三星成立下一代芯片工藝開(kāi)發(fā)部門(mén) 瞄準(zhǔn)AI芯片領(lǐng)域領(lǐng)先地位

北京時(shí)間11月30日消息（艾斯）據(jù)報(bào)道，三星電子成立了一個(gè)負(fù)責(zé)開(kāi)發(fā)下一代芯片處理技術(shù)的業(yè)務(wù)部門(mén)，該公司的目標(biāo)是在人工智能（AI）芯片領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位。

業(yè)內(nèi)消息人士本周三表示，三星最近成立了該部門(mén)負(fù)責(zé)開(kāi)發(fā)新技術(shù)，以保持在芯片加工領(lǐng)域領(lǐng)先于臺(tái)積電等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

消息人士稱(chēng)，新部門(mén)將由Hyun Sang-jin領(lǐng)導(dǎo)，他在三星半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)的技術(shù)進(jìn)步和先進(jìn)的3納米芯片量產(chǎn)方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用。

據(jù)悉，該部門(mén)將隸屬于三星設(shè)備解決方案（DS）部門(mén)中的芯片研究中心，該部門(mén)將負(fù)責(zé)監(jiān)督其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。

其中一名知情人士表示：“三星希望開(kāi)發(fā)新技術(shù)，使其在未來(lái)10年或20年領(lǐng)先于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。”

三星希望開(kāi)發(fā)出能夠改變游戲規(guī)則的技術(shù)——類(lèi)似于去年推出的全環(huán)繞柵極（Gate-All-Around,GAA）技術(shù)。三星表示，與之前的處理節(jié)點(diǎn)相比，3納米GAA技術(shù)的性能提升了30%，能耗降低了50%，芯片面積減少了45%。GAA技術(shù)與臺(tái)積電和其他使用FinFET工藝技術(shù)的代工企業(yè)存在競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系。

雖然三星是最大的存儲(chǔ)芯片制造商，但在代工芯片領(lǐng)域的市場(chǎng)份額遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于臺(tái)積電。

此外，本月初，有消息稱(chēng)，三星計(jì)劃在明年推出先進(jìn)的3D芯片封裝技術(shù)，以更好地與對(duì)手競(jìng)爭(zhēng)。消息人士稱(chēng)，該技術(shù)被稱(chēng)為“SAINT”（即Samsung Advanced Interconnection Technology，三星先進(jìn)互連技術(shù)），將以更小的尺寸集成AI芯片等高性能芯片所需的存儲(chǔ)和處理器。

業(yè)內(nèi)人士表示，三星成立了一個(gè)新的芯片工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)部門(mén)，由該公司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Kyung Kye-hyun領(lǐng)導(dǎo)。在本周一的高層人事調(diào)整中，Kyung Kye-hyun保留了聯(lián)席首席執(zhí)行官兼DS部門(mén)負(fù)責(zé)人的職位。此外，他還被任命為三星先進(jìn)技術(shù)研究院（SAIT）的負(fù)責(zé)人。

新部門(mén)的推出是三星努力在AI芯片領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位所采取舉措的一部分。根據(jù)Gartner的數(shù)據(jù)，該領(lǐng)域預(yù)計(jì)到2027年將從今年的534億美元增長(zhǎng)到1194億美元。

然而，三星在高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）和DDR5 DRAM等先進(jìn)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上落后于另一家韓國(guó)本土競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士（SK Hynix）。

HBM是一種高容量、高性能的半導(dǎo)體芯片，可用于支持ChatGPT等生成式AI設(shè)備、高性能數(shù)據(jù)中心和機(jī)器學(xué)習(xí)平臺(tái)，對(duì)HBM的需求正在飆升。

業(yè)內(nèi)人士表示，隨著三星電子的業(yè)務(wù)重點(diǎn)從存儲(chǔ)芯片擴(kuò)展到代工和芯片設(shè)計(jì)，包括優(yōu)秀研究人員在內(nèi)的投資資源已經(jīng)分散到更先進(jìn)的芯片工藝技術(shù)上。

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