惠普與SanDisk將合作推新型存儲(chǔ)芯片 比現(xiàn)有閃存快1000倍

惠普和閃迪打算用這種最新的存儲(chǔ)技術(shù)顛覆這一市場，這似乎是對Intel和美光（Micron）今年7月份發(fā)布的一種3D Xpoint技術(shù)的回應(yīng)。

眾所周知，計(jì)算設(shè)備采用DRAM和SRAM作為易失性存儲(chǔ)器，它們的特點(diǎn)是成本相對更高，但數(shù)據(jù)傳輸速度更快，在斷電的時(shí)候數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。而對于長期存儲(chǔ)，機(jī)械硬盤和閃存芯片是常規(guī)手段，在速度上更慢，但成本相對更低。

很多人都在夢想一種新的存儲(chǔ)技術(shù)的出現(xiàn)，就是結(jié)合長期和短時(shí)存儲(chǔ)這兩者的優(yōu)勢，這樣計(jì)算設(shè)備的使用體驗(yàn)就能更上一層樓?；萜帐紫夹g(shù)官兼副總裁Martin Fink表示：“我們就是要讓過去的技術(shù)崩潰，讓這個(gè)世界變得更簡單。”

這種被稱為通用存儲(chǔ)的技術(shù)應(yīng)該算是目前惠普研究的一個(gè)重要方向，未來是有機(jī)會(huì)顛覆過去60年來形成的計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的存儲(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)的。存儲(chǔ)市場當(dāng)前的主流發(fā)展趨勢是閃存和DRAM通過縮減晶體管尺寸達(dá)成性能提升，這一模式達(dá)成的影響正在變小。

惠普與閃迪表示，他們的這次合作會(huì)用到兩家企業(yè)單獨(dú)研究的兩種技術(shù)，惠普的的憶阻器和閃迪的RRAM,這兩種技術(shù)都是利用改變電阻的材料。實(shí)際上惠普和閃迪并不是唯一兩家在這么做的企業(yè)，初創(chuàng)企業(yè)Crossbar也在開發(fā)RRAM,還有Intel和美光目前公布的技術(shù)細(xì)節(jié)聽起來跟其他企業(yè)所說的也比較類似。

Moor Insights & Strategy分析師Patrick Moorhead表示，這次的合作實(shí)際上“和美光與Intel所說的是同一個(gè)陣營”.惠普工程師將會(huì)幫助開發(fā)這項(xiàng)進(jìn)技術(shù)，閃迪則會(huì)進(jìn)行這種聯(lián)合設(shè)計(jì)芯片的生產(chǎn)。除了存儲(chǔ)芯片之外，這兩家企業(yè)還計(jì)劃在利用這種技術(shù)的系統(tǒng)上進(jìn)行合作。閃迪執(zhí)行副總裁Siva Sivaram表示：“這是一次長期合作?！?/p>

惠普和閃迪表示，他們不會(huì)將技術(shù)授權(quán)給其他企業(yè)，先前Intel和美光也表達(dá)了相同的戰(zhàn)略，這跟傳統(tǒng)的模式還是有很大差異的。Fink表示，這種芯片并非價(jià)格驅(qū)動(dòng)的商品，“我們正轉(zhuǎn)向基于價(jià)值的世界?！边@項(xiàng)技術(shù)預(yù)計(jì)會(huì)在2018-2020年抵達(dá)市場，但并沒有非常明確的時(shí)間表。

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