聯(lián)蕓科技在2018美國閃存峰會分享最新的NAND DSP研究成果

加州圣克拉拉2018年8月10日電-- 聯(lián)蕓科技技術(shù)副總裁許偉博士應(yīng)FMS組委會邀請，于2018年8月9日(美國時(shí)間)在 Flash Controller Design Options 論壇，向全球存儲精英分享聯(lián)蕓科技在SSD主控芯片方面的“Self-Adaptive NAND Flash DSP” 核心技術(shù)和最新研究成果。

許偉博士演講現(xiàn)場

隨著市場對低成本存儲的追求和技術(shù)的進(jìn)步，閃存技術(shù)從 SLC 時(shí)代已經(jīng)跨入 3D TLC 時(shí)代，然而 3D TLC 技術(shù)發(fā)展已經(jīng)不能滿足市場對更低成本NAND顆粒的追求，QLC技術(shù)成為未來 NAND 顆粒技術(shù)發(fā)展一個(gè)重要方向。QLC 技術(shù)的突破，使得 NAND 顆粒位密度增長了25%，但受到 NAND 閃存工藝、閾值電壓分布以及使用的不同環(huán)境的影響，如何延長 QLC 技術(shù) NAND 顆粒的使用壽命和增加其可靠性、穩(wěn)定性，這對 NAND 閃存控制器提出了巨大的挑戰(zhàn)。

聯(lián)蕓科技憑借其在 NAND 閃存特性研究方面多年累積以及和國際顆粒原廠保持的良好合作關(guān)系，針對 NAND 顆粒閾值電壓分布特性及 NAND 顆粒對溫度敏感特性研究，結(jié)合聯(lián)蕓科技自主開發(fā)的LDPC(Low Desity Parity Check Code，低密度奇偶校驗(yàn)碼)技術(shù)與聯(lián)蕓科技自適配 NAND DSP 技術(shù)，全面提升 NAND 閃存顆粒的可控性、穩(wěn)定性和使用壽命，并縮短讀取響應(yīng)時(shí)間，提升性能。

在讀取 NAND 數(shù)據(jù)時(shí)，非最優(yōu)的讀取電壓會明顯增加 NAND 的 BRE(Bit Error Ratio，比特錯(cuò)誤率)，非優(yōu)化的軟數(shù)據(jù)讀取降低了 LDPC 軟解碼余量。此外，導(dǎo)致 NAND 閃存數(shù)據(jù)發(fā)送錯(cuò)誤的還有多種因素，包括：流程差異、擦寫次數(shù)、數(shù)據(jù)保留時(shí)間、讀取干擾、高要求工作溫度等，直接挑戰(zhàn)著 NAND 閃存數(shù)據(jù)的完整性和可靠性。聯(lián)蕓科技自主研發(fā)的NAND閃存自適配 DSP(Digital signal process，數(shù)字信號處理)技術(shù)被應(yīng)用在動(dòng)態(tài)跟蹤 NAND 特性中。除了來自 NAND 分析的大數(shù)據(jù)的靜態(tài) NAND 建模之外，該DSP算法能夠即時(shí)學(xué)習(xí) NAND 讀取的 NAND 閾值電壓分布，并動(dòng)態(tài)調(diào)整 NAND 特性。

圖一

聯(lián)蕓科技 Self-Adaptive NAND DSP 的自適配技術(shù)，能快速提升 LDPC 硬解碼和軟解碼的數(shù)據(jù)錯(cuò)誤恢復(fù)能力，收集讀取數(shù)據(jù)塊的更多信息，并不斷的在先前失敗的 LDPC 解碼中學(xué)習(xí)，利用時(shí)間和空間局部性來學(xué)習(xí)其他 NAND 讀取數(shù)據(jù)塊的糾錯(cuò)能力。

圖二

聯(lián)蕓科技 MAS090X 系列固態(tài)硬盤主控芯片，脫胎于 JMicron(智微科技)在高速接口方面的技術(shù)實(shí)力，并彌補(bǔ)了 JMicron 在 NAND 顆粒適配及糾錯(cuò)能力的不足，全新推出的一款具備國際競爭力的 SSD 主控芯片。該芯片在系統(tǒng)兼容性方面全面領(lǐng)先國際競爭對手，在 LDCP 糾錯(cuò)能力以及NAND 顆粒適配方面也可與國際一流廠商進(jìn)行對標(biāo) PK。該芯片采用極具競爭力的單 CPU+ 硬件協(xié)處理設(shè)計(jì)技術(shù)，在提升其可靠性、穩(wěn)定性、性能的同時(shí)，為客戶定制開發(fā)提供巨大的便利性。聯(lián)蕓科技將持續(xù)在高端存儲控制芯片及解決方案方面投入資金，為客戶帶來極具競爭力的全系列 SSD 主控芯片及解決方案。

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