原標題:傲騰技術(shù):打破傳統(tǒng)內(nèi)存和存儲的邊界!
我們知道,英特爾開發(fā)了全新的行業(yè)領(lǐng)先的介質(zhì)3D Xpoint,該技術(shù)定位于內(nèi)存和存儲架構(gòu)中的新層,推動了現(xiàn)有數(shù)據(jù)中心架構(gòu)的現(xiàn)代化,從而填補了高性能易失性內(nèi)存和性能和價格較低但容量大的NAND存儲之間的缺口。
而英特爾傲騰技術(shù)的獨特之處在于它結(jié)合了低延遲、高服務質(zhì)量(QoS)、高耐用性和高吞吐量。基于該介質(zhì),英特爾還推出了傲騰數(shù)據(jù)中心級持久內(nèi)存,彌補了系統(tǒng)對大容量內(nèi)存的迫切需求。
此外,該介質(zhì)斷電數(shù)據(jù)不丟失的特性和DRAM相比極具優(yōu)勢。應該說,傲騰技術(shù)的出現(xiàn)打破了傳統(tǒng)內(nèi)存和存儲的邊界,實現(xiàn)不同層級數(shù)據(jù)更平滑的存取,進一步提升了整個業(yè)務系統(tǒng)運行的性能。
誠如英特爾公司高級副總裁兼非易失性存儲解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Rob Crooke所表示的那樣,世界正在以驚人的速度產(chǎn)生數(shù)據(jù),讓各類企業(yè)越來越難以高效處理數(shù)據(jù)。從所有數(shù)據(jù)中獲取價值的能力將是決定成敗的關(guān)鍵。而在內(nèi)存和存儲層級結(jié)構(gòu)中實現(xiàn)突破性的前沿創(chuàng)新,正是英特爾在這一領(lǐng)域的驅(qū)動力所在。
這也讓我們看到,內(nèi)存和存儲如今已經(jīng)成為英特爾的戰(zhàn)略性增長業(yè)務。在2019英特爾內(nèi)存與存儲日上,英特爾解析了內(nèi)存與存儲層級結(jié)構(gòu)之間出現(xiàn)新差距的原因,以及英特爾傲騰技術(shù)和英特爾3D NAND技術(shù)如何彌合這些差距,使內(nèi)存和存儲層級結(jié)構(gòu)變得完整。
英特爾在研究中發(fā)現(xiàn),內(nèi)存技術(shù)傾向于增加容量,而不是增加吞吐量。這意味著每單位容量的帶寬隨著時間的推移而減少,從而延長了訪問任何特定層大數(shù)據(jù)集所需的時間。
因此彌合這兩個差距需要新技術(shù),這種技術(shù)的容量比DRAM更高、成本卻更低,它還具備近DRAM級的性能(時延和吞吐量)。由于新內(nèi)存還必須顯示為存儲,因此,它必須在整個重啟過程中擁有持久性?;诜且资У挠⑻貭?D XPoint介質(zhì),英特爾還打造了創(chuàng)新型的結(jié)合內(nèi)存、存儲屬性的數(shù)據(jù)中心傲騰固態(tài)盤。
據(jù)了解,英特爾傲騰固態(tài)盤的時延大約是10微秒級,只有NAND固態(tài)盤的十分之一。更好的一點是:它們能夠快速、可靠地返回數(shù)據(jù),在這方面遠超NAND固態(tài)盤。也就是說,英特爾傲騰固態(tài)盤彌合了部分差距,使更多內(nèi)存更靠近CPU。
此外,英特爾傲騰數(shù)據(jù)中心級持久內(nèi)存使得英特爾傲騰內(nèi)存可直接通過加載存儲質(zhì)量進行訪問,并不需要操作系統(tǒng)干預。它們還允許訪問單一緩存行,數(shù)據(jù)能夠以100納秒的速度被訪問(~100納秒-~340納秒之間,具體取決于DRAM緩存命中率)。因此,作為持久內(nèi)存,英特爾傲騰內(nèi)存介質(zhì)彌合了層級架構(gòu)中的另一個差距。
更讓人激動的是,在內(nèi)存與存儲日上,英特爾宣布代號為“Barlow Pass”的第二代英特爾傲騰數(shù)據(jù)中心級持久內(nèi)存將在2020年與下一代英特爾至強可擴展處理器一同發(fā)布。此外,英特爾還透露,2019年第四季度將會推出96層的3D NAND閃存產(chǎn)品,并且還率先在業(yè)內(nèi)展示了用于數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤的144層QLC(四級單元)NAND,預計也將于2020年推出。
在過去一年多的時間里,英特爾傲騰數(shù)據(jù)中心級產(chǎn)品在國內(nèi)市場的推進速度非常迅猛。誕生至今,傲騰從技術(shù)轉(zhuǎn)化為產(chǎn)品、解決方案,再到實際部署,我們看到了越來越多的成功案例。
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