10月12日消息，據(jù)國外媒體報道，今日，存儲芯片制造商三星電子宣布，它已開始使用極紫外光刻（EUV）技術(shù)量產(chǎn)業(yè)界最小的14納米DRAM芯片。
三星電子表示，EUV技術(shù)減少了多圖案繪制中的重復步驟，提高了圖案繪制的準確性，從而提高了性能和產(chǎn)量，縮短了開發(fā)時間。
利用最新的DDR5標準，三星14納米DRAM將幫助解鎖前所未有的高達7.2Gbps的速度，這是DDR4速度（3.2Gbps）的2倍多。
該公司表示，即將開始量產(chǎn)DDR5，并預計最新工藝將使生產(chǎn)率提高20%，功耗降低近20%。
據(jù)悉，三星是全球最大的存儲芯片和智能手機制造商之一。在近日舉辦的晶圓代工論壇上，該公司宣布，將從2025年開始量產(chǎn)2nm芯片，并計劃從2022年上半年開始生產(chǎn)客戶設計的3nm芯片，第二代3nm芯片預計將在2023年生產(chǎn)。
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