大研發(fā)投入，對符合條件、開展研究開發(fā)活動的深圳集成電路企業(yè)，給予研究開發(fā)費用補助。對于新引進投資300萬元以上的集成電路企業(yè)給予房租補貼。

四、聚力增強產(chǎn)業(yè)發(fā)展動能

（十）積極承擔國家專項戰(zhàn)略任務。鼓勵有關單位承擔國家發(fā)展改革委、工業(yè)和信息化部、科學技術部等部委開展的集成電路領域重大項目、重大技術攻關計劃和重點研發(fā)計劃。根據(jù)國撥資金撥付進度，給予不超過1:1的資金配套，總額不超過項目總投資的30%。對重點核心企業(yè)提出的能夠解決集成電路產(chǎn)業(yè)鏈“卡脖子”問題，但未獲得國家資金的重大項目，根據(jù)企業(yè)自籌資金投入情況，可分階段給予不超過30%的配套資金支持。對于成功申報國家產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心、國家制造業(yè)創(chuàng)新中心、國家技術創(chuàng)新中心的，予以1:1配套支持。

（十一）支持企業(yè)做大做強。助力企業(yè)快速發(fā)展，提高市場占有率，不斷做大產(chǎn)業(yè)規(guī)模。對年度營業(yè)收入首次突破1億元、3億元、5億元、10億元的深圳集成電路EDA、IP及設計企業(yè)，分別給予企業(yè)核心團隊500萬元、700萬元、1000萬元和1200萬元的一次性獎勵。對年度營業(yè)收入首次突破10億元、20億元、50億元、100億元的深圳集成電路制造、封裝測試、關鍵裝備和材料企業(yè)，分別給予企業(yè)核心團隊500萬元、700萬元、1000萬元和1200萬元的一次性獎勵。

（十二）強化產(chǎn)業(yè)支撐平臺建設。建設集成電路領域制造業(yè)創(chuàng)新中心、產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心、IC設計平臺、設備材料研發(fā)中心、檢測認證中心等公共服務平臺，以骨干企業(yè)、科研機構(gòu)為依托，聯(lián)合上下游企業(yè)和高校、科研院所等構(gòu)建中小企業(yè)孵化平臺，對符合我市產(chǎn)業(yè)布局要求并經(jīng)市級認定的平臺，按不超過平臺建設費用的40%給予補助，最高3000萬元。平臺建成后，根據(jù)運營服務情況，按每年不超過1500萬元給予補助。

（十三）完善產(chǎn)業(yè)投融資環(huán)境。探索設立市級集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金，重點支持集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。支持符合條件的企業(yè)通過融資貸款、融資租賃參與項目建設和運營，按照實際貸款或融資部分最高2.5個百分點進行貼息，貼息年限最長不超過5年。支持企業(yè)充分利用主板、創(chuàng)業(yè)板、科創(chuàng)板等多層次資本市場上市融資發(fā)展，按上市掛牌進程分階段給予不超過1500萬元的補助。支持保險機構(gòu)參與集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展,引導保險資金開展股權投資。

（十四）促進進出口貿(mào)易快速增長。搭建覆蓋通關全過程的信息互通和監(jiān)管平臺，優(yōu)化和簡化集成電路產(chǎn)品的進出口環(huán)節(jié)和程序，建立本市集成電路企業(yè)、科研機構(gòu)等試點單位“白名單”，便利試點單位通關。建立集成電路重點商品進口指導目錄，對企業(yè)進口自用集成電路生產(chǎn)性原材料、消耗品，凈化室專用建筑材料、配套系統(tǒng)和集成電路生產(chǎn)設備及零配件等目錄所列商品，且年度累計進口金額超過5000萬元的，按照進口金額的5%給予補貼，每年最高500萬元。嚴格落實國家集成電路企業(yè)稅收優(yōu)惠政策，對集成電路重大項目進口新設備，準予分期繳納進口環(huán)節(jié)增值稅。

（十五）支持行業(yè)組織發(fā)揮橋梁作用。成立聯(lián)合產(chǎn)業(yè)鏈上下游的半導體與集成電路產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，不斷匯聚和融合全球產(chǎn)業(yè)資源和力量，提升深圳半導體與集成電路整體競爭力。支持產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、行業(yè)協(xié)會等社會組織發(fā)展，按項目擇優(yōu)給予最高500萬元資助。對經(jīng)認定的聯(lián)盟、協(xié)會等社會組織，每年按照實際租金及物業(yè)服務管理費的50%予以補貼，可連續(xù)補貼3年，每年最高不超過100萬元。在招商引資方面有突出貢獻的給予招商引資獎勵。

五、構(gòu)建高質(zhì)量人才保障體系

（十六）加強人才激勵保障。充分發(fā)揮市場調(diào)節(jié)作用，突出以用為本、市場認可、市場評價，以人才市場價值、經(jīng)濟貢獻為主要評價標準，建立與人才市場價值、經(jīng)濟貢獻掛鉤的市場化激勵機制，重點支持引進和留住一線研發(fā)人員，工程技術骨干及中高層管理人員，個人獎勵金額最高不超過500萬元。對在列入國家鼓勵的重點集成電路企業(yè)清單單位從事基礎研究、核心技術研發(fā)的人才，給予一定年限的穩(wěn)定支持。對市行業(yè)主管部門認定的集成電路重點單位，優(yōu)先給予人才住房配額。

（十七）實施集成電路全球人才回溯計劃。加快從重點國家（地區(qū)）靶向引進全球高端人才、創(chuàng)新團隊和管理團隊。設立海外人才引進服務機構(gòu)與海外人才歸國綠色通道，拉通海外集成電路高層次人才“選引用留”全流程服務機制，提供全程代辦服務，為高層次人才發(fā)放“鵬城優(yōu)才卡”，人才憑卡可直接辦理子女入學、人才住房、醫(yī)療保健、獎勵補貼申報等業(yè)務。

（十八）產(chǎn)學聯(lián)動培養(yǎng)各層次專業(yè)人才。大力發(fā)揮企業(yè)在人才培養(yǎng)中的作用，加快推進產(chǎn)教融合，鼓勵有條件的高校（含技師學院）采取與集成電路企業(yè)合作的方式共建高技能人才培訓基地，經(jīng)認定符合條件的培訓基地項目，按照不超過基地建設投入的20%給予一次性補助，最高2000萬元。加強高校（含技師學院）專業(yè)建設，擴大半導體專業(yè)招生規(guī)模，重點培養(yǎng)一批高層次、復合型人才。

六、打造高水平特色產(chǎn)業(yè)園區(qū)

（十九）優(yōu)化產(chǎn)業(yè)空間供給。由市產(chǎn)業(yè)主管部門統(tǒng)籌，半導體與集成電路產(chǎn)業(yè)集群重點區(qū)負責對每年的產(chǎn)業(yè)用地和產(chǎn)業(yè)用房指標予以量化，保證全市半導體與集成電路產(chǎn)業(yè)每年新增或升級改造20萬平米產(chǎn)業(yè)用地或50萬平米產(chǎn)業(yè)用房供給。采用“容缺受理”“并聯(lián)審批”模式，提前開展用地選址預審，同步審定項目遴選方案和產(chǎn)業(yè)發(fā)展監(jiān)管協(xié)議，提高審批效率加快土地出讓。

（二十）加大特色園區(qū)建設支持力度。對經(jīng)認定的新建或已有產(chǎn)業(yè)空間改造的特色產(chǎn)業(yè)園區(qū)，在立項、注冊、審批環(huán)節(jié)開通綠色通道，就近配套道路、供水、排污、排水、電訊光纜、供電、天然氣和土地平整等“八通一平”基礎設施。根據(jù)實際需要，建設跨區(qū)域的雙回路供電備份設施，滿足集成電路制造企業(yè)高強度、不間斷電力供應需求。

（二十一）加強環(huán)保配套措施。對于擬建設的特色園區(qū)，由市、區(qū)環(huán)保主管部門組成工作專班，一對一提供環(huán)保專業(yè)指導服務。完善園區(qū)環(huán)境基礎設施建設，鼓勵園區(qū)加大配套固體、液體和氣體污染物處理設施、環(huán)境監(jiān)測、環(huán)境風險應急防控、環(huán)境信息化等方面的投入，按照不超過建設費用的50%給予補助，最高2000萬元。

七、附則

本措施由深圳市發(fā)展和改革委員會負責解釋，執(zhí)行期間如遇國家、省、市有關政策及規(guī)定調(diào)整的，本措施可進行相應調(diào)整。各責任單位應當及時制定出臺實施細則或操作規(guī)程。鼓勵各區(qū)、各產(chǎn)業(yè)園區(qū)根據(jù)各自產(chǎn)業(yè)規(guī)劃布局特點獨立制定補充配套措施。本措施與市區(qū)兩級其他同類優(yōu)惠措施，由企業(yè)按照就高不就低的原則自主選擇申報，不重復資助，已按市、區(qū)兩級“一事一議”享受政策支持的,本措施不再予以支持。

本措施自2022年X月X日起生效，有效期5年。

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