三星公布業(yè)績預告,指今年一季度的營業(yè)利潤將預增931%,主要是存儲芯片價格大幅上漲帶動了利潤的大幅增長,顯示出美系從去年以來的連續(xù)漲價取得了成功,而針對的無疑是中國市場。
從去年下半年以來,全球三大存儲芯片企業(yè)三星、SK海力士、美光等紛紛以各種理由提升存儲芯片的價格,由此推動存儲芯片價格連續(xù)上漲,其中今年一季度就上漲了25%左右,顯示出它們聯(lián)手拉抬存儲芯片價格的措施取得了成效。
這些存儲芯片企業(yè)能成功拉抬存儲芯片的價格,在于它們擁有市場份額優(yōu)勢,三大存儲芯片企業(yè)占有全球存儲芯片市場近七成的市場份額;另一方面則是他們擁有技術優(yōu)勢,2023年他們都量產(chǎn)了全球最先進的300層NAND flash,重新奪得技術領先優(yōu)勢,由于有足夠的技術優(yōu)勢,讓他們有足夠的話語權。
這些存儲芯片企業(yè)聯(lián)手操縱價格并非沒有先例,2006年其中一家存儲芯片企業(yè)被美國以操縱價格為由罰款7億多美元,2014年和2018年他們又先后被歐盟等進行調(diào)查,顯示出操縱芯片價格是他們一貫的作風。
存儲芯片價格上漲帶來的好處是顯而易見的,2017年三星因為Galaxy note7的電池起火事件導致手機業(yè)務遭受重挫,但是此后的利潤卻連續(xù)上漲,并未因手機業(yè)務受挫而導致業(yè)績受損,原因就在于存儲芯片價格上漲帶來了豐厚的利潤,存儲芯片逐漸成為三星的主要利潤來源。
三星、美光等美系芯片也并非一直有如此的好日子,特別是中國存儲芯片的崛起曾給他們重創(chuàng)。2022年中國存儲芯片量產(chǎn)全球最先進的232層NAND flash芯片,并且中國的存儲芯片企業(yè)二期工程量產(chǎn),推動了存儲芯片價格暴跌,至2023年上半年存儲芯片價格腰斬。
隨著存儲芯片價格腰斬,三星、美光、SK海力士的存儲芯片業(yè)務出現(xiàn)巨虧,其中美光在2023年上半年就虧損了42億美元,巨額的虧損迫使這些存儲芯片企業(yè)不得不縮減存儲芯片產(chǎn)能,可見中國存儲芯片的崛起給他們帶來的壓力有多大。
中國存儲芯片的崛起讓美系芯片感受到威脅,隨即美國對中國存儲芯片出手,阻止日本和荷蘭對中國的存儲芯片供應先進芯片設備和材料,導致中國存儲芯片的技術陷于停滯,至今仍然停留在232層NAND flash,而且中國存儲芯片占全球市場的份額僅有4%左右,隨著中國存儲芯片被壓制,美系芯片再次聯(lián)手抬價。
美系芯片聯(lián)手漲價,中國制造無疑是最大的受害者,中國采購了全球三分之一的存儲芯片,每年采購的存儲芯片價值近千億美元,韓國的存儲芯片更是有六成賣給中國企業(yè),可以說這輪存儲芯片漲價,中國制造將多付出數(shù)百億美元,無奈地被他們收割。
存儲芯片的再度漲價,凸顯出中國芯片自主研發(fā)的重要性,只有國產(chǎn)芯片具有足夠的技術水平,可以替代進口芯片,海外芯片才不會肆無忌憚地漲價,如今中國芯片產(chǎn)業(yè)鏈實力越來越強,中國的存儲芯片估計很快就能再次反超美系芯片,到時候?qū)⒃俣绕仁顾麄兘祪r。
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