原標(biāo)題:SSD價(jià)格暴漲,英特爾將加大數(shù)據(jù)中心閃存投入
2021年對(duì)于所有存儲(chǔ)芯片廠商都格外具有意義。
一方面因?yàn)橐咔榈雀鞣N因素影響,全球化的缺芯局面遲遲難以化解,導(dǎo)致包括閃存在內(nèi)的各種芯片產(chǎn)能不足、價(jià)格上漲;另一方面,全球數(shù)字經(jīng)濟(jì)在后疫情時(shí)代下的作用與地位日漸突出,像人工智能、自動(dòng)駕駛等大量新應(yīng)用蓬勃發(fā)展,帶來(lái)了對(duì)于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的極度渴求。
面臨日漸緊張的供需矛盾,更加考驗(yàn)閃存芯片廠商對(duì)于制造良率、供應(yīng)鏈、生態(tài)伙伴等方面的綜合能力。近日,在2021中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)(CFMS)上,英特爾公司就率先承諾會(huì)繼續(xù)閃存NAND技術(shù)上的投入,并會(huì)持續(xù)推出數(shù)據(jù)中心新閃存產(chǎn)品,推動(dòng)QLC閃存技術(shù)在數(shù)據(jù)中心的普及。
英特爾持續(xù)加碼閃存領(lǐng)域
今年以來(lái),受各種因素的疊加影響,半導(dǎo)體行業(yè)處于風(fēng)口浪尖,產(chǎn)能不足、芯片價(jià)格暴漲的新聞是不是登上頭條,引發(fā)大眾的關(guān)注與討論。
亦不能忽視的是,全球數(shù)字化進(jìn)程提速對(duì)于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)市場(chǎng)帶來(lái)的深刻影響。以中國(guó)市場(chǎng)為例,根據(jù)最新的《中國(guó)互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展報(bào)告2021》數(shù)據(jù),2020年中國(guó)數(shù)字經(jīng)濟(jì)規(guī)模達(dá)到39.2萬(wàn)億元,占GDP比重達(dá)38.6%,成為穩(wěn)定經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)的關(guān)鍵動(dòng)力。
數(shù)字經(jīng)濟(jì)的蓬勃發(fā)展,新場(chǎng)景、新應(yīng)用、新需求的大量誕生,帶來(lái)了對(duì)于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的旺盛需求。根據(jù)CFM數(shù)據(jù)顯示,從2020年到2025年,數(shù)據(jù)中心閃存市場(chǎng)的年復(fù)合增長(zhǎng)率將高達(dá)39%。與此同時(shí),自動(dòng)駕駛、語(yǔ)音助手、智能工廠、客服機(jī)器人……大量的數(shù)據(jù)分析/人工智能應(yīng)用對(duì)于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的性能、容量、可靠性提出了極高要求。
以去年五月發(fā)布的OPenAI GPT-3模型為例,模型參數(shù)則高達(dá)1750億個(gè),預(yù)訓(xùn)練數(shù)據(jù)量搞到45TB,最大層數(shù)高達(dá)96層,無(wú)論是模型規(guī)模、數(shù)據(jù)量、訓(xùn)練層數(shù)都是指數(shù)級(jí)增加。
與其他存儲(chǔ)廠商不同,英特爾一直專(zhuān)注于數(shù)據(jù)中心閃存領(lǐng)域。面對(duì)市場(chǎng)的變化和需求的變遷,英特爾表示會(huì)持續(xù)對(duì)于閃存業(yè)務(wù)的投入。英特爾NPSG亞太區(qū)銷(xiāo)售總監(jiān)倪錦峰介紹,英特爾一直聚焦閃存NAND多項(xiàng)技術(shù)的研究,以不斷提升閃存的密度、可靠性和性能,以滿足多樣化的市場(chǎng)需求。
“NAND市場(chǎng)是一個(gè)藍(lán)海市場(chǎng),”倪錦峰如是說(shuō),“不過(guò),未來(lái)閃存技術(shù)門(mén)檻會(huì)越來(lái)越高,工藝會(huì)愈發(fā)復(fù)雜,也需要更全面的產(chǎn)品線去滿足不同的需求。”
事實(shí)上,為了確保產(chǎn)能不受各方因素的影響,英特爾大連工廠發(fā)揮了至關(guān)重要的作用。倪錦峰透露,哪怕在疫情期間,大連工廠憑借嚴(yán)格和完善的防疫措施、員工眾志成城地投入,使得工廠并未受外界因素影響,確保了工廠持續(xù)不間斷運(yùn)營(yíng)。
英特爾為何能引領(lǐng)數(shù)據(jù)中心閃存
“做SSD可能不難,做好SSD相當(dāng)難,做好企業(yè)級(jí)SSD就難上加難?!?倪錦峰如是說(shuō)。
如果再聚焦到數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域,各種應(yīng)用對(duì)于SSD的性能、容量、可靠性等能力要求就更高。同樣是越來(lái)越高層數(shù)的堆疊層數(shù)和越來(lái)越復(fù)雜的工藝,為何英特爾能夠引領(lǐng)數(shù)據(jù)中心閃存市場(chǎng),并且在產(chǎn)品層面表現(xiàn)最為出色?
首先就是NAND核心技術(shù)的創(chuàng)新。英特爾獨(dú)特的浮柵技術(shù)是其獨(dú)步數(shù)據(jù)中心閃存市場(chǎng)的“殺手锏”。與其他廠商的柵極工藝相比,浮柵技術(shù)對(duì)于SSD的空間節(jié)省、容量增加、性能提升以及可靠性有著至關(guān)重要的影響,這使得英特爾SSD產(chǎn)品相比其他技術(shù)可以提升約10%的面密度,SSD容量更大,可靠性和性能卻更高。
以英特爾今年推出的業(yè)界第一款144層 PCI-E QLC NAND SSD DC-P5316為例,集合包括浮柵技術(shù)在內(nèi)多項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù),在耐久性、性能、可靠性和成熟度等方面優(yōu)勢(shì)明顯,比上一代QLC產(chǎn)品也有最多2倍的順序讀取性能、38%的隨機(jī)讀取性能提升和最低48%的時(shí)延下降。
英特爾這些NAND創(chuàng)新技術(shù)對(duì)于數(shù)據(jù)中心數(shù)據(jù)存儲(chǔ)發(fā)展極具意義。眾所周知,當(dāng)前數(shù)據(jù)中心中依然存在著大量的機(jī)械硬盤(pán),傳統(tǒng)機(jī)械硬盤(pán)的優(yōu)勢(shì)在于容量,但是性能和可靠性等方面較為遜色,如果QLC SSD能夠以成熟的產(chǎn)品加速在數(shù)據(jù)中心的普及,必然會(huì)在性能、容量、能耗、空間、可靠性等方面成為數(shù)據(jù)中心用戶的更優(yōu)選擇,獲得數(shù)據(jù)中心諸如分析、AI、機(jī)器學(xué)習(xí)、CDN等應(yīng)用的青睞。
倪錦峰介紹,“英特爾QLC NAND的實(shí)際耐用性已經(jīng)超出了業(yè)界平均水平很多,能夠?qū)⒛p分散到更大區(qū)域。在很多當(dāng)前數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載的部署情況來(lái)看,英特爾QLC NAND的耐用性足足有余。”
另一方面,英特爾對(duì)于圍繞閃存相關(guān)的技術(shù)、生態(tài)一直都是十分重視,長(zhǎng)期投入大量的精力來(lái)完善相關(guān)技術(shù)生態(tài),這也進(jìn)一步推動(dòng)了閃存在數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)的普及。倪錦峰打趣道,十多年前剛做SSD時(shí),一塊32 GB的SLC SSD成本就高到上千美元,而如今最新的QLC SSD最大容量達(dá)到32TB,每GB成本也已經(jīng)下降了幾百倍。
又如PCI-E接口演進(jìn)在發(fā)揮SSD性能優(yōu)勢(shì)起到了舉足輕重的作用,然而PCI-E 5.0接口的SSD遇到的挑戰(zhàn)是目前行業(yè)所有廠商都面臨的挑戰(zhàn),英特爾為加速推動(dòng)PCI-E 4.0向PCI-E5.0演進(jìn),正在加速資源投入,和合作伙伴一起,在平臺(tái)、方案層面加速創(chuàng)新,解決切換過(guò)程中的成本、信號(hào)完整性、系統(tǒng)層面整體性能均衡提升等問(wèn)題,幫助整個(gè)產(chǎn)業(yè)向前發(fā)展。
“NAND市場(chǎng)是一個(gè)充分競(jìng)爭(zhēng)的領(lǐng)域,不斷有新的玩家加入來(lái)滿足不斷增長(zhǎng)的多樣化客戶需求。未來(lái),隨著數(shù)據(jù)量不斷的提升,NAND還有廣闊和巨大的市場(chǎng)空間,一切還剛剛開(kāi)始,我們的目標(biāo)是星辰大海?!?倪錦峰最后表示道。
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