Soitec宣布收購EpiGaN nv，增強其優(yōu)化襯底產(chǎn)品組合氮化鎵（GaN）材料優(yōu)勢
此次收購將加速Soitec在高速增長的5G、電源和傳感器市場的滲透率
中國北京，2019年5月16日——作為設計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導體材料的全球領軍企業(yè)，法國Soitec半導體公司宣布，已與歐洲領先的氮化鎵(以下簡稱GaN)外延硅片材料供應商EpiGaN達成最終協(xié)議，以3,000萬歐元現(xiàn)金收購EpiGaN公司。同時，這一協(xié)議還將根據(jù)盈利能力支付計劃支付額外的獎金。 EpiGaN的GaN產(chǎn)品主要用于RF(射頻)、5G、電子元器件和傳感器應用。預計未來五年內(nèi)，GaN技術的市場應用規(guī)模將達到每年50萬至一百萬個晶圓。
Soitec首席執(zhí)行官Paul Boudre表示：“目前，GaN技術在射頻和功率市場中的應用備受矚目。GaN 外延硅片材料與Soitec目前的優(yōu)化襯底產(chǎn)品系列將形成戰(zhàn)略上的天作之合。收購EpiGaN進一步擴展并補充了Soitec的硅產(chǎn)品組合，為射頻、5G和功率系統(tǒng)創(chuàng)造了新的工藝解決方案，為用戶增效。”
在移動領域，實現(xiàn)性能、低功耗和成本的共同優(yōu)化至關重要。與4G相比，5G 低于6GHz頻段和毫米波的到來正在推動新一代基站的發(fā)展，它需要更高能效、更高性能、更小、更有經(jīng)濟效益的功率放大器(PA)。更小、更輕、更高效和更具成本效益是當今基站設計的趨勢，Soitec將擴展其應用于PA的產(chǎn)品組合，并以GaN產(chǎn)品領銜這一趨勢。
EpiGaN聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Marianne Germain博士表示，“多年來，EpiGaN在GaN技術領域備受行業(yè)認可，目前研制出并優(yōu)化了一種可投入使用的技術，應用于5G寬帶網(wǎng)絡應用。我們的技術為Soitec的客戶創(chuàng)造了絕佳的機會，可以針對新興高增長市場快速開發(fā)產(chǎn)品解決方案，例如射頻設備、高效電源開關設備和傳感器設備。”
EpiGaN總監(jiān)兼基石投資公司LRM代表Katleen Vandersmissen則表示：“EpiGaN開發(fā)的GaN技術開啟了許多未來機遇。我們相信作為EpiGaN的卓越合作伙伴，Soitec將充分挖掘EpiGaN的市場發(fā)展?jié)摿Α?rdquo;
此外，鑒于GaN在功率晶體管設計中的應用，收購EpiGaN還將為Soitec現(xiàn)有的Power-SOI產(chǎn)品創(chuàng)造新的增長空間。Power-SOI和GaN均可滿足智能化、節(jié)能化和高可靠的集成電路設備對于綜合高壓和模擬功能的要求，以便廣泛應用于消費電子、數(shù)據(jù)中心、汽車和工業(yè)市場。EpiGaN將被整合成為Soitec的一個業(yè)務部門。
日程
Soitec將于2019年6月13日在巴黎舉行資本市場日。
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關于EpiGaN
EpiGaN成立于2010年，位于比利時東部哈瑟爾特市，是微電子產(chǎn)學研中心IMEC的衍生公司，是歐洲領先的氮化鎵(GaN)技術解決方案供應商。EpiGaN的技術廣泛應用于5G基礎設施、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)和智能傳感器系統(tǒng)的電源，是電力供應、電動汽車、無線充電和其他射頻電源系統(tǒng)設備創(chuàng)新的關鍵推動者。該公司在過去3年內(nèi)兩次入選享有盛譽的全球清潔技術百強企業(yè)名單。2011年，LRM，Capricorn清潔技術基金和羅伯特博世創(chuàng)業(yè)資本有限公司投資了該公司，A-Capital和SPFI-FPIM也在之后入資。
關于Soitec
法國 Soitec 半導體公司是設計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導體材料的全球領先企業(yè)，以其獨特的技術和半導體領域的專長服務于電子和能源市場。Soitec 在全球擁有3000多項專利，在不斷創(chuàng)新的基礎上滿足客戶對高性能、低能耗、以及低成本的需求。Soitec 在歐洲、美國和亞洲設有制造工廠、研發(fā)中心和辦事處。Soitec和Smart Cut為Soitec公司注冊商標。
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